TB6612FNG-CN(TB6612FNG_datasheet_zh_cn).pdf

发布时间：2023-11-24 发布人：admin 分类：养殖资料大小：0.54M 资料格式：pdf 举报版权申诉

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译文 TB6612FNG 本资料是为了参考的目的由原始文档翻译而来。使用本资料时，请务必确认原始文档关联的最新信息，并遵守其相关指示。原本: “TB6612FNG” 2014-10-01 翻译日: 2015-11-11

译文 TB6612FNG TOSHIBA Bi-CD 单晶硅集成电路 TB6612FNG 双 DC 马达驱动 IC TB6612FNG 是一种驱动 IC，用于带低导通电阻器的 LD MOS 结构中带输出晶体管的 DC 马达。可利用 IN1 和 IN2 这两个输入信号，选择 CW，CCW，短路制动器、和停机等四种模式的其中一种模式。特征 • 电源电压 VM = 15 V(最大值) • 输出电流 IOUT = 1.2 A(平均值)/3.2 A (峰值) • 输出低导通电阻器：0.5 Ω (高+低典型值@ VM ≥ 5 V) • 待机 (省电模式)系统 • CW/CCW/短路制动器/停机功能模式 • 内置热关机电路和低电压检测电路 • 小面封装(SSOP24:0.65 mm 引线间距) 重量: 0.14 g(典型值) * 本产品带有 MOS 结构，并对静电放电敏感。在处理本产品时，应确保现场环境已配备一根接地母线，一块导电垫和一个离子产生器进行静电放电保护。确保环境温度和相对湿度维持在合理的水平。 ©2014 Toshiba Corporation 1 2014-10-01

译文 TB6612FNG 控制逻辑 A 控制逻辑 B 方块图引脚功能序号. 引脚名称 I/O 功能 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 AO1 AO1 PGND1 PGND1 AO2 AO2 BO2 BO2 PGND2 PGND2 BO1 BO1 VM2 VM3 PWMB BIN2 BIN1 GND STBY Vcc AIN1 AIN2 PWMA VM1 O ch A 输出 1 ― 电源 GND1 O O ch A 输出 2 ch B 输出 2 ― 电源 GND 2 O ch B 输出 1 ― 马达电源 I I I ― 小信号 GND I ― 小信号电源 I I I ― 马达电源 ch B PWM 输入/200 kΩ 内部下拉 ch B 输入 2/200 kΩ 内部下拉 ch B 输入 1/200 kΩ 内部下拉 “L” = 待机/ 200 kΩ 内部下拉 ch A 输入 1/ 200 kΩ 内部下拉 ch A 输入 2/ 200 kΩ 内部下拉 ch A PWM 输入/ 200 kΩ 内部下拉 2 2014-10-01

译文 TB6612FNG 绝对最大额定值（Ta = 25°C）特性电源电压输入电压输出电压输出电流功耗工作温度贮存温度符号 VM VCC VIN VOUT IOUT IOUT（峰值） PD Topr Tstg 额定值单位备注 15 6 -0.2 ~ 6 15 1.2 2 3.2 0.78 0.89 1.36 -20 ~ 85 -55 ~ 150 V V V A W °C °C IN1,IN2,STBY,PWM 引脚 O1,O2 引脚每 1 ch tw = 20 ms 连续脉冲, 占空比 ≤ 20% tw = 10 ms 单脉冲仅 IC PCB 贴装时，50 mm × 50 mm t = 1.6 mm Cu ≥ 40% PCB 贴装时，76.2 mm × 114.3 mm t = 1.6 mm Cu ≥ 30% 工作范围(Ta = -20 ~ 85°C) 特性电源电压输出电流 (H-SW) 开关频率符号 VCC VM IOUT fPWM 最小值典型值最大值单位备注 2.7 2.5 ― ― ― 3 5 ― ― ― 5.5 13.5 1.0 0.4 100 V V A kHz VM ≥ 4.5 V 4.5 V > VM ≥ 2.5 V 无 PWM 运行输入引脚：输入输出引脚：内部电路 3 2014-10-01

