第二讲-Silvaco-TCAD-工艺仿真.pdf

发布时间：2022-06-09 发布人：admin 分类：说明书资料大小：3.46M 资料格式：pdf 举报版权申诉

第1页 / 共126页

第2页 / 共126页

第3页 / 共126页

第4页 / 共126页

第5页 / 共126页

第6页 / 共126页

第7页 / 共126页

第8页 / 共126页

光电子器件综合设计 -------工艺仿真

主要内容 • 网格定义 • 初始化 • 离子注入 • 扩散 • 刻蚀 • 淀积 • 氧化 • 外延 • 抛光 • 光刻

• 工艺仿真模块 ATHENA工艺仿真软件 SSuprem4二维硅工艺仿真器 MC蒙托卡诺注入仿真器 DeckBuild 集成环境硅化物模块的功能淀积和刻蚀仿真器蒙托卡诺沉积刻蚀仿真器先进的闪存材料工艺仿真器光电印刷仿真器

所有关键制造步骤的快速精确的模拟，包括 CMOS，bipolar，SiGe，SOI，III-V，光电子学以及功率器件技术 精确预测器件结构中的几何结构，掺杂剂量分配，和应力 有助于IDMs，芯片生产厂商以及设计公司优化半导体工艺，达到速度、产量、击穿、泄漏电流和可靠性的最佳结合

分析和优化标准的和最新的隔离流程，包括 LOCOS，SWAMI，以及深窄沟的隔离 在器件制造的不同阶段分析先进的离子注入方法——超浅结注入，高角度注入和为深阱构成的高能量注入 支持多层次杂质扩散，以精确预测衬底与邻近材料表面的杂质行为

• 考虑多重扩散影响，包括瞬态增强的扩散，氧化/硅化加强的扩散，瞬态激活作用，点缺陷和簇群构造以及材料界面的再结合，杂质分离，和传输 • 精确地对几何刻蚀和共形淀积，以及个别结构和网格处理技术建模，用以允许进行多器件几何结构的模拟和分析。

通过MaskViews 的掩模构造说明，工程师可以有效地分析在每个工艺步骤和最终器件结构上的掩模版图变动的影响。 与光电平面印刷仿真器和精英淀积和刻蚀仿真器集成，可以在物理生产流程中进行实际的分析。 与ATLAS 器件模拟软件无缝集成

可仿真的工艺 • Bake • CMP • Deposition • Development • Diffusion • Epitaxy • Etch • Exposure • Imaging • Implantation • Oxidation • Silicidation

分享到：

赞收藏

资料库