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PIC18F4431中文数据手册.pdf

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14位功率控制PWM模块:
运动反馈模块:
高速的200 Ksps 10位A/D转换器:
灵活的振荡器结构:
功耗管理模式:
外设特点:
特殊单片机特性:
引脚图
目录
1.0 器件综述
1.1 新的内核功能
1.1.1 纳瓦(nanoWATT)技术
1.1.2 多个振荡器选项和功能
1.2 其他特别功能
1.3 系列中各产品的具体情况
表1-1: 器件特性
图1-1: PIC18F2331/2431框图
图1-2: PIC18F4331/4431框图
表1-2: PIC18F2331/2431 引脚I/O说明
表1-3: PIC18F4331/4431引脚I/O说明
2.0 振荡器配置
2.1 振荡器类型
2.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器模式
图 2-1: 晶振/陶瓷谐振器工作原理 (XT、LP、HS或HSPLL 配置)
表 2-1: 陶瓷谐振器的电容选择
表 2-2: 晶体振荡器的电容选择
图 2-2: 外部时钟输入工作原理 (HS振荡器配置)
2.3 HSPLL
图 2-3: PLL框图
2.4 外部时钟输入
图 2-4: 外部时钟输入工作原理 (EC配置)
图 2-5: 外部时钟输入工作原理 (ECIO配置)
2.5 RC振荡器
图 2-6: RC振荡器模式
图 2-7: RCIO振荡器模式
2.6 内部振荡电路
2.6.1 INTIO模式
2.6.2 INTRC输出频率
2.6.3 OSCTUNE寄存器
寄存器2-1: OSCTUNE:振荡器调节寄存器
2.7 时钟源与振荡器切换
2.7.1 振荡器控制寄存器
图 2-8: PIC18F2331/2431/4331/4431框图
寄存器2-2: OSCCON寄存器
2.7.2 振荡器转换
2.8 功耗管理模式对各种时钟源的影响
2.9 上电延迟
表 2-3: 休眠模式下OSC1和OSC2引脚的状态
3.0 功耗管理模式
3.1 选择功耗管理模式
3.1.1 时钟源
表3-1: 功耗管理模式
3.1.2 进入功耗管理模式
3.1.3 多种休眠命令
3.1.4 运行和空闲模式之间的比较
表3-2: 功耗管理模式之间的比较
3.2 休眠模式
3.3 空闲模式
图3-1: 进入休眠模式的转换时序
图3-2: 从休眠模式唤醒的转换时序 (HSPLL)
3.3.1 PRI_IDLE模式
图3-3: 转换到PRI_IDLE模式的时序
图3-4: 从PRI_IDLE模式唤醒的转换时序
3.3.2 SEC_IDLE模式
图3-5: 进入SEC_IDLE模式的转换时序
图3-6: 从SEC_RUN模式唤醒的转换时序(HSPLL)
3.3.3 RC_IDLE模式
图3-7: 进入RC_IDLE模式的转换时序
图3-8: 从RC_RUN模式唤醒的转换时序(RC_RUN到PRI_RUN)
3.4 运行模式
3.4.1 PRI_RUN模式
3.4.2 SEC_RUN模式
图3-9: 进入SEC_RUN模式的转换时序
3.4.3 RC_RUN模式
图3-10: 进入RC_RUN模式的转换时序
3.4.4 退出到空闲模式
3.4.5 退出到休眠模式
3.5 从功耗管理模式唤醒
3.5.1 通过中断退出
表3-3: 从休眠模式或任何空闲模式唤醒时的行为和退出延迟(通过时钟源)
3.5.2 通过复位退出
3.5.3 通过WDT超时退出
3.5.4 在没有振荡器起振延迟的情况下退出
3.6 INTOSC 频率漂移
3.6.1 USART示例
3.6.2 定时器示例
3.6.3 捕捉模式的CCP示例
4.0 复位
图4-1: 片上复位电路的简化框图
4.1 上电复位(POR)
图4-2: 外部上电复位电路(针对 Vdd上升速率缓慢的情况)
4.2 上电延时定时器(PWRT)
4.3 振荡器起振定时器(OST)
4.4 PLL锁定延时
4.5 欠压复位(BOR)
4.6 延时时序
表4-1: 不同情况下的延时
寄存器4-1: RCON寄存器位和位置
表4-2: 状态位及其含义和RCON寄存器的初始化状态
表4-3: 所有寄存器的初始化状态
图4-3: 上电延时时序(MCLR连接到Vdd, Vdd上升时间< Tpwrt)
图4-4: 上电延时时序(MCLR未连接到Vdd):情形1
图4-5: 上电延时时序(MCLR未连接到Vdd):情形2
图4-6: 缓慢上升时序(MCLR连接到Vdd,Vdd上升时间> Tpwrt)
图4-7: 发生POR且PLL使能时的延时时序 (MCLR连接到Vdd)
5.0 存储器构成
图5-1: PIC18F2331/4331的程序存储器映射图和堆栈
5.1 程序存储器构成
图5-2: PIC18F2431/4431的程序存储器映射图和堆栈
5.2 返回地址堆栈
5.2.1 栈顶访问
5.2.2 返回堆栈指针(STKPTR)
图5-3: 返回地址堆栈和相关寄存器
寄存器5-1: STKPTR 寄存器
5.2.3 PUSH和POP指令
5.2.4 堆栈满/下溢复位
5.3 快速寄存器堆栈
例5-1: 快速寄存器堆栈代码示例
5.4 PCL、PCLATH和PCLATU
5.5 时序图/指令周期
5.6 指令流/流水线
图5-4: 时钟/ 指令周期
例5-2: 指令流水线流程
5.7 程序存储器中的指令
图5-5: 程序存储器中的指令
5.7.1 双字指令
例5-3: 双字指令
5.8 查找表
5.8.1 计算GOTO
例5-4: 计算GOTO使用偏移量
5.8.2 读表/写表
5.9 数据存储器构成
5.9.1 通用寄存器文件
图5-6: PIC18F2331/2431/4331/4431器件的数据存储器映射图
5.9.2 特殊功能寄存器
表5-1: PIC18F2331/2431/4331/4431器件的特殊功能寄存器映射图
表5-2: 寄存器文件综述(PIC18F2331/2431/4331/4431)
5.10 快速访问存储区
5.11 存储区选择寄存器(BSR)
图5-7: 直接寻址
5.12 间接寻址、INDF和FSR寄存器
例5-5: 如何使用间接寻址将RAM (存储区1)清零的方法
5.12.1 间接寻址操作
图5-8: 间接寻址操作
图5-9: 间接寻址
5.13 状态寄存器
寄存器5-2: 状态寄存器
5.14 RCON寄存器
寄存器5-3: RCON寄存器
6.0 闪存程序存储器
6.1 读表与写表
图 6-1:读表操作
图 6-2:写表操作
6.2 控制寄存器
6.2.1 EECON1和EECON2寄存器
寄存器6-1: EECON1寄存器
6.2.2 TABLAT――表锁存寄存器
6.2.3 TBLPTR――表指针寄存器
6.2.4 表指针范围
表6-1: 执行TBLRD和TBLWT指令的表指针操作
图6-3: 基于操作的表指针范围
6.3 读取闪存程序存储器
图6-4: 读取闪存程序存储器
例6-1: 读闪存程序存储器的一个字
6.4 擦除闪存程序存储器
6.4.1 闪存程序存储器擦除顺序
例6-2: 擦除闪存程序存储器的一行
6.5 写闪存程序存储器
图6-5: 对闪存程序存储器的写表操作
6.5.1 闪存程序存储器写顺序
例6-3: 写入闪存程序存储器
例6-3: 写入闪存程序存储器(续)
6.5.2 写校验
6.5.3 意外终止写操作
6.6 代码保护时的闪存程序存储器操作
表6-2: 与闪存程序存储器有关的寄存器
7.0 数据EEPROM存储器
7.1 EEADR
7.2 EECON1和EECON2寄存器
寄存器7-1: EECON1寄存器
7.3 读数据EEPROM存储器
7.4 写数据EEPROM存储器
7.5 写校验
7.6 误写保护
例7-1: 读数据EEPROM
例7-2: 写数据EEPROM
7.7 代码保护时的操作
7.8 使用数据EEPROM
例7-3: 数据EEPROM刷新程序
表7-1: 与数据EEPROM存储器相关的寄存器
8.0 8×8硬件乘法器
8.1 简介
表8-1: 性能对比
8.2 工作原理
例8-1: 8×8无符号乘法程序
例8-2: 8×8有符号乘法程序
公式8-1: 16×16无符号乘法算法
例8-3: 16×16无符号乘法程序
公式8-2: 16×16有符号乘法算法
例8-4: 16×16有符号乘法程序
9.0 中断
图9-1: 中断逻辑电路
9.1 INTCON寄存器
寄存器9-1: INTCON寄存器
寄存器9-2: INTCON2寄存器
寄存器9-3: INTCON3寄存器
9.2 PIR寄存器
寄存器9-4: PIR1:外设中断请求(标志)寄存器1
寄存器9-5: PIR2:外设中断请求(标志)寄存器2
寄存器9-6: PIR3:外设中断标志寄存器3
9.3 PIE寄存器
寄存器9-7: PIE1:外设中断使能寄存器1
