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emmc 协议中文版.pdf
1 范围
2 标准引用
3 术语和定义
4 系统特性
5 e•MMC设备和系统
5.1 e•MMC系统概况
5.2 存储器寻址
5.3 e•MMC设备概况
5.3.1 总线协议
5.4 总线速度模式
5.4.1 HS200总线速度模式
5.4.2 HS200系统框图
5.4.3 可调节采样主机
6 e•MMC功能说明
6.1 e•MMC概述
6.2 分区管理
6.2.1 概述
6.2.2 命令限制
6.2.3 扩展分区属性
6.2.4 配置分区
6.2.5 访问分区
6.3 引导工作模式
6.3.1 设备复位至Pre-idle状态
6.3.2 引导分区
6.3.3 引导操作
6.3.4 替代的引导操作
7.3.5 访问引导分区
6.3.6 引导总线宽度和数据访问配置
6.3.7 引导分区写保护
6.4 设备识别模式
6.4.1 设备复位
6.4.2 工作电压范围验证
6.4.3 从忙到准备好
6.4.4 设备识别过程
6.6 数据传输模式
6.6.1 命令集和扩展设置
6.6.2 高速模式选择
6.6.3 “高速”模式选择
6.6.4 “HS200”模式选择
6.6.5 电源类别选择
6.6.6 总线测试例程
6.6.7 总线采样调谐概念
6.6.7.1 HS200的采样调谐序列
6.6.8 总线宽度选择
6.6.9 数据读
6.6.9.1 块读
6.6.10 数据写
6.6.10.1 块写
6.6.11 擦除
6.6.12 剪切
6.6.13 消密
6.6.14 废弃
6.6.15 安全擦除
6.6.16 安全剪切
6.6.17 写保护管理
6.6.18 扩展安全协议直通命令
6.6.18.1 PROTOCOL_RD —— CMD53
6.6.18.2 PROTOCOL_WR —— CMD54
6.6.18.3 安全协议类型
6.6.18.4 安全协议信息
6.6.18.5 错误处理
6.6.19 设备锁定/解锁操作
6.6.20 应用专有命令
6.6.21 Sleep（CMD5）
6.6.22 重发保护存储块
6.6.22.1 重发保护存储块访问的数据帧
6.6.22.2 重发保护存储块的存储器映射
6.6.22.3 消息认证码计算
6.6.22.4 对重发保护存储块的访问
6.6.22.4.1 认证密钥编程：
6.6.22.4.2 计数器值读取：
6.6.22.4.3 认证的数据写
6.6.22.4.4 认证的数据读
6.6.23 双倍数据率模式选择
6.6.24 双倍数据率模式工作
6.6.25 后台操作
6.6.26 高优先级中断
6.6.27 语境管理
6.6.27.1 语境配置
6.6.27.2 语境方向
6.6.27.3 大单元
6.6.27.4 语境写中断
6.6.27.5 大单元倍率
6.6.28 数据标签机制
6.6.29 打包命令
6.6.29.1 打包命令头
6.6.29.2 打包命令错误处理
6.6.30 例外事件
6.6.31 高速缓存Cache
6.6.32 功能交叉表
6.6.33 动态容量管理
6.6.34 大扇区长度
6.6.34.1 禁用仿真模式
6.6.34.2 固有4KB扇区行为
6.6.35 实时时钟信息
6.6.35.1 周期性唤醒
6.6.36 下电通知
6.7 时钟控制
7.8 错误条件
7.8.1 CRC和无效命令
7.8.2 超时条件
7.8.3 在多块读操作中的领先读取
7.9 最低性能
7.9.1 速度级别定义
7.9.2 性能的测量
6.10 命令
6.10.1 命令类型
7.10.3 命令类
6.10.4 命令详细说明
7.11 设备状态转换表
6.12 应答
6.13 设备状态
6.14 存储器阵列分区
6.15 时序
6.15.1 命令和应答
6.15.2 数据读
6.15.3 数据写
6.15.4 总线测试例程时序
7.15.5 引导操作
7.15.6 替换的引导操作
7.15.7 时序值
6.15.8 在HS200模式下时序改变
6.15.8.1 时序值
6.15.8.2 读块间隙
6.15.8.3 写操作中的CMD12时序修正
6.15.8.4 读操作中CMD12时序修正
6.15.8.5 R1B时序
6.15.8.6 重新选定忙设备
6.15.9 硬件复位操作
6.15.10 硬件复位的噪声过滤时序
7 设备寄存器
7.1 OCR寄存器
7.2 CID 寄存器
7.2.1 MID [127:120]
7.2.2 CBX [113:112]
7.2.3 OID [111:104]
7.2.4 PNM [103:56]
7.2.5 PRV [55:48]
7.2.6 PSN [47:16]
7.2.7 MDT [15:8]
7.2.8 CRC [7:1]
7.3 CSD寄存器
7.3.1 CSD_STRUCTURE[127:126]
7.3.2 SPEC_VERS [125:122]
7.3.3 TAAC [119:112]
7.3.4 NSAC [111:104]
7.3.5 TRAN_SPEED [103:96]
7.3.6 CCC [95:84]
7.3.7 READ_BL_LEN [83:80]
7.3.8 READ_BL_PARTIAL [79]
7.3.9 DSR_IMP [76]
7.3.10 C_SIZE [73:62]
7.3.11 VDD_R_CURR_MIN [61:59]和VDD_W_CURR_MIN [55:53]
7.3.12 VDD_R_CURR_MAX[58:56]和VDD_W_CURR_MAX[52:50]
7.3.13 C_SIZE_MULT [49:47]
7.3.14 ERASE_GRP_SIZE [46:42]
7.3.15 ERASE_GRP_MULT [41:37]
7.3.16 WP_GRP_SIZE [36:32]
7.3.17 WP_GRP_ENABLE [31]
7.3.18 DEFAULT_ECC [30:29]
7.3.19 R2W_FACTOR [28:26]
7.3.20 WRITE_BL_LEN [25:22]
7.3.21 WRITE_BL_PARTIAL[21]
7.3.22 CONTENT_PROT_APP [16]
