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显示/光电技术中的简介各类显示器的特点(三).pdf

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显示显示/光电技术中的简介各类显示器的特点(三) 光电技术中的简介各类显示器的特点(三) CRT 型背投影显示器的主要优点是:   (1)易于实现大屏幕、SDTV 标准清晰度电视显示,图像临场感 强;   (2)图像调制、寻址方式简单;   (3)技术较成熟,目前在屏幕尺寸相同的情况下,性能价格比 最好;   (4)亮度、对比度较高;   (5)图像惰性小,对高速运动的图像重显效果好;   (6)由于 它利用R、G、B 三只单色投影管,因此有可能实现HDTV 高清晰度电视显示。   CRT 型背投影彩色电视机 的主要缺点是:   ①由于它的寻址方式是电子束扫描方式,同时三个投影管不在同一位置,因此光栅重合、 聚焦、白平衡电路调整复杂,且受地磁场影响较大,光栅枕形失真、梯形失真   CRT 型背投影显示器的主要优点是:   (1)易于实现大屏幕、SDTV 标准清晰度电视显示,图像临场感强;   (2)图像调制、寻址方式简单;   (3)技术较成熟,目前在屏幕尺寸相同的情况下,性能价格比最好;   (4)亮度、对比度较高;   (5)图像惰性小,对高速运动的图像重显效果好;   (6)由于它利用R、G、B 三只单色投影管,因此有可能实现HDTV 高清晰度电视显示。   CRT 型背投影彩色电视机的主要缺点是:   ①由于它的寻址方式是电子束扫描方式,同时三个投影管不在同一位置,因此光栅重合、聚焦、白平衡电路调整复杂,且 受地磁场影响较大,光栅枕形失真、梯形失真和扫描非线性失真较大,调整复杂;   ②由于采用菲涅尔透镜和双凸透镜投影屏,可视角较小;   ③屏幕越大,光栅亮度越低,且功耗大,屏幕边缘图像清晰度和亮度比屏幕中心差;   ④投影管寿命比CRT 型显像管短,温升高,必须加冷却液。   目前它正朝扩展可视角、提高投影管寿命等方向发展。   3.液晶显示器( 液晶显示器(LCD))   LCD 液晶显示器的原理是:在电场作用下,利用液晶分子的排列方向发生变化,使外光源透光率改变(调制),见图5, 完成电/ 光变换,再利用R、G、B 三基色的不同激励,通过微阵列红、绿、蓝滤色膜,并使每个微滤色膜对准一个基色像素, 完成时域和空间域的彩色重显。与CRT 型直视式彩色显像管不同,它采用行、列数字寻址及数字激励方式重显图像。   众所周知,液态物质具有固态特性,也具有液态特性, 图5 给出了超扭转向列型液晶显示(SuperTwisted Nemaic— Liquid Crystal Display/ 缩写STN-LCD)单元的原理图。其基本构造是分上、下两层玻璃,中间加入液晶层,两层玻璃上分别 涂有与偏振层成90°的涂层,液晶层的液晶分子连续成90°方向扭转排列。   当入射光从偏光板一侧射入时,只有轴向偏振光可以射入。偏振光进入液晶层后,由于液晶分子的排列方式使偏振光轴也 产生90°旋转,使进入上层偏光板的光轴正好与偏振板光轴一致,光线顺利通过。 图5 LCD液晶显示器的调制原理示图
  当在液晶层上加大电压后,液晶分子排列方向就与电场方向平行,液晶的偏光特性消失,进入上层偏光板光线的偏振轴与 板的偏振轴正交,光线被阻断。加入不同电压,就可以改变(调制)液晶板的透光率。   图6给出了TFT-LCD 的结构示意图和驱动原理图。它利用MOS 场效应晶体管作为驱动器,MOS 场效应晶体管的栅极接扫 描电极的母线,相当于水平方向的寻址开关信号电极,源极接信号线,相当于垂直方向激励信号输入端,漏极通过存储电容接 地。当MOS 场效应晶体管的栅极加入开关信号时,水平方向排列的所有晶体管的栅极均加入开关信号,但由于源极未加信 号,MOS 晶体管并不导通。只有当垂直排列的信号线上加入激励信号时,与其相交的MOS 场效应晶体管才会导通,导通电流 对寻址像素的存储电容充电,电压的大小与输入的代表图像信号大小的激励电压成正比。电视图像信号通过源极母线依次激励 (接通)MOS 场效应晶体管,存储电容依次被充电。存储电容上的信号将保持一帧时间,并通过液晶像素的电阻逐渐放电。 与此同时液晶将出现动态散射,并呈现出与存储电容上的信号电压相对应的图像灰度。 图6 LCD 液晶显示器的激励方式示图   从图6 还可以看出,复合同步信号加入时序和控制电路,分别控制扫描母线驱动器,逐行接通水平方向排列的MOS 晶体 管的栅极,图像信号通过串行、并行变换器加入到垂直排列的信号电极母线驱动器。只有两个电极(源极、栅极)同时加入电 压时,MOS 晶体管才导通,并对存储电容充电,同时液晶被激发,通过液晶的亮度被调制。   存储电容的作用是增大液晶像素的弛豫时间,使其大于帧周期。MOS 场效应晶体管的漏极加入存储电容有两个好处:   (1)可以降低寻址电压,即缩小图像信号幅度,一旦液晶显示屏被激励,发光持续时间不到10 μs,而通过存储电容能 延长到17~20 ms,减小了图像闪烁。 (待续)
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