寄存器9-8: PIE2:外设中断使能寄存器2
寄存器9-9: PIE3:外设中断使能寄存器3
9.4 IPR寄存器
寄存器9-10: IPR1:外设中断优先级寄存器1
寄存器9-11: IPR2:外设中断优先级寄存器2
寄存器9-12: IPR3:外设中断优先级寄存器3
9.5 RCON寄存器
寄存器9-13: RCON寄存器
9.6 INTn引脚中断
9.7 TMR0中断
9.8 PORTB电平变化中断
9.9 中断的现场保护
例9-1: 在RAM内保存Status、WREG和BSR寄存器
10.0 I/O端口
图10-1: 通用I/O端口工作原理
10.1 PORTA、TRISA和LATA寄存器
例10-1: 初始化PORTA
图10-2: RA0框图
图10-3: RA1框图
图10-4: RA3:RA2引脚框图
图10-5: RA4框图
图10-6: RA5框图
图10-7: RA6框图
图10-8: RA7框图
表10-1: PORTA功能
表10-2: 与PORTA相关的寄存器综述
10.2 PORTB、TRISB和LATB寄存器
例10-2: 初始化PORTB
图10-9: RB3:RB0引脚框图
图10-10: RB4框图
图10-11: RB5框图
图10-12: RB7:RB6引脚框图
表10-3: PORTB功能
表10-4: 与PORTB相关的寄存器综述
10.3 PORTC、TRISC和LATC寄存器
例10-3: 初始化PORTC
图10-13: RC0框图
图10-14: RC1框图
图10-15: RC2框图
图10-16: RC3框图
图10-17: RC4框图
图10-18: RC5框图
图10-19: RC6框图
图10-20: RC6框图
表10-5: PORTC功能
表10-6: 与PORTC相关的寄存器综述
10.4 PORTD、TRISD和LATD寄存器
例10-4: 初始化PORTD
图10-21: RD7:RD6引脚框图
图10-22: RD5框图
图10-23: RD4框图
图10-24: RD3框图
图10-25: RD2框图
图10-26: RD1框图
图10-27: RD0框图
表10-7: PORTD功能
表10-8: 与PORTD相关的寄存器综述
10.5 PORTE、TRISE和LATE寄存器
例10-5: 初始化PORTE
10.5.1 28引脚器件中的PORTE
图10-28: RE2:RE0框图
图10-29: RE3框图
寄存器10-1: TRISE 寄存器
表10-9: PORTE功能
表10-10: 与PORTE相关的寄存器综述
11.0 Timer0模块
寄存器11-1: T0CON:Timer0控制寄存器
图11-1: 8位模式下的Timer0框图
图11-2: 16位模式下的Timer0框图
11.1 Timer0工作原理
11.2 预分频器
11.2.1 预分频器分配的切换
11.3 Timer0中断
11.4 16位模式下的定时器读写
表11-1: 与Timer0相关的寄存器
12.0 Timer1模块
寄存器12-1: T1CON:Timer1控制寄存器
12.1 Timer1工作原理
图12-1: Timer1框图
图12-2: Timer1框图:16位读/写模式
12.2 Timer1振荡器
图12-3: TIMER1 LP振荡器的外接元件
表12-1: TIMER1振荡器的电容选择
12.3 Timer1振荡器设计注意事项
图12-4: 带有接地保护环的振荡电路
12.4 Timer1中断
12.5 使用CCP触发器输出复位Timer1
12.6 Timer1 16位读/写模式
12.7 使用Timer1作为实时时钟
例12-1: 使用Timer1中断服务程序实现实时时钟
表12-2: 与作为定时器/计数器的Timer1相关的寄存器
13.0 Timer2模块
13.1 Timer2工作原理
寄存器13-1: T2CON:Timer2控制寄存器
13.2 Timer2中断
13.3 TMR2的输出
图13-1: Timer2框图
表13-1: 与作为定时器/计数器的Timer2相关的寄存器
14.0 Timer5模块
寄存器14-1: T5CON:Timer5控制寄存器
图14-1: Timer5框图(16位读/写模式)
14.1 Timer5工作原理
14.1.1 连续计数和单脉冲运行
14.2 16位读/写和写模式
14.2.1 16位读―修改―写操作
14.3 Timer5预分频器
14.4 噪声滤波器
14.5 Timer5中断
14.6 Timer5特殊事件触发输出
14.7 Timer5特殊事件复位输入
14.7.1 IC1边沿唤醒
14.7.2 延迟操作事件触发
14.7.3 当Timer5递增时的特殊事件复位
14.8 休眠模式下运行
14.8.1 休眠模式下的中断检测
表14-1: 与Timer5相关的寄存器
15.0 捕捉/比较/PWM(CCP)模块
寄存器15-1: CCPxCON:CCP模块控制寄存器
15.1 CCP1模块
表15-1: CCP模块-定时器资源
15.2 CCP2模块
15.3 捕捉模式
15.3.1 CCP引脚配置
15.3.2 Timer1模式选择
15.3.3 软件中断
15.3.4 CCP 预分频器
例15-1: 在捕捉预分频值之间进行切换
图15-1: 捕捉模式操作框图
15.4 比较模式
15.4.1 CCP引脚配置
15.4.2 Timer1模式选择
15.4.3 软件中断模式
15.4.4 特殊事件触发器
图15-2: 比较模式操作框图
表15-2: 与捕捉、比较和Timer1相关的寄存器
15.5 PWM模式
图15-3: PWM的简化框图
图15-4: PWM 输出
15.5.1 PWM周期
公式15-1:
15.5.2 PWM占空比
公式15-2:
公式15-3:
15.5.3 设置PWM操作
表15-3: 40 MHz 时PWM频率和分辨率示例
表15-4: 与PWM和Timer2相关的寄存器
16.0 运动反馈模块
表16-1: 运动反馈模块功能概要
图16-1: 运动反馈模块框图
16.1 输入捕捉
图16-2: IC1输入捕捉框图
图16-3: IC2和IC3的输入捕捉框图
寄存器16-1: CAPxCON:输入捕捉控制寄存器
16.1.1 边沿捕捉模式
图16-4: 边沿捕捉模式时序
16.1.2 周期测量模式
16.1.3 脉宽测量模式
图16-5: 脉宽测量模式时序
16.1.4 状态变化时的输入捕捉
图16-6: 状态变化时的输入捕捉(霍尔效应传感器模式)
16.1.5 进入输入捕捉模式和捕捉时序
16.1.6 Timer5复位
16.1.7 IC中断
图16-7: CAPxIF中断和IC1特殊事件触发器
16.1.8 特殊事件触发(仅适用于CAP1)
表16-2: 特殊事件触发器
16.1.9 工作模式概要
16.1.10 其他工作模式
表16-3: 输入捕捉时基复位概要
16.2 正交编码器接口
图16-8: QEI框图
16.2.1 QEI配置
寄存器16-2: QEICON:正交编码器接口控制寄存器
16.2.2 QEI模式
表16-4: QEI模式
16.2.3 QEI工作原理
表16-5: 转动方向
16.2.4 QEI中断
16.2.5 QEI采样时序
图16-9: 当滤波器采样时(分频比=1:1)的QEI输入
图16-10: 周期匹配时的QEI模块复位时序
图16-11: 带索引输入的QEI模块复位时序
16.2.6 速度测量
表16-6: 速度脉冲
图16-12: 速度测量框图
图16-13: 速度测量时序(1)
16.3 噪声滤波器
寄存器16-3: DFLTCON:数字滤波器控制寄存器
图16-14: 滤波器时序图(时钟分频器=1:1)
16.4 IC和QEI共享中断
表16-7: IC和QEI中断标志位的含义
16.5 休眠模式下的操作
16.5.1 休眠模式下的3X输入捕捉
16.5.2 休眠模式下的QEI
表16-8: 与运动反馈模块相关的寄存器
17.0 功率控制PWM模块
图17-1: 功率控制PWM模块框图
图17-2: PWM模块框图,一个输出对,互补模式
图17-3: PWM模块框图,一个输出对,独立模式
17.1 控制寄存器
17.2 模块功能
17.3 PWM时基
图17-4: PWM时基框图
寄存器17-1: PTCON0:PWM定时器控制寄存器0
寄存器17-2: PTCON1:PWM定时器控制寄存器1
寄存器17-3: PWMCON0:PWM控制寄存器0
寄存器17-4: PWMCON1:PWM控制寄存器1
17.3.1 自由运行模式
17.3.2 单步模式
17.3.3 连续上/下计数模式
17.3.4 PWM时基预分频器
表17-1: 最小PWM频率
17.3.5 PWM时基后分频器
17.4 PWM时基中断
17.4.1 自由运行模式下的中断
图17-5: 自由运行模式下PWM时基中断时序
17.4.2 单步模式下的中断
17.4.3 连续上/下计数模式下的中断
