友达集成电路 ULN2003
高耐压、大电流达林顿陈列—ULN2003
概述与特点
ULN2003 是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅 NPN 达林顿管组成。
该电路的特点如下:
ULN2003 的每一对达林顿都串联一个 2.7K 的基极电阻,在 5V 的工作电压下它能与 TTL 和 CMOS 电路
直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003 工作电压高,工作电流大,灌电流可达 500mA,并且能够在关态时承受 50V 的电压,输出还
可以在高负载电流并行运行。
ULN2003 采用 DIP—16 或 SOP—16 塑料封装。
方框图
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
无锡友达电子有限公司
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版本 3.1 第一页 共三页 2004-09-20
友达集成电路 ULN2003
极限值 (若无其它规定,Tamb=25℃)
参数名称
输入电压
输入电流
功耗
工作环境温度
贮存温度
符号
VIN
IIN
PD
Topr
Tstg
数值
30
25
1
-20 to +85
-55 to+150
单位
V
mA
W
℃
℃
电特性(若无其它规定, Tamb=25℃)
参数名称
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
0.9
1.1
1.3
0.93
65
15
0.25
0.25
50
100
1.1
1.3
μA
V
V
1.6
1.35 mA
μA
2.4
2.7
3.0
25
pF
1.0 μS
1.0 μS
50 μA
100 μA
1.7
2.0
V
输出漏电流
ICEX
VCE=50V, Tamb=25℃
VCE=50V, Tamb=70℃
IC=100mA, IS=250μA
饱和压降
VCE(SAT)
IC=200mA, IS=350μA
VIN=3.85V
IC=350mA, IS=500μA
IC=500μA, Tamb=70℃ 50
VCE=2.0V, IC=200mA
VCE=2.0V, IC=250mA
VCE=2.0V, IC=300mA
0.5 Ein to 0.5 Eout
0.5 Ein to 0.5 Eout
VR=50V, Tamb=25℃
VR=50V, Tamb=70℃
IF=350mA
输入电流
IIN(ON)
IIN(OFF)
输入电压
VIN(ON)
输入电容
上升时间
下降时间
钳位二极管漏电流
钳位二极管正向压降
CIN
tPLH
tPHL
IR
VF
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友达集成电路 ULN2003
应用电路
封装外形图
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