2009年四川大学半导体物理及器件基础考研真题.doc

发布时间：2023-11-17 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.07M 资料格式：doc 举报版权申诉

第1页 / 共3页

第2页 / 共3页

第3页 / 共3页

文本预览

2009 年四川大学半导体物理及器件基础考研真题 1.硅材料中的缺陷在禁带中引入两个分离能级。假设一为施主能级，能级位置在价带上方 0.25eV 处；一为受主能级，能级位置在价带上方 0.65eV 处。每一缺陷电荷是费米能级的函数。（20 分）（a）当费米能级从 Ev 到 Ec 变化时，画出每一种缺陷电荷密度的变化；（b）在重掺杂 n 型，重掺杂 p 型中，哪一种缺陷起作用？（c）无掺杂时确定费米能级位置，p 型，n 型或本征？ 2.试说明：（15 分）（a）如何测量得到迁移率和载流子浓度？（b）在非常高的电场下，半导体迁移率是否有意义？

3.可通过热探针实验测半导体导电类型。它包括两探针、连线和指示电流方向的电流计，其中一探针加热而另一探针保持室温。画出实验草图，解释热探针测试的工作原理。（15 分） 4.证明在流过 pn 结的电流中，利用 n 型和 P 型半导体龟阻率可求出电子电流和空穴电流之比。要求绘出载流子输运示意图。（20 分） 5.pn 结二极管中，耗尽和扩散电容之间的区别是什么？分别在什么条件下起主导作用？（20 分） 6.试分别绘出铝栅和多晶硅栅 MOS 系统的能带结构示意图。要求给出描述性解释，和做的假设条件。（20） 7.高频 C-V 特性图是表征 MOS 结构质量的最基本方式。（1）下列图中实线是理想情况下的 C-V 曲线。试分别讨论两条虚线的测试结果分别表明物理意义。（20 分）

（2）在实际的 MOS 结构的高频 C-V 测量时，常呈现“迟滞效应”，及电压信号来回扫描测量时，曲线不重合，如图所示。试解释其机理。（20 分）

分享到：

赞收藏

资料库

2009年四川大学半导体物理及器件基础考研真题.doc

相关推荐

考研

热门标签

最新资料