图17-6: 单步模式下PWM时基中断时序
图17-7: 上/下计数模式下PWM时基中断
17.4.4 双更新模式下的中断
图17-8: 带双更新的上/下计数模式下的PWM时基中断
17.5 PWM周期
公式17-1: 自由运行模式的PWM周期
公式17-2: 上/下计数模式的PWM周 期
公式17-3: PWM分辨率
表17-2: PWM频率和分辨率示例
图17-9: 自由运行计数模式下的PWM周期缓冲器更新
图17-10: 上/下计数模式下PWM周期缓冲器更新
17.6 PWM占空比
17.6.1 PWM占空比寄存器
图17-11: 占空比比较
17.6.2 占空比寄存器缓冲器
17.6.3 边沿对齐的PWM
图17-12: 边沿对齐的PWM
图17-13: 上/下计数模式中占空比的更新时序
图17-14: 双更新的上/下计数模式中占空比的更新时序
17.6.4 中心对齐PWM
图17-15: 启动中心对齐的PWM
17.6.5 互补PWM运行
图17-16: 互补PWM输出的典型负载
17.7 死区发生器
17.7.1 死区插入
图17-17: PWM输出对的死区控制单元框图
图17-18: 互补PWM的死区插入
寄存器17-5: DTCON:死区控制寄存器
17.7.2 死区范围
17.7.3 递减死区计数器
表17-3: 死区范围示例
17.7.4 死区失真
17.8 独立PWM输出
17.8.1 独立模式下的占空比分配
17.8.2 PWM通道改写
图17-19: 中心连接负载
17.9 单脉冲PWM工作模式
17.10 PWM输出改写
17.10.1 互补输出模式
17.10.2 改写同步
图17-20: 互补模式下改写位
17.10.3 输出改写示例
寄存器17-6: OVDCOND:输出改写控制寄存器
寄存器17-7: OVDCONS:输出状态寄存器
图17-21: PWM输出改写示例 1
表17-4: PWM输出改写示例 1
表17-5: PWM输出改写示例 2
图17-22: PWM输出改写示例2
17.11 PWM输出与极性控制
17.11.1 输出引脚控制
图17-23: PWM I/O引脚框图
17.11.2 输出极性控制
17.11.3 PWM输出引脚复位状态
17.12 PWM故障输入
17.12.1 故障引脚使能位
17.12.2 故障输入模式
17.12.3 故障状态下的PWM输出
17.12.4 调试模式下的PWM输出
寄存器17-8: FLTCONFIG:故障配置寄存器
17.13 PWM更新锁定
17.14 PWM特殊事件触发器
17.14.1 特殊事件触发器使能
17.14.2 特殊事件触发器后分频器
表17-6: 与功率控制PWM模块相关的寄存器
18.0 同步串行端口(SSP)模块
18.1 SSP模块概述
18.2 SPI模式
寄存器18-1: SSPSTAT:同步串行端口状态寄存器(地址94h)
寄存器18-2: SSPCON:同步串行端口控制寄存器(地址14h)
图18-1: SSP框图(SPI 模式)
图18-2: SPI模式时序,主控模式
图18-3: SPI模式时序(从动模式,CKE = 0)
图18-4: SPI模式时序(从动模式,CKE = 1)
表18-1: 与SPI工作模式相关的寄存器
18.3 SSP I2C工作原理
图18-5: SSP框图(I2C模式)
18.3.1 从动模式
表18-2: 数据传输已接收字节操作
图18-6: I2C接收波形(7位地址)
图18-7: I2C发送波形(7位地址)
18.3.2 主控模式
18.3.3 多主模式
表18-3: 与I2C工作模式相关的寄存器
19.0 增强型通用同步/异步收发器
19.1 功耗管理模式下的异步工作原理
寄存器19-1: TXSTA:发送状态和控制寄存器
寄存器19-2: RCSTA:接收状态和控制寄存器
寄存器19-3: BAUDCTL:波特率控制寄存器
19.2 USART波特率发生器(BRG)
19.2.1 功耗管理模式工作原理
19.2.2 采样
表19-1: 波特率计算公式
例19-1: 计算波特率误差
表19-2: 与波特率发生器相关的寄存器
表19-3: 异步模式波特率
19.2.3 自动波特率检测
表19-4: BRG计数器时钟频率
图19-1: 自动波特率计算
19.3 USART异步模式
19.3.1 USART异步发送器
图19-2: USART发送框图
图19-3: 异步发送
图19-4: 异步发送(背靠背方式)
表19-5: 与异步发送相关的寄存器
19.3.2 USART异步接收器
19.3.3 建立带地址检测的9位模式
图19-5: USART接收框图
图19-6: 异步接收
表19-6: 与异步接收相关的寄存器
19.3.4 接收到同步间隔字符时自动唤醒
图19-7: 正常工作模式下的自动唤醒位(WUE)时序
图19-8: 休眠模式下的自动唤醒位(WUE)时序
19.3.5 间隔字符序列
19.3.6 接收间隔字符
图19-9: 发送间隔字符序列
19.4 USART同步主控模式
19.4.1 USART同步主控发送模式
图19-10: 同步发送
图19-11: 同步发送(通过TXEN)
表19-7: 与同步主控发送模式相关的寄存器
19.4.2 USART同步主控接收模式
图19-12: 同步接收(主控模式,SREN)
表19-8: 与同步主控接收模式相关的寄存器
19.5 USART同步从动模式
19.5.1 USART同步从动发送模式
表19-9: 与同步从动发送模式相关的寄存器
19.5.2 USART同步从动接收模式
表19-10: 与同步从动接收模式相关的寄存器
20.0 10位高速模数转换器(A/D)模 块
寄存器20-1: ADCON0:A/D控制寄存器0
寄存器20-2: ADCON1:A/D控制寄存器1
寄存器20-3: ADCON2:A/D控制寄存器2
寄存器20-4: ADCON3:A/D控制寄存器3
寄存器20-5: ADCHS:A/D通道选择寄存器
寄存器20-6: ANSEL0:模拟选择寄存器0(1)
寄存器20-7: ANSEL1:模拟选择寄存器1(1)
图20-1: A/D框图
20.1 配置A/D转换器
表20-1: 自动转换顺序配置
20.1.1 转换类型
20.1.2 转换模式
20.1.3 转换顺序
20.1.4 触发A/D转换
20.1.5 A/D模块初始化步骤
20.2 A/D结果缓冲器
20.3 A/D采集时间要求
公式20-1: 采集时间
公式20-2: 最小A/D保持电容充电时间
例20-1: 计算必需的最小采集时间
图20-2: 模拟输入模型
20.4 A/D参考电压
20.5 选择和配置自动采集时间
20.6 选择A/D转换时钟
表20-2: Tad 与器件工作频率
20.7 功耗管理模式下的工作原理
20.8 配置模拟端口引脚
20.9 A/D转换
图20-3: A/D转换Tad周期(ACQT<2:0> = 000,TACQ = 0)
图20-4: A/D转换Tad周期(ACQT<3:0> = 0010,TACQ = 4 TAD)
20.9.1 A/D结果寄存器
图20-5: A/D转换结果对齐
公式20-3: 多通道模式的转换时间
表20-3: A/D寄存器综述
21.0 低压检测
图21-1: 典型低压检测应用
图21-2: 低压检测(LVD)框图
图21-3: 带有外部输入的低压检测(LVD)框图
21.1 控制寄存器
寄存器21-1: LVDCON 寄存器
21.2 工作原理
图21-4: 低压检测波形
21.2.1 参考电压设置点
21.2.2 电流消耗
21.3 在休眠模式下工作
21.4 复位的影响
22.0 CPU的特殊功能
22.1 配置位
表22-1: 配置位和器件ID
寄存器22-1: CONFIG1H:配置寄存器1高字节(字节地址300001h)
寄存器22-2: CONFIG2L:配置寄存器2低字节(字节地址300002h)
寄存器22-3: CONFIG2H:配置寄存器2高字节(字节地址300003h)
寄存器22-4: CONFIG3L:配置寄存器3低字节(字节地址300004h)
寄存器22-5: CONFIG3H:配置寄存器3高字节(字节地址300005h)
寄存器22-6: CONFIG4L:配置寄存器4低字节(字节地址300006h)
寄存器22-7: CONFIG5L:配置寄存器5低字节(字节地址300008h)
寄存器22-8: CONFIG5H:配置寄存器5高字节(字节地址300009h)
寄存器22-9: CONFIG6L:配置寄存器6低字节(字节地址30000Ah)
寄存器22-10: CONFIG6H:配置寄存器6高字节(字节地址30000Bh)
寄存器22-11: CONFIG7L:配置寄存器7低字节(字节地址30000Ch)
寄存器22-12: CONFIG7H:配置寄存器7高字节(字节地址30000Dh)
寄存器22-13: PIC18F2331/2431/4331/4431器件的器件ID寄存器1
