2013年四川大学半导体物理及器件基础考研真题.doc

发布时间：2023-11-17 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.03M 资料格式：doc 举报版权申诉

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2013 年四川大学半导体物理及器件基础考研真题一.扼要解释下列术语（每题 6 分，共 30 分） 1.等电子陷阱 2.负微分电导 3.江崎效应 4.俄歇复合 5.谷间散射二.讨论分析以下问题（每小题 10 分，共 50 分）

1.分析施受主、复合中心、陷阱异同 2.载流子迁移率与温度的关系？为什么在某一温度处具有最大峰值？ 3.PN 结：说明在流过 pn 结的电流中，利用 n 型和 P 型半导体电阻率可求出电子电流和空穴电流之比。 4.扩散电容物理机制？为什么 pn 结扩散电容在反偏时不重要？ 5.解释肖特基势垒二极管中的少数载流子注入？三.硅材料中的缺陷在禁带中引入两个分离能级。假设一为施主能级，能级位置在价带上方 0.25eV 处；一为受主能级，能级位置在价带上方 0.65eV 处。（a）在重掺杂 n 型，重掺杂 p 型中，哪一种缺陷起作用？（b）无掺杂时确定费米能级位置，p 型，n 型或本征？（20 分）四.可通过热探针实验测半导体电导率，它包括两探针、连线和指示电流方向的电流计。其中一探针加热而另一探针保持室温。不加任何电压，在两探针接触半导体材料时将存在电流。（a）画出实验草图，解释热探针测试的工作原理；（b）当材料分别为 n 或 p 型时，在实验草图上，给出电流方向。（25 分）

五.对金属栅 n 沟 MOS 电容，讨论如下低频 C-V 特性曲线。（25 分）标注给出：平带（1），强反型（2），积累（3），耗尽（4）位置；并给出相应能带图。

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