EG3013中文数据手册.pdf-资料库

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片目录 4.1. 4.2. 7.1 7.2 7.3 1. 特点 ..................................................................................................................................................................... 4 2. 描述 ..................................................................................................................................................................... 4 3. 应用领域 ............................................................................................................................................................. 4 4. 引脚 ..................................................................................................................................................................... 4 引脚定义 ............................................................................................................................................. 4 引脚描述 ............................................................................................................................................. 4 5. 结构框图 ............................................................................................................................................................. 5 6. 典型应用电路 ..................................................................................................................................................... 5 7. 电气特性 ............................................................................................................................................................. 7 极限参数 ............................................................................................................................................. 7 典型参数 ............................................................................................................................................. 8 开关时间特性及死区时间波形图 ..................................................................................................... 9 8. 应用设计 ........................................................................................................................................................... 10 Vcc 端电源电压 ................................................................................................................................ 10 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性............................................................................................ 10 自举电路 ........................................................................................................................................... 11 9. 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 12 SO8 封装尺寸 .................................................................................................................................... 12 8.1 8.2 8.3 9.1 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 3 / 12

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 EG3013 芯片数据手册 V1.1 1. 特点  高端悬浮自举电源设计，耐压可达 100V  内建死区控制电路  自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通  采用半桥达林顿管输出结构具有 1A 大电流栅极驱动能力  专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动  HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出 LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出   外围器件少  静态电流小：4.5mA  封装形式：SOP-8 2. 描述 EG3013 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3013 高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽 4.5V～30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。 3. 应用领域  电动摩托车控制器  电动自行车控制器  100V 降压型开关电源  变频水泵控制器  无刷电机驱动器  高压 Class-D 类功放 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 4 / 12

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 4. 引脚 4.1. 引脚定义图 4-1. EG3013 管脚定义 4.2. 引脚描述引脚序号引脚名称 I/O 描述 1 2 3 4 5 6 7 8 Vcc Power 芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为 10V-15V,外接一个高频 0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率 MOS 管的导通与截 HIN I 止。当 LIN 引脚为高电平时，HIN 功能如下（详细参考 8.2 节） “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率 MOS 管的导通与截 LIN I 止，当 HIN 引脚为低电平时， LIN 功能如下（详细参考 8.2 节） “0”是开启功率 MOS 管 “1”是关闭功率 MOS 管 GND GND 芯片的地端。 LO VS HO VB O 输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止 O 高端悬浮地端 O 输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止 Power 高端悬浮电源 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 4 / 12 VccGNDLOVSHOEG301312345678HINLINVB

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 5. 结构框图图 5-1. EG3013 结构框图 6. 典型应用电路图 6-1. EG3013 典型应用电路图——中、小功率半桥驱动应用 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 5 / 12 逻辑输入驱动驱动HINLOGNDVccHOVSVB10K10KLIN脉冲滤波电平位移闭锁电路、死区时间电路10K10KVccVcc45167823逻辑输入20VccC1+15V0.1uFU1VccGNDLOVSHOEG301312345678HINVBLIN+VinC2HINLINQ1Q2C3C410nF10nF47uFOUTD11N4148D21N4148R1R2

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片图 6-2. EG3013 典型应用电路图——大功率电机场合应用图 6-3. EG3013 典型应用电路图——外接自举二极管应用 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 6 / 12 C1+15V0.1uFU1VccGNDLOVSHOEG301312345678HINVBLIN+VinC2HINLINQ1Q2C3C410nF10nF47uFOUTD11N4148D21N4148D3FR107R1R2R32C1+15V0.1uFU1VccGNDLOVSHOEG301312345678HINVBLIN+VinC2HINLINQ1Q2C3C410nF10nF47uFOUTD11N4148D21N4148R1R2D3FR107

屹晶微电子有限公司 EG3013 芯片数据手册 V1.1 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 7. 电气特性 7.1 极限参数无另外说明，在 TA=25℃条件下符号参数名称测试条件自举高端 VB 电源高端悬浮地端高端输出低端输出电源高通道逻辑信号输入电平低通道逻辑信号输入电平 VB VS HO LO VCC HIN LIN TA Tstr TL 环境温度储存温度焊接温度 - - - - - - - - - T=10S 最小 -0.3 -0.7 -0.3 -0.3 -0.3 -0.3 -0.3 -45 -65 - 最大 100 100 100 35 35 35 35 85 125 300 单位 V V V V V V V ℃ ℃ ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 2012 © 屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com 7 / 12

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