寄存器22-14: PIC18F2331/2431/4331/4431器件的器件ID寄存器2
22.2 看门狗定时器(WDT)
22.2.1 控制寄存器
图22-1: WDT框图
寄存器22-15: WDTCON寄存器
表22-2: 看门狗定时器的寄存器汇总
22.3 双速起振
22.3.1 使用双速起振的特别注意事项
图22-2: 双速起振的转换时序(从INTOSC到HSPLL)
22.4 故障保护时钟监视器
图22-3: FSCM框图
22.4.1 FSCM和看门狗定时器
22.4.2 退出故障安全运行
图22-4: FSCM时序图
22.4.3 功耗管理模式下的FSCM中断
22.4.4 上电复位或从休眠中唤醒
22.5 程序校验和代码保护
图22-5: PIC18F2331/2431/4331/4431的受代码保护的程序存储器
表22-3: 代码保护寄存器汇总
22.5.1 程序存储器代码保护
图22-6: 禁止写表操作(WRTn)
图22-7: 禁止外部存储块读表操作(EBTRn)
图22-8: 允许外部存储块读表操作(EBTRn)
22.5.2 数据EEPROM代码保护
22.5.3 配置寄存器保护
22.6 ID单元
22.7 在线串行编程
22.8 在线调试器
表22-4: 调试器资源
22.9 低压ICSP编程
23.0 指令集综述
23.1 读-修改-写操作指令
表23-1: 操作码字段描述
图23-1: 指令的通用格式
表23-2: PIC18FXXX指令集
23.2 指令集
24.0 开发支持
24.1 MPLAB集成开发环境软件
24.2 MPASM 汇编器
24.3 MPLAB C18和MPLAB C30 C编译器
24.4 MPLINK目标链接器/ MPLIB目标库管理器
24.5 MPLAB ASM30汇编器、 链接器和库管理器
24.6 MPLAB SIM软件模拟器
24.7 MPLAB ICE 2000高性能在线仿真器
24.8 MPLAB ICE 4000高性能在线仿真器
24.9 MPLAB ICD 2在线调试器
24.10 MPLAB PM3器件编程器
24.11 PICSTART Plus开发编程器
24.12 演示、开发和评估板
25.0 电气特性
绝对最大额定值
图25-1: PIC18F2331/2431/4331/4431电压-频率关系图(工业级)
图25-2: PIC18LF2331/2431/4331/4431电压-频率关系图(工业级)
25.1 DC 特性: 电源电压 PIC18F2331/2431/4331/4431(工业级,扩展级) PIC18LF2331/2431/4331/4431 (工业级)
25.2 DC特性: 掉电电流和供电电流 PIC18F2331/2431/4331/4431(工业级,扩展级) PIC18LF2331/2431/4331/4431 (工业级)
25.3 DC 特性 PIC18F2331/2431/4331/4431(工业级) PIC18LF2331/2431/4331/4431 (工业级)
表25-1: 存储器编程要求
图25-3: 低压检测特性
表25-2: 低压检测特性
25.4 AC(时序)特性
25.4.1 时序参数符号
25.4.2 时序条件
表25-3: 温度和电压规范 ― 交流
图25-4: 器件时序规范的负载条件
25.4.3 时序图和规范
图25-5: 外部时钟时序(除PLL之外的所有模式)
表25-4: 外部时钟时序要求
表25-5: PLL时钟时序规范(Vdd = 4.2V到5.5V)
表 25-6: 内部 RC精度 PIC18F2331/2431/4331/4431(工业级) PIC18LF2331/2431/4331/4431(工业级)
图25-6: CLKO和I/O时序
表25-7: CLKO和I/O时序要求
图25-7: 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器和上电延时定时器时序
图25-8: 欠压复位时序
表25-8: 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器、上电延时定时器和欠压复位要求
图25-9: Timer0和Timer1外部时钟时序
表25-9: Timer0和Timer1外部时钟要求
图25-10: 捕捉/比较/PWM时序(所有CCP模块)
表25-10: 捕捉/比较/PWM时序(所有CCP模块)
图25-11: SPI主控模式时序示例(CKE = 0)
表25-11: SPI模式要求示例(主控模式,CKE = 0)
图25-12: SPI主控模式时序示例(CKE = 1)
表25-12: SPI模式要求示例(主控模式,CKE = 1)
图25-13: SPI从动模式时序示例(CKE = 0)
表25-13: SPI模式要求示例(从动模式,CKE = 0)
图25-14: SPI从动模式时序示例(CKE = 1)
表25-14: SPI从动模式要求示例(CKE = 1)
图25-15: I2C总线启动/停止位时序
表25-15: I2C总线启动/停止位要求(从动模式)
图25-16: I2C总线数据时序
表25-16: I2C总线数据要求(从动模式)
图25-17: SSP I2C总线启动/停止位时序波形
表25-17: SSP I2C总线启动/停止位要求
图25-18: SSP I2C总线数据时序
表25-18: SSP I2C总线数据要求
图25-19: USART同步发送(主控/从动)时序
表25-19: USART同步发送要求
图25-20: USART同步接收(主控/从动)时序
表25-20: USART同步接收要求
表25-21: A/D转换器特性:PIC18F2331/2431/4331/4431(工业级) PIC18LF2331/2431/4331/4431 (工业级)
26.0 直流和交流特性图表初稿
27.0 封装信息
27.1 封装标识信息
27.2 封装详细信息
28引脚塑料窄条双列直插式封装(SP)――300 mil(PDIP)
28引脚塑料小型封装(SO)――宽条,300 mil(SOIC)
40引脚塑料双列直插式封装(P)――600 mil(PDIP)
44引脚塑料薄型四方扁平封装(PT)――主体10x10x1 mm,引脚形式1.0/0.10 mm(TQFP)
44引脚塑料四方扁平无引线封装(ML)――主体8x8 mm(QFN)
附录A: 版本历史
版本 A(2003年7月)
版本 B(2003年12月)
附录B: 器件比较
附录C: 转换注意事项
附录D: 从低档器件移植到增强型器件
附录E: 从中档器件移植到增强型器件
附录F: 从高档器件移植到增强型器件
索引
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PIC18F2331/2431/4331/4431 数据手册 采用纳瓦技术、高性能 PWM 和 A/D 的 28/40/44 引脚增强型闪存单片机  2005 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39616B_CN
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点: • Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。 • Microchip 确信:在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。 • 目前,仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知,所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操 作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。 • • Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “牢不可破”的。 代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视 为违反了《数字器件千年版权法案(Digital Millennium Copyright Act)》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下,能访问您的软 件或其他受版权保护的成果,您有权依据该法案提起诉讼,从而制止这种行为。 提 供 本 文 档 的 中 文 版 本 仅 为 了 便 于 理 解。 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司、各级主管与员工及 事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任。 