SD4101 
PIR 应用应用应用应用 SOC 
 
特 点特 点特 点特 点  
 高精度 ADC,ENOB=18.5bit@250sps,  2 个
差分通道或者 4 单端通道(对 VSS) 
 8 位 RISC 超低功耗 MCU,49 条指令,6 级
堆栈,在 2MHz 工作时钟,3V 工作电压下电
流典型值为 300uA;  32kHz 时钟待机模式下
工作电流 2uA,休眠模式电流小于 1uA 
 4k Bytes OTP 程序存储器,256 Bytes SRAM 
数据存储器 
 OTP 烧录电压范围:7.25V~7.75V; 
 1 路 8bit PWM 
 所有 I/O 带施密特触发输入及选择上拉电阻 
 WDT 增强可靠性; 
 掉电检测电路和上电复位电路 
 工作电压范围:2.4V ~ 3.6V 
 工作温度范围:-40℃~ 85℃ 
 内部 4MHz 与 32kHz RC 振荡器 
管脚管脚管脚管脚图和图和图和图和管脚管脚管脚管脚描述描述描述描述 
描述描述描述描述 
本芯片是带 24 位 ADC 的 SOC 产品,程
序存储器为 4k Bytes OTP,超低功耗设计,使
用内部 2MHz RC 振荡工作时钟,3V 工作电压
下,典型应用时的工作电流只有 500uA,非常
适合电池供电的应用。 
MCU 提供三种工作模式让用户可以在工
作效率和能量消耗方面得到最佳选择,三种模
式是:正常工作模式、待机模式、休眠模式。 
应用领域
应用领域 
应用领域应用领域
PIR 信号处理 
订购信息
订购信息 
订购信息订购信息
SOP8 封装
 
 
T
N
I
/
P
P
V
/
0
1
P
7
M
W
P
/
1
1
P
6
SDIC
4101
2
0
I
A
3
5
1
P
/
3
I
A
图 1. 管脚图
3
1
P
/
5
I
A
5
4
4
1
P
/
4
I
A
S
S
V
8
1
D
D
V
  
晶华微电子          版本  0          2015/04     
http://www.SDICmicro.cn 
 
                                                                                             
 
                                                      SD4101 
 
表 1. 管脚描述 
序号 
序号序号
序号
管脚名称 
管脚名称管脚名称
管脚名称
属性 
属性属性
属性
管脚描述 
管脚描述管脚描述
管脚描述
VDD 
AI0 
电源  电源。在 VDD 与 VSS 之间外接 0.1uF 电容 
模拟/IO  ADC 的输入端,可和 AI3、AI4 以及 AI5 组成差分输入,也可以和 VSS 组成单
端输入,不使用的时候可以选择内部下拉。 
AI3/P15  模拟/IO  ADC 的输入端,可和 AI0、AI4 以及 AI5 组成差分输入,也可以和 VSS 组成单
端输入,不使用的时候可以选择内部下拉,复用数字 IO P15。 
AI4/P14  模拟/IO  ADC 的输入端,可和 AI0、AI3 以及 AI5 组成差分输入,也可以和 VSS 组成单
端输入,不使用的时候可以选择内部下拉,复用数字 IO P14。 
AI5/P13  模拟/IO  ADC 的输入端,可和 AI0、AI3 以及 AI4 组成差分输入,也可以和 VSS 组成单
端输入,不使用的时候可以选择内部下拉,复用数字 IO P13。 
P11/PWM 
IO  数字 I/O P11,可以用作 8 位 PWM 输出 
P10/VPP/INT 
I  数字 I/O P10,只能作为输入,复用烧录管脚 VPP,可以作为外部中断使用 
VSS 
地  地 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
7 
8 
注意: 
1.    所有数字端口 Pnn 皆有上拉选择(默认关闭),并有输入迟滞功能,转换点分别为 0.3VDD 与 0.7VDD。 
功能框图 
功能框图
功能框图功能框图
 
 
VDD
VSS
RC振荡器
(32kHz)
RC振荡器
(4MHz)
电源管理系统
时序产生电路
8 bits
RISC MCU
SRAM
256 Bytes
VPP
OTP
4k Bytes
特殊寄存器
PWM
IO
外部中断
PWM
P10/P11/P13/P14/P15
INT
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图 2. 功能框图 
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POR/LVD
WDT
ADC
T/C
(T0)
AI0/AI3
AI4/AI5
 
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                                                      SD4101 
 
ADC 性能性能性能性能 
ENOB with OSR at ADClock = 500kHz, CIC3,VDD = 3V, VREF = VDD 
表 2. ADC 的 ENOB 
OSR 
128 
256 
512 
1024 
2048 
4096 
8192 
16384 
Output rate(Hz) 
3906 
1953 
976 
488 
244 
122 
61 
30 
Gain 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 
17.2 
19.0 
19.6 
20.1 
20.6 
21.1 
21.9 
22.4 
2 
17.1 
18.4 
19.0 
19.5 
20.2 
20.7 
21.2 
21.6 
4 
16.9 
17.9 
18.4 
18.9 
19.5 
20.0 
20.4 
20.8 
8 
16.8 
17.9 
18.5 
19 
19.5 
20.1 
20.6 
21.2 
 
 
 
