模拟电子技术习题解答.doc-资料库

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第1页.png

第1页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第2页.png

第2页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第3页.png

第3页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第4页.png

第4页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第5页.png

第5页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第6页.png

第6页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第7页.png

第7页 / 共139页

wandlf-10649302-16359647326193928484.doc.pdf-第8页.png

第8页 / 共139页

第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。( √ ) (2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 GSR 大的特点。( √ ) (6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 B.基本不变 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 C.耗尽型 MOS 管 B.增强型 MOS 管 A.结型管三、写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD=0.7V。解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。图 T1.3

四、已知稳压管的稳压值 UZ=6V，稳定电流的最小值 IZmin=5mA。求图 Tl.4 所示电路中 UO1 和 UO2 各为多少伏。 (a) (b) 图 T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故 UO1=6V。右图中稳压管没有击穿，故 UO2=5V。五、电路如图 T1.5 所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。试问： (1)Rb=50k时，Uo=? (2)若 T 临界饱和，则 Rb=? 解：(1) I B  V BB U  R b BE  26 A  ， I C I  B  2.6 mA , U O  V CC  I R C c  。 2 V 图 T1.5 (2)∵ I CS  V CC U  R c BE  2.86 mA ， I BS  I CS /   28.6 A  V BB ∴ R b  U BE  45.5 k   I BS 六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表 T1.6 管号 T1 T2 UGS(th)/V 4 -4 UG/V UD/V 工作状态 1 3 3 10 恒流区截止区 US/V -5 3 2

T3 -4 6 0 5 可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表 Tl.6 最后一栏所示。习题 1.1 选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成 N 型半导体，加入( C )元素可形成 P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12 uA 增大到 22 uA 时，IC 从 lmA 变为 2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2 电路如图 P1.2 所示，已知 iu  10sin t (V)，试画出 iu 与 ou 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图 P1.2 解图 P1.2 解： iu 与 ou 的波形如解图 Pl.2 所示。 1.3 电路如图 P1.3 所示，已知 ui sin5 t (V)，二极管导通电压 UD=0.7V。试画出 iu 与 ou 的波形图，并标出幅值。 3

图 P1.3 解：波形如解图 Pl.3 所示。解图 P1.3 1.4 电路如图 P1.4 所示, 二极管导通电压 UD=0.7V,常温下，电容 C 对交流信号可视为短路； iu 为正弦波，有效值为 10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 26 U T mV 解：二极管的直流电流 I D  ( V U  D ) / R  2.6 mA 其动态电阻:  / r U I D T 10   D 图 P1.4 故动态电流的有效值： / I U r d D  i  1 mA 1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得 2 种：0.7V；6V。 1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压 ZU V ，最小稳定电流 6 ZI min  5 mA ，最大稳定电流 max ZI  25 mA 。 (1)分别计算 IU 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 OU 的值； (2)若 IU 35 V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？ 4

解：(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为 6V。 ∴ U I 10 时， V U  O R  L RR L U I 3.3 V ； U I 15 时， V U O  R L R R  L U I  5 V ； U I 35 时， V U O  R L R R  L U I  11.7 V U  图 Pl.6 ，∴ U O  U Z Z 6 V 。 0.1 (2)当负载开路时， I  Z U I Z U  R  29 mA  I max  Z 25 mA ，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2)R 的取值范围是多少？解：(1)S 闭合。 (2) R 的范围为: R min  ( V U  ) / I D D max  233  R max  ( V U  ) / I D D min  700  图 P1.7 1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图 P1.8 所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。 (a) (b) (a) (b) 图 Pl.8 解图 Pl.8 5

解：答案如解图 Pl.8 所示。 a mA   放大倍数分别为 1 /10 A  100  和  b  5 mA /100 A   50 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.9 所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。图 P1.9 解:如解图 1.9。解图 1.9 1.10 电路如图 P1.10 所示，晶体管导通时 BEU  0.7 V ，β=50。试分析 BBV 为 0V、 1V、3V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 Ou 的值。解： (1)当 BBV  时，T 截止， 0 Ou 12 V 。 (2)当 BBV 1 V 时，因为 V BB  BQ U  R b BEQ  60 A  I  BQ  3 mA CQ I I u O  V CC  I R CQ c  9 V 图 P1.10 6

所以 T 处于放大状态。 (3)当 BBV V 时，因为 3 I  BQ V BB U  R b BEQ  460 A  ， I CQ  I  BQ  23 mA  I CS  V CC U  R c CES  11.3 mA ，所以 T 处于饱和状态。 1.11 电路如图 Pl.11 所示 , 晶体管的 β=50 , BEU  0.2 V ，饱和管压降 CESU  0.1 V ；稳压管的稳定电压 ZU 5 V , 正向导通电压 DU  0.5 V 。试问：当 Iu V 时 Ou  ？；当 0 Iu V  时 Ou  ？ 5 解：当 Iu V 时，晶体管截止，稳压管击穿， 0 u O U   Z   。 5 V 当 Iu V  时，晶体管饱和， 5 Ou   0.1 V 。因为： I B  u U  I R b BE  480 A  ， I C  I B  24 mA ， U  V CC  I R C c  0 EC 图 P1.11 1.12 分别判断图 Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 (c) (a) (b) 7

(d) (e) 图 P1.12 解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e) 可能。 1.13 已知放大电路中一只 N 沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为 4V 、 8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明① 、② 、③ 与 G 、S 、D 的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与 G 、S 、 D 的对应关系如解图 Pl.13 所示。 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性解图 Pl.13 曲线。图 Pl.14 (b) 解图 Pl.14 (a) 8

资料库

模拟电子技术习题解答.doc

相关推荐

课程资源

热门标签

最新资料