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档。 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便 利,它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任。Microchip 对这些信息不作任何明示或 暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保,包括但不 限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用 性的声明或担保。 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而 引起的后果不承担任何责任。未经 Microchip 书面批准,不得 将 Microchip 的 产 品用 作 生命 维 持系 统 中的 关 键组 件。在 Microchip 知识产权保护下,不得暗中或以其他方式转让任何 许可证。 商标 Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 Accuron、 dsPIC、 KEELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、 PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国 家或地区的注册商标。 AmpLab、 FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 PICMASTER、 SEEVAL、 SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标。 Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、 ICSP、 ICEPIC、 Linear Active Thermistor、 MPASM、 MPLIB、 MPLINK、 MPSIM、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、 PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、 Total Endurance 和 WiperLock 均为 Microchip Technology Inc. 在 美国和其他国家或地区的商标。 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。 © 2005, Microchip Technology Inc. 版权所有。 Microchip 位于美国亚利桑那州Chandler 和Tempe 及位于加利福尼亚 州Mountain View 的全球总部、设计中心和晶圆生产厂均于2003 年10 月通过了ISO/TS-16949:2002 质量体系认证。公司在PICmicro® 8 位 单片机、KEELOQ® 跳码器件、串行EEPROM、单片机外设、非易失性 存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合ISO/TS-16949:2002。 此外,Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证。 DS39616B_CN 第 ii 页 初稿  2005 Microchip Technology Inc.
PIC18F2331/2431/4331/4431 采用纳瓦技术、高性能 PWM 和 A/D 的 28/40/44 引脚增强型闪存单片机 14 位功率控制 PWM 模块: • 多达 4 个具有互补输出的通道 • 边沿或中心对齐的操作 • 灵活的死区发生器 • 硬件故障保护输入 • 占空比和周期同步更新 - 灵活的特殊事件触发器输出 运动反馈模块: • 三个独立的输入捕捉通道: - 灵活的周期和脉冲宽度测量操作模式 - 特殊霍尔传感器接口模块 - 输出到其他模块的特殊事件触发器 • 正交编码器接口: - 来自编码器的 2 相输入和一个索引输入 - 带方向状态和方向变化中断的高低位置追踪 - 速率测量 高速的 200 Ksps 10 位 A/D 转换器: • 多达 9 个通道 • 两个通道同步采样 • 连续采样:1、 2 或 4 个选定通道 • 自动转换能力 • 带可选中断频率的 4 字 FIFO • 可选的外部转换触发器 • 可编程的采集时间 灵活的振荡器结构: • 4 种晶振模式,频率高达 40 MHz • 两个外部时钟模式,频率高达 40 MHz • 内部振荡电路: - 8 个用户可选频率:从 31 kHz 到 8 MHz - OSCTUNE 可以对频率漂移进行补偿 • 辅助振荡器使用 Timer1 (32 kHz 时) • 故障保护时钟监视器: - 如果时钟发生故障,允许器件安全关断 功耗管理模式: • 运行 CPU 打开,外设打开 • 空闲 CPU 关闭,外设打开 • 休眠 CPU 关闭,外设关闭 • 通常空闲模式电流降至 5.8 µA • 通常休眠模式电流降至 0.1 µA • Timer1 振荡器典型参数为 1.8 µA、 32 kHz、 2V • 看门狗定时器 (WDT),典型值为 2.1 µA • 双速振荡器起振 外设特点: • 灌电流 / 拉电流峰值 25 mA/25 mA • 三个外部中断 • 两个捕捉 / 比较 /PWM (CCP)模块: - 捕捉为 16 位,最大分辨率为 6.25 ns (TCY/16) - 比较为 16 位,最大分辨率为 100 ns (TCY) - PWM 输出:PWM 分辨率为 1 到 10 位 • 增强型 USART 模块: - 支持 RS-485、 RS-232 和 LIN 1.2 - 启动位自动唤醒 - 自动波特率检测 • 使用内部振荡电路的 RS-232 工作模式 (无需外部晶振) 特殊单片机特性: • 可进行 100,000 次擦写操作的增强型闪存程序存 储器 (典型值) • 可进行 1,000,000 次擦写操作的数据 EEPROM 存储器 (典型值) • 闪存 / 数据 EEPROM 保存时间:100 年 • 可在软件控制下自行编程 • 中断有优先级 • 8 X 8 单周期硬件乘法器 • 扩展的看门狗定时器 (WDT): - 具有 41 ms 到 131s 的可编程周期 • 通过两个引脚进行单电源供电在线串行编程 (In- Circuit Serial Programming™, ICSP™) • 通过两个引脚在线调试 (In-Circuit Debug, ICD) - 调试时安全驱动 PWM 输出 程序存储器 数据存储器 器件 闪存 (字节) PIC18F2331 PIC18F2431 PIC18F4331 PIC18F4431 8192 16384 8192 16384 单字 指令数 4096 8192 4096 8192 SRAM (字节) EEPROM (字节) 768 768 768 768 256 256 256 256 10 位 A/D (通道) CCP 5 5 9 9 2 2 2 2 I/O 24 24 36 36 SSP SPI 从动 I2C™ Y Y Y Y Y Y Y Y 交 EUSART 正 器 14 位 PWM 码 编 (通道) 定时器 8/16 位 Y Y Y Y Y Y Y Y 6 6 8 8 1/3 1/3 1/3 1/3  2005 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39616B_CN 第 1 页
