T1 DP 晶振选型： 要求：内部负载电容:12PF；频偏偏差:±10PPM以内 C1 224 C2 224 注意 ：PCB Layout需要 分地（区分AGND和GND） D D V C A D O M O C V M O C V L C A D R C A D I C M R E W O P _ C M I P D B S U 2 3 1 3 0 3 9 2 8 2 7 2 6 2 5 2 C3 105 AGND BT_AVDD +3.3V C17 105 LED_B/R GND SW BT_AVDD L1 10uH/100mA C11 104 C10 106 DACVSS AVDD VDDIO PB8 PB7/AUX0R/ADC9 PB6/AUX0L/ADC8 PGND 1 2 3 4 5 6 7 SW8 0 GND(衬底) L C A D R C A D M O C V O M O C V D D V C A D P D B S U / 0 1 C D A / I 1 A P C M / 0 C D A / 4 A P R 1 X U A / 2 C D A / 2 1 C D A O K 2 3 C S O / 2 B P I K 2 3 C S O / 3 B P D D V A _ T B N I _ O D L T A B V 6 C D A / 1 B P F R _ T B 0 B P 9 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 Y1 24M BT_OSCI BT_OSCO U1 SD1DAT/PA8 ADC4/SD1CMD/PA9 ADC5/SD1CLK/PA10 ADC11/USBDM 24 DVDD 23 22 21 20 BT_OSCO 19 18 BT_OSCI VSSIO 17 USB口预留测试点 USBDM DVDD G_PWR G_SCL G_SDA BT_OSCO BT_OSCI GND C9 105 T2 DM AC6936D_QFN32 BT_ANT D D V A _ T B T A B V V 5 C D R E W O P / P / P F R _ T B C5 105/10V C6 NC C7 105 C16 2.7P L3 NC L4 NC G-sensor和触 摸采用IO口供 电，可减 小Poweroff模式 耳机功 耗 L C S _ G U2 2 1 1 1 G_PWR C4 104 G_SDA G_PWR 1 2 3 4 L C S SD0 C N SDA/SDI/SDO VDD_IO CSB 10 GND 9 GND_IO 8 VDD 7 2 T N I 6 DA230/SC7A21 NC T N I 5 R E W O P / P / P U3 TOG 6 VDD 5 AHLB 4 OC/OD GND TCH RH6015/ASC8233D/ASC0102 G_PWR C13 105 P/P/POWER 1 2 3 Touch PAD C12 1pF~50pF G_PWR C18 NC TOUCH_KEY P/P/POWER S1 P/P/POWER/TALK G-SENSOR KEY 备注： 1、硅麦：一致性好，灵敏度高，抗干扰能力强，通话效果好 模拟硅MIC MIC_POWER R1 1K M1 MIC3722 C15 MIC 104 C19 NC C14 105 驻极体MIC MIC + M2 MIC4013 C8 NC DACL DACR J5 Earphone 备注： 1、VBAT，LDO_IN必须使用耐压值为10V的原装电容。 2、VDD IO，VBAT必须使用原装电容，以防漏电。 3、没有备注耐压值的电容，统一用耐压值6.3V的电容， 所有电容请使用原装电容，以保证容值。 LDO _IN电容位置预留 备注：天线匹配电路参数，以实际样机调试结果为准。 MIC电路 处的滤 波电容 位置需 预留 +3.3V D1 BLUE LED_B/R D2 RED/CHARG_LED MCU LED Mic、Earphone VBAT BT1 3.4V~4.2V DC5V 6 6 J4 +5V 1 DM 2 DP 3 ID 4 GND 6 66 USB(MICRO) yunThinker云信通讯 硬件部 刘工 备注： 1、GND、AGND在电池地处短接在一起！ 2、电池必须使用带保护板的电池 POWER