DS1302_CH(DS1302_CH).pdf-资料库

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1111 / 10101010 功能特色： � 时钟计数功能，可以对秒、分钟、小时、月、星期、年的计数。年计数可达到 2100 年。 � 有 31*8 位的额外数据暂存寄存器 � 最少 I/O 引脚传输，通过三引脚控制 � 工作电压：2.0-5.5V � 工作电流小于 320 纳安（2.0V） � 读写时钟寄存器或内部 RAM（31*8 位的额外数据暂存寄存）可以采用单字节模式和突发模式 � 8-pin DIP 封装或 8-pin SOICs � 兼容 TTL （5.0V） � 可选的工业级别，工作温度-40 – 85 摄氏度 � 兼容 DS1202 较 DS1202 增加的功能： 1. 可通过 Vcc1 进行涓流充电 2. 双重电源补给 3. 备用电源可采用电池或者超级电容(0.1F 以上)，可以用老式电脑主板上的 3.6V 充电电池。如果断电时间较短(几小时或几天)时，就可以用漏电较小的普通电解电容器代替。100 μF 就可以保证 1 小时的正常走时。DS1302 在第一次加电后，必须进行初始化操作。初始化后就可以按正常方法调整时间。功能简述： DS1302 包括时钟/日历寄存器和 31 字节（8 位）的数据暂存寄存器，数据通信仅通过一条串行输入输出口。实时时钟/日历提供包括秒、分、时、日期、月份和年份信息。闰年可自行调整，可选择 12 小时制和 24 小时制，可以设置 AM、PM。只通过三根线进行数据的控制和传递：、、。通过备用电源可以让芯片在小于 1MW 的功率下运作。

2222 / 10101010 工作过程：主要工作原理图如 Figure 1 所示：移位寄存器，控制逻辑，晶振，时钟和 RAM。在进行任何数据传输时，必须被制高电平（注意虽然将它置为高电平，内部时钟还是在晶振作用下走时的，此时，允许外部读写数据），在每个 SCLK 上升沿时数据被输入，下降沿时数据被输出，一次只能读写一位，适度还是写需要通过串行输入控制指令来实现（也是一个字节），通过 8 个脉冲便可读取一个字节从而实现串行输入与输出。最初通过 8 个时钟周期载入控制字节到移位寄存器。如果控制指令选择的是单字节模式，连续的 8 个时钟脉冲可以进行 8 位数据的写和 8 位数据的读操作，SCLK 时钟的上升沿时，数据被写入 DS1302，SCLK 脉冲的下降沿读出 DS1302 的数据。 8 个脉冲便可读写一个字节。在突发模式，通过连续的脉冲一次性读写完 7 个字节的时钟/日历寄存器（注意时钟/ 日历寄存器要读写完），也可以一次性读写 8~328 位 RAM 数据（可按实际情况读写一定数量的位，不必全部读写，两者的区别）。控制指令：控制指令（8 位）如 Figure2 所示：每个字节的传输是有控制字节指定的，控制字节的最高位 Bit7 必须是‘1’，如果是‘0’，写入将被禁止，因此我们如果将这位置一，可以禁止写入。bit6 为‘0’则指定对时钟/日历寄存器控制读写操作，为‘1’则为 RAM 区数据的控制读写操作，bir1~bit5 指定相关寄存器待进行输入输出操作，最低位 bit0 指定是输入还是输出，为‘0’ 则为输入，相反则输入有效，输入输出根据脉冲的上升沿和下降沿串行进行（前面已经提到）。

3333 / 10101010 复位以及时钟控制：所有的数据传输在置一时进行（反复强调），输入信号有两种功能：首先，RST 接通控制逻辑，允许地址/命令序列送入移位寄存器；其次，RST 提供终止单字节或多字节数据的传送手段。当 RST 为高电平时，所有的数据传送被初始化，允许对 DS1302 进行操作。如果在传送过程中 RST 置为低电平，则会终止此次数据传送，I/O 引脚变为高阻态。上电运行时，在 Vcc≥2.5V 之前，RST 必须保持低电平。只有在 SCLK 为低电平时，才能将 RST 置为高电平。I/O 为串行数据输入输出端(双向)，后面有详细说明。SCLK 始终是输入端。数据的传输如下图所示：（注意两种模式）数据输入：经过 8 个时钟周期的控制字节的输入，一个字节的输入将在下 8 个时钟周期的上升沿完成，数据传输从字节最低位开始。数据输出：经过 8 个时钟周期的控制读指令的输入，控制指令串行输入后，一个字节的数据将在下个 8 个时钟周期的下降沿被输出，注意第一位输出是在最后一位控制指令所在脉冲的下降沿被输出，要求 RST 保持位高电平。同理 8 个时钟周期的控制读指令如果指定的是突发模式，将会在脉冲的上升沿读入数据，下降沿读出数据，突