PIC18F2331/2431/4331/4431 引脚图 28 引脚 SDIP 和 SOIC MCLR/VPP/RE3 RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2/VREF-/CAP1/INDX RA3/AN3/VREF+/CAP2/QEA RA4/AN4/CAP3/QEB AVDD AVSS OSC1/CLKI/RA7 OSC2/CLKO/RA6 RC0/T1OSO/T1CKI RC1/T1OSI/CCP2/FLTA RC2/CCP1/FLTB RC3/T0CKI/T5CKI/INT0 • 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 3 4 2 / 1 3 3 2 F 8 1 C P I 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 RB7/KBI3/PGD RB6/KBI2/PGC RB5/KBI1/PWM4/PGM(1) RB4/KBI0/PWM5 RB3/PWM3 RB2/PWM2 RB1/PWM1 RB0/PWM0 VDD VSS RC7/RX/DT/SDO RC6/TX/CK/SS RC5/INT2/SCK/SCL RC4/INT1/SDI/SDA 注 1: 必须使能低电压编程。 40 引脚 PDIP MCLR/VPP/RE3 RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2/VREF-/CAP1/INDX RA3/AN3/VREF+/CAP2/QEA RA4/AN4/CAP3/QEB RA5/AN5/LVDIN RE0/AN6 RE1/AN7 RE2/AN8 AVDD AVSS OSC1/CLKI/RA7 OSC2/CLKO/RA6 RC0/T1OSO/T1CKI RC1/T1OSI/CCP2/FLTA RC2/CCP1/FLTB RC3/T0CKI(1)/T5CKI(1)/INT0 RD0/T0CKI/T5CKI RD1/SDO 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 / 1 3 4 4 1 3 3 4 F 8 1 C P I 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 RB7/KBI3/PGD RB6/KBI2/PGC RB5/KBI1/PWM4/PGM(2) RB4/KBI0/PWM5 RB3/PWM3 RB2/PWM2 RB1/PWM1 RB0/PWM0 VDD VSS RD7/PWM7 RD6/PWM6 RD5/PWM4(4) RD4/FLTA(3) RC7/RX/DT/SDO(1) RC6/TX/CK/SS RC5/INT2/SCK(1)/SCL(1) RC4/INT1/SDI(1)/SDA(1) RD3/SCK/SCL RD2/SDI/SDA 注 1: RC3 与 T0CKI/T5CKI 复用一个引脚; RC4 与 SDI/SDA 复用一个引脚; RC5 与 SCK/SCL 复用一个引脚。 2: 必须使能低电压编程。 3: RD4 与 FLTA 复用一个引脚。 4: RD5 与 PWM4 复用一个引脚。 DS39616B_CN 第2 页 初稿  2005 Microchip Technology Inc.
引脚图 (续) 44 引脚 TQFP RC7/RX/DT/SDO(1) RD4/FLTA(3) RD5/PWM4(4) RD6/PWM6 RD7/PWM7 VSS VDD RB0/PWM0 RB1/PWM1 RB2/PWM2 RB3/PWM3 PIC18F2331/2431/4331/4431 0 T N I / ) 1 ( I K C 5 T / ) 1 ( I I K C 5 T / I / L C S K C S 3 D R / A D S / I / D S 2 D R K C 0 T 0 D R K C 0 T 3 C R / / O D S 1 D R / ) 1 ( L C S ) 1 ( A D S / / ) 1 ( ) 1 ( K C S 2 T N / I / D S 1 T N I / I / 5 C R 4 C R / / S S K C X T 6 C R / / A T L F 2 P C C / I S O 1 T 1 C R / / B T L F 1 P C C 2 C R / C N 4 4 3 4 2 4 1 4 0 4 9 3 8 3 7 3 6 3 5 3 4 3 PIC18F4331 PIC18F4431 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 NC RC0/T1OSO/T1CKI OSC2/CLKO/RA6 OSC1/CLKI/RA7 AVSS AVDD RE2/AN8 RE1/AN7 RE0/AN6 RA5/AN5/LVDIN RA4/AN4/CAP3/QEB 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 1 0 2 1 2 2 2 0 N A / 0 A R 1 N A / 1 A R C G P / 2 I B K / 6 B R D G P / 3 I B K / 7 B R 3 E R / P P V R L C M / C N C N 5 M W P / 0 I B K / 4 B R ) 2 ( M G P / 4 M W P / 1 I B K / 5 B R X D N I / 1 P A C / - F E R V / 2 N A / 2 A R / A E Q / 2 P A C + F E R V / 3 N A / 3 A R 注 1: RC3 与 T0CKI/T5CKI 复用一个引脚; RC4 与 SDI/SDA 复用一个引脚; RC5 与 SCK/SCL 复用一个引脚。 2: 必须使能低电压编程。 3: RD4 与 FLTA 复用一个引脚。 4: RD5 与 PWM4 复用一个引脚。  2005 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39616B_CN 第3 页
PIC18F2331/2431/4331/4431 引脚图 (续) 44 引脚 QFN 0 T N I / ) 1 ( I K C 5 T / ) 1 ( I I K C 5 T / I / L C S K C S 3 D R / A D S / I / D S 2 D R K C 0 T 0 D R K C 0 T 3 C R / / O D S 1 D R / ) 1 ( L C S ) 1 ( A D S / / ) 1 ( ) 1 ( K C S 2 T N / I / D S 1 T N I / I / 5 C R 4 C R / / S S K C X T 6 C R / / A T L F 2 P C C / I S O 1 T 1 C R / I / K C 1 T O S O 1 T 0 C R / / B T L F 1 P C C 2 C R / RC7/RX/DT/SDO(1) RD4/FLTA(3) RD5/PWM4(4) RD6/PWM6 RD7/PWM7 VSS VDD AVDD RB0/PWM0 RB1/PWM1 RB2/PWM2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 1 0 2 1 2 2 2 4 4 3 4 2 4 1 4 0 4 9 3 8 3 7 3 6 3 5 3 4 3 PIC18F4331 PIC18F4431 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 OSC2/CLKO/RA6 OSC1/CLKI/RA7 VSS AVSS AVDD VDD RE2/AN8 RE1/AN7 RE0/AN6 RA5/AN5/LVDIN RA4/AN4/CAP3/QEB 0 N A / 0 A R 1 N A / 1 A R C G P / 2 I B K / 6 B R D G P / 3 I B K / 7 B R 3 E R / P P V R L C M / C N 3 M W P / 3 B R 5 M W P / 0 I B K / 4 B R ) 2 ( M G P / 4 M W P / 1 I B K / 5 B R X D N I / 1 P A C / - F E R V / 2 N A / 2 A R / A E Q / 2 P A C + F E R V / 3 N A / 3 A R 注 1: RC3 与 T0CKI/T5CKI 复用一个引脚; RC4 与 SDI/SDA 复用一个引脚; RC5 与 SCK/SCL 复用一个引脚。 2: 必须使能低电压编程。 3: RD4 与 FLTA 复用一个引脚。 4: RD5 与 PWM4 复用一个引脚。 DS39616B_CN 第4 页 初稿  2005 Microchip Technology Inc.