表 3. ADC 的 RMS Noise 
RMS Noise(uV) with OSR at ADClock = 250kHz, CIC3,VDD = 3V, VREF = VDD 
OSR 
128 
256 
512 
1024 
2048 
4096 
8192 
16384 
Output rate(Hz) 
3906 
1953 
976 
488 
244 
122 
61 
30 
Gain 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 
38.7 
11.8 
7.3 
5.4 
3.8 
2.6 
1.5 
1.1 
2 
21.7 
8.4 
5.7 
4.1 
2.6 
1.8 
1.3 
1.0 
4 
12.5 
6.2 
4.3 
3.0 
2.0 
1.4 
1.1 
0.8 
8 
6.5 
3.1 
2.1 
1.4 
1.0 
0.7 
0.5 
0.3 
 
注:以上都是多颗芯片测试的平均结果,单颗芯片采样的数据总量为 1024 个,然后取 1024 个数据的平均
值进行运算。 
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                                                      SD4101 
 
高频高频高频高频 RC 振荡器振荡器振荡器振荡器特性特性特性特性 
 
4.2
4.1
4
)
z
H
M
C
R
H
(
I
3.9
3.8
3.7
3.6
3.5
2.2
4.2
4.1
4
)
z
H
M
C
R
H
(
I
3.9
3.8
3.7
3.6
3.5
-60
IHRC vs VDD
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
3.8
VDD(V)
 
 
 
 
IHRC vs Temperature
   
-40
-20
0
20
40
60
80
100
Temperature(
)℃
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                                                      SD4101 
 
电气特性
电气特性 
电气特性电气特性
表 2. 最大极限值 
标识 
标识标识
标识
参数 
参数参数
参数
最小值 
最小值最小值
最小值
最大值 
最大值最大值
最大值
单位 
单位单位
单位
TA 
TS 
VDD 
Vpp 
环境温度 
储存温度 
供电电压 
烧录电压 
VIN, VOUT 
直流输入、输出 
TL 
回流焊温度曲线 
-40 
-55 
-0.2 
-0.2 
-0.2 
 
+85 
+150 
+4.0 
+7.5 
VDD+0.3 
Per IPC/JEDECJ-STD-020C 
°C 
°C 
V 
V 
V 
°C 
注意: 
1.  CMOS 器件易被高能静电损坏,设备必须储存在导电泡沫中,注意避免工作电压超出范围。 
2.  在插拔电路前请关闭电源。 
表 3. 电气参数(电源电压 3V,工作温度 25℃) 
标识 
标识标识
标识
参数名称 
参数名称参数名称
参数名称
最小值 
最小值最小值
最小值
典型值 
典型值典型值
典型值
最大值 
最大值最大值
最大值
单位 
单位单位
单位
条件/备注
备注 
条件条件
条件
备注备注
VDD 
工作电压 
FOSC 
工作时钟 
IHRC  内部高频 RC 振荡频率 
ILRC  内部低频 RC 振荡频率 
IDD1 
工作电流 1 
IDD2 
IDD3 
Fsam 
OSR 
NFbit 
POR 
LVD 
THlbt 
工作电流 2 
工作电流 3 
ADC 采样频率 
过采样率 
Noise free bits1 
上电复位电压 
低压检测复位电压 
低压检测迟滞 
管脚电气参数 
IOL 
低电平 Sink 电流 
IOH 
高电平 Source 电流 
2.4 
2.0 
0.032 
-- 
28 
-- 
-- 
-- 
-- 
128 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
VIH 
VIL 
VOH 
VOL 
输入高电平 
0.7VDD 
输入低电平 
-- 
输出高电平 
VDD-0.3 
输出低电平 
-- 
3.0 
3.0 
-- 
4 
-- 
500 
2 
-- 
-- 
-- 
3.6 
3.6 
4 
-- 
36 
-- 
-- 
1 
V  模拟模块工作电压 
V  数字模块和 MCU 工作电压 
MHz 
 
MHz  经过校准后的频率 
kHz  经过校准后的频率 
uA 
uA 
MCU 采用内部 2MHz RC 振荡工作 
ADC 等模拟模块工作 
MCU 采用内部 32kHz RC 振荡工作,
MCU 进待机模式,模拟模块不工作 
uA  MCU 进休眠模式,模拟模块不工作 
500 
kHz 
16384 
 
 
 
18.5 
-- 
bits  Gain=1,input FSR=±2.4V 
2.0 
1.9 
200 
-- 
-- 
-- 
V 
V 
mV 
 
 
 
3 
12 
3 
12 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
-- 
0.3VDD 
-- 
VSS+0.3 
mA 
mA 
V 
V 
V 
V 
VOL=0.3V,PTxSR 设置为“0” 
VOL=0.3V,PTxSR 设置为“1” 
VOH=VDD-0.3V ,PTxSR 设置为
“0” 
VOH=VDD-0.3V ,PTxSR 设置为
“1” 
 
 
 
 
1.  Noise free bits,有效位数都与信号的满量程范围有关系,真正起决定性作用的是 Vpp noise 或 rms noise 
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                                                      SD4101 
 
封装规格 
封装规格
封装规格封装规格
c
θ
E1
E
D
             
h
L
L1
A3
A2
A
A1
 
Min. 
—— 
0.1 
1.30 
0.60 
4.70 
5.80 
3.70 
0.50 
0.39 
0.21 
0 o 
Nom. 
—— 
—— 
1.40 
0.65 
4.90 
6.00 
3.90 
—— 
1.05BSC 
—— 
—— 
1.27BSC 
—— 
Max. 
1.75 
0.225 
1.50 
0.70 
5.10 
6.20 
4.10 
0.80 
0.48 
0.26 
8o 
图 4. SOP8 封装外形图 
b
e
Dimensions: mm 
Symbol 
A 
A1 
A2 
A3 
D 
E 
E1 
L 
L1 
b 
c 
e 
θ 
 
 
 
 
 
 
 
 
晶华微电子          版本  0          2015/04       
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