4444 / 10101010 发模式一次可进行多字节数据的一次性读写，只要控制好脉冲就行了。突发模式：上面已经提到过的突发模式可以指定为任何时钟/日历或 RAM 的寄存器，与以前一样，位 6 指定时钟或 RAM，位 0 指定读或写。读取或写入的突发模式开始在位 0 地址 0 。对于 DS1202 来说，在突发模式下写时钟寄存器，起始的 8 个寄存器用来写入相关数据，必须写完。然而，在突发模式下写 RAM 数据时，没有必要全部写完。每个字节都将被写入而不论 31 字节是否写完。时钟////日历：时钟/日历包含在 7 个寄存器中，如 Figure4 所示。数据在时钟/日历寄存器是二进制编码的十进制格式（BCD 码）。时钟停止标志：

5555 / 10101010 秒寄存器的 bit7 是时钟停止标志位，如果这位是‘1’，时钟晶振停止起振，DS1302 进入低功耗待命模式，耗用电流小于 100 nanoamps，如果这位是‘0’，晶振开始起振。 AM-PM/12-24 AM-PM/12-24 AM-PM/12-24 AM-PM/12-24 模式选择：小时寄存器的 bit7 是 AM-PM/12-24 模式选择选择位，这一位为‘1’时，选择了 12 小时制，为‘0’时，选择了 24 小时制，在 12 小时制下，bit 为‘1’选择了 PM，在 24 小时制下，bit5 选择了 20~23 小时段。写保护位：控制字节的 bit7 是写保护位（前面已经提到），低 7 位（bit0~bit6），被置 0，在任何写操作前，bit7 都应该置 ‘0’。涓流充电寄存器：该寄存器决定了 DS1302 的充电特性，结构简图如下图所示，涓流充电选择位为 bit4~7，置 1010 时使涓流充电，其他选择将禁止涓流充电。DS1302 刚上电时无涓流充电。二极管选择位 diode select（DS）bit2~3，将在 Vcc1 和 Vcc2 之间选择 1 或 2 个 diode ，如果 DS 是 01，只有一个二极管被选择，如果 DS 四 10，将选择两个 diode，具体电路如下面图示，如果是 00 或 11，无涓流充电能力。还有电阻选择位 RS(bit0~1)将会选择 Vcc1 和 Vcc2 之间的电阻，具体如下表： RS 和 DS 是有外部 Vcc1 和 Vcc2（如超级电容，第一页已经提到）最大充电电流来决定的，其最大充电电流由一下方法计算：例如 Vcc2 电压为 5V，Vcc1 连接一个超级电容，假如涓流充电禁止，且 VCC1、VCC2 之间只有一个二极管和一个电阻 R1，则其最大电流为：

6666 / 10101010 显然，超级电容充电时，VCC1、VCC2 之间的压降将会减少，其充电电流也将会减少。时钟////日历突发模式：由时钟/日历指令字节来指定其突发模式操作。在该模式下，其实的 8 个时钟/日历寄存器将被连续的读和写，详细见前面表格（“时钟/日历”处），起始与地址 0 和位 0。如果些保护位被置‘1’，则在突发模式下，无任何字节将会被读写，涓流充电不可以在突发模式下选择。 RAMRAMRAMRAM： The static RAM is 31 x 8 bytes addressed consecutively in the RAM address space. RAMRAMRAMRAM 突发模式：由 RAM 控制指令字节来指定其突发模式操作。在该模式下，31 个 RAM 静态寄存器将可以被连续的读或写，起始与地址 0 和位 0. 寄存器概况：详细见前面表格（“时钟/日历”处）晶体振荡器的选择：一个 32.768KHZ 的晶振可以直接接在 DS1302 的 2、3 管脚之间，可以设定规定载荷电容位 6pF。电源控制： VCC1 可提供单电源控制也可以用来作为备用电源，VCC2 为主电源。在主电源关闭的情况下，也能保持时钟的连续运行。DS1302 由 Vcc1 或 Vcc2 两者中的较大者供电。当 Vcc2 大于 Vcc1＋0.2V 时，Vcc2 给 DS1302 供电。当 Vcc2 小于 Vcc1 时，DS1302 由 Vcc1 供电。最大绝对额定值：管脚电压（相对于 GND）工作温度存储温度焊接温度 -0.5V ~ 7.5 V 0°C ~ 70°C –55°C ~ 125°C 260°C for 10 seconds

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