PIC18F2331/2431/4331/4431 目录 1.0 器件综述....................................................................................................................................................................................... 7 2.0 振荡器配置 ................................................................................................................................................................................. 21 3.0 功耗管理模式.............................................................................................................................................................................. 31 4.0 复位 ............................................................................................................................................................................................ 45 5.0 存储器构成 ................................................................................................................................................................................. 57 6.0 闪存程序存储器 .......................................................................................................................................................................... 75 7.0 数据 EEPROM 存储器 ................................................................................................................................................................ 85 8.0 8 × 8 硬件乘法器 ....................................................................................................................................................................... 89 9.0 中断 ............................................................................................................................................................................................ 91 10.0 I/O 端口 .................................................................................................................................................................................... 107 11.0 Timer0 模块 .............................................................................................................................................................................. 133 12.0 Timer1 模块 .............................................................................................................................................................................. 137 13.0 Timer2 模块 .............................................................................................................................................................................. 143 14.0 Timer5 模块 .............................................................................................................................................................................. 145 15.0 捕捉 / 比较 /PWM (CCP)模块............................................................................................................................................... 151 16.0 运动反馈模块............................................................................................................................................................................ 159 17.0 功率控制 PWM 模块 ................................................................................................................................................................. 181 18.0 同步串行端口 (SSP)模块 ..................................................................................................................................................... 211 19.0 增强型通用同步/异步收发器................................................................................................................................................... 221 20.0 10 位高速模数转换器 (A/D)模块 .......................................................................................................................................... 243 21.0 低压检测................................................................................................................................................................................... 261 22.0 CPU 的特殊功能....................................................................................................................................................................... 267 23.0 指令集综述 ............................................................................................................................................................................... 