译文 TB6612FNG H-SW 控制功能输入输出 IN1 IN2 PWM STBY OUT1 OUT2 H L H L H H L L H/L H L H L H H/L H/L H/L H H H H H H L L L L H L L H L L L OFF (高阻抗) OFF (高阻抗) 模式短路制动 CCW 短路制动顺时针短路制动停止待机 VM VM OUT1 M OUT2 M OUT2 OUT1 H-SW 操作说明・为防止出现穿透电流，在 IC 中切换为各模式时可提供死区时间 t2 和 t4。 t2 t1 OUT1 OUT2 OUT1 M GND VM M GND GND t4 t5 OUT1 电压波形 t1 t5 t3 t2 t4 4 VM OUT1 M OUT2 GND <短路制动> t3 VM OUT2 GND VM GND 2014-10-01

译文 TB6612FNG 电气特性 (除非另有规定，则 Ta = 25°C, Vcc = 3 V, VM = 5 V) 测试条件最小值典型值最大值单位 ― ― ― ― Vcc×0.7 -0.2 5 ― Vcc×0.7 -0.2 5 ― ― ― ― -1 ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― 1.1 1.5 ― ― ― ― 15 ― ― ― 15 ― 0.5 0.15 ― ― 1 1 1.9 2.2 24 41 50 230 175 20 1.8 2.2 1 1 Vcc+0.2 Vcc×0.3 25 1 Vcc+0.2 Vcc×0.3 25 1 0.7 0.21 1 ― 1.1 1.1 ― ― ― ― ― ― ― ― mA μA V μA V μA V μA V V ns °C 5 2014-10-01 符号 ICC(3 V) ICC(5.5 V) ICC(STB) IM(STB) VIH VIL IIH IIL VIH(STB) VIL(STB) IIH(STB) IIL(STB) STBY = Vcc = 3 V, VM = 5 V STBY = Vcc = 5.5 V, VM = 5 V STBY = 0 V ― VIN = 3 V VIN = 0 V ― VIN = 3 V VIN = 0 V Vsat(U+L)1 Vsat(U+L)2 IO = 1 A, Vcc = VM = 5 V IO= 0.3 A, Vcc = VM = 5 V IL(U) IL(L) VF(U) VF(L) UVLD UVLC tr tf VM = VOUT = 15 V VM = 15 V, VOUT = 0 V IF = 1A (仅为设计目标) (仅为设计目标) 死区时间 H ~ L 穿透保护时间 L ~ H (仅为设计目标) TSD ∆TSD (仅为设计目标) 特性电源电流控制输入电压控制输入电流待机输入电压待机输入电流输出饱和电压输出泄漏电流再生二极管 VF 低电压检测电压恢复电压响应速度过热关机电路工作温度热击穿迟滞

译文 PD - Ta PD - Ta ①IC 仅 θj – a = 160°C/W ①IC単体θj-a=160℃/W ② 在板上 ②基板実装時 PCB 面积为 50 mm×50 mm×1.6 mm PCB面積 50×50×1.6mm Cu 面积 ≥ 40% Cu箔面積≧40% ③ 在板上 ③基板実装時 PCB 面积为 76.2 mm×114.3 mm×1.6 mm PCB面積 76.2×114.3×1.6mm Cu 面积≥ 30% Cu箔面積≧30% (A) 2.5 T U O I 流电出输 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 50 100 Ta (℃) 150 0% 20% TB6612FNG Iout - Duty IOUT -占空比双通道操作 2ch動作時单通道操作 1ch動作時 1 ch driving 2 ch driving Ta = 25°C，仅 IC Ta=25℃,IC単体 40% 占空比 Duty 60% 80% 100% 目标特性 ③ ② ① (w) 1.50 1.00 0.50 0.00 0 D P 耗功 6 2014-10-01

译文 TB6612FNG 控制逻辑 A 控制逻辑 B H-SW 驱动器 A H-SW 驱动器 B +4.5V~ 13.5V 典型应用图 +2.7 V ~ 5.5 V 注：应将噪声吸收冷凝器(C1 ,C2,C3 和 C4)尽量靠近 IC 连接。 7 2014-10-01

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