287 24.0 开发支持................................................................................................................................................................................... 331 25.0 电气特性................................................................................................................................................................................... 337 26.0 直流和交流特性图表初稿.......................................................................................................................................................... 371 27.0 封装信息................................................................................................................................................................................... 373 附录 A: 版本历史 ........................................................................................................................................................................ 379 附录 B: 器件比较 ........................................................................................................................................................................ 379 附录 C: 转换注意事项 ................................................................................................................................................................. 380 附录 D: 从低档器件移植到增强型器件 ........................................................................................................................................ 380 附录 E: 从中档器件移植到增强型器件 ........................................................................................................................................ 381 附录 F: 从高档器件移植到增强型器件 ........................................................................................................................................ 381 索引.................................................................................................................................................................................................... 383 Microchip 网站.................................................................................................................................................................................... 391 变更通知客户服务 .............................................................................................................................................................................. 391 客户支持............................................................................................................................................................................................. 391 读者反馈表 ......................................................................................................................................................................................... 392 产品标识体系 .................................................................................................................................................................................... 393  2005 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39616B_CN 第5 页
PIC18F2331/2431/4331/4431 致 客 户 我们旨在提供最佳文档供客户正确使用 Microchip 产品。 为此,我们将不断改进出版物的内容和质量,使之更好地满足您的要求。 出版物的质量将随新文档及更新版本的推出而得到提升。 如果您对本出版物有任何问题和建议,请通过电子邮件联系我公司 TRC 经理,电子邮件地址为 CTRC@microchip.com,或将本 数据手册后附的 《读者反馈表》传真到 86-21-5407 5066。我们期待您的反馈。 最新数据手册 欲获得本数据手册的最新版本,请查询我公司的网站: http://www.microchip.com 查看数据手册中任意一页下边角处的文献编号即可确定其版本。文献编号中数字串后的字母是版本号,例如:DS30000A是DS30000 的 A 版本。 勘误表 现有器件可能带有一份勘误表,描述了实际运行与数据手册中记载内容之间存在的细微差异以及建议的变通方法。一旦我们了解到 器件 / 文档存在某些差异时,就会发布勘误表。勘误表上将注明其所适用的硅片版本和文件版本。 欲了解某一器件是否存在勘误表,请通过以下方式之一查询: • Microchip 网站 http://www.microchip.com • 当地 Microchip 销售办事处 (见最后一页) 在联络销售办事处时,请说明您所使用的器件型号、硅片版本和数据手册版本 (包括文献编号)。 客户通知系统 欲及时获知 Microchip 产品的最新信息,请到我公司网站 www.microchip.com 上注册。 DS39616B_CN 第6 页 初稿  2005 Microchip Technology Inc.
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