7.3.23 FILE_FORMAT_GRP [15]
7.3.24 COPY [14]
7.3.25 PERM_WRITE_PROTECT [13]
7.3.26 TMP_WRITE_PROTECT [12]
7.3.27 FILE_FORMAT [11:10]
7.3.28 ECC [9:8]
7.3.29 CRC [7:1]
7.4 扩展CSD寄存器
7.4.1 EXT_SECURITY_ERR [505]
7.4.2 S_CMD_SET [504]
7.4.3 HPI_FEATURES [503]
7.4.4 BKOPS_SUPPORT [502]
7.4.5 MAX_PACKED_READS [501]
7.4.6 MAX_PACKED_WRITES [500]
7.4.7 DATA_TAG_SUPPORT [499]
7.4.8 TAG_UNIT_SIZE [498]
7.4.9 TAG_RES_SIZE [497]
7.4.10 CONTEXT_CAPABILITIES [496]
7.4.11 LARGE_UNIT_SIZE_M1 [495]
7.4.12 EXT_SUPPORT [494]
7.4.13 CACHE_SIZE [252:249]
7.4.14 GENERIC_CMD6_TIME [248]
7.4.15 POWER_OFF_LONG_TIME [247]
7.4.16 BKOPS_STATUS [246]
7.4.17 CORRECTLY_PRG_SECTORS_NUM [245:242]
7.4.18 INI_TIMEOUT_PA [241]
7.4.19 TRIM_MULT [232]
7.4.20 SEC_FEATURE_SUPPORT [231]
7.4.21 SEC_ERASE_MULT [230]
7.4.22 SEC_TRIM_MULT [229]
7.4.23 BOOT_INFO [228]
7.4.24 BOOT_SIZE_MULT [226]
7.4.25 ACC_SIZE [225]
7.4.26 HC_ERASE_GRP_SIZE [224]
7.4.27 ERASE_TIMEOUT_MULT [223]
7.4.28 REL_WR_SEC_C [222]
7.4.29 HC_WP_GRP_SIZE [221]
7.4.30 S_C_VCC[220] 和S_C_VCCQ[219]
7.4.31 S_A_TIMEOUT [217]
7.4.32 SEC_COUNT [215:212]
7.4.33 MIN_PERF_a_b_ff [210:205] 和MIN_PERF_DDR_a_b_ff [235:234]
7.4.34 PWR_CL_ff_vvv [203:200] 和PWR_CL_DDR_ff_vvv [239:238]
7.4.35 PARTITION_SWITCH_TIME [199]
7.4.36 OUT_OF_INTERRUPT_TIME [198]
7.4.37 DRIVER_STRENGTH [197]
7.4.38 DEVICE_TYPE [196]
7.4.39 CSD_STRUCTURE [194]
7.4.40 EXT_CSD_REV [192]
7.4.41 CMD_SET [191]
7.4.42 CMD_SET_REV [189]
7.4.43 POWER_CLASS [187]
7.4.44 HS_TIMING [185]
7.4.45 BUS_WIDTH [183]
7.4.46 ERASED_MEM_CONT [181]
7.4.47 PARTITION_CONFIG（在BOOT_CONFIG之前）[179]
7.4.48 BOOT_CONFIG_PROT[178]
7.4.49 BOOT_BUS_CONDITIONS [177]
7.4.50 ERASE_GROUP_DEF [175]
7.4.51 BOOT_WP_STATUS [174]
7.4.52 BOOT_WP [173]
7.4.53 USER_WP [171]
7.4.54 FW_CONFIG [169]
7.4.55 RPMB_SIZE_MULT [168]
7.4.56 WR_REL_SET [167]
7.4.57 WR_REL_PARAM [166]
7.4.58 SANITIZE_START[165]
7.4.59 BKOPS_START [164]
7.4.60 BKOPS_EN [163]
7.4.61 RST_n_FUNCTION [162]
7.4.62 HPI_MGMT [161]
7.4.63 PARTITIONING_SUPPORT [160]
7.4.64 MAX_ENH_SIZE_MULT [159:157]
7.4.65 PARTITIONS_ATTRIBUTE [156]
7.4.66 PARTITION_SETTING_COMPLETED [155]
7.4.67 GP_SIZE_MULT_GP0 - GP_SIZE_MULT_GP3 [154:143]
7.4.68 ENH_SIZE_MULT [142:140]
7.4.69 ENH_START_ADDR [139:136]
7.4.70 SEC_BAD_BLK_MGMNT [134]
7.4.71 TCASE_SUPPORT [132]
7.4.72 PERIODIC_WAKEUP [131]
7.4.73 PROGRAM_CID_CSD_DDR_SUPPORT [130]
7.4.74 NATIVE_SECTOR_SIZE [63]
7.4.75 USE_NATIVE_SECTOR [62]
7.4.76 DATA_SECTOR_SIZE [61]
7.4.77 INI_TIMEOUT_EMU [60]
7.4.78 CLASS_6_CTRL[59]
7.4.79 DYNCAP_NEEDED [58]
7.4.80 EXCEPTION_EVENTS_CTRL [57:56]
7.4.81 EXCEPTION_EVENTS_STATUS [55:54]
7.4.82 EXT_PARTITIONS_ATTRIBUTE [53:52]
7.4.83 CONTEXT_CONF [51:37]
7.4.84 PACKED_COMMAND_STATUS [36]
7.4.85 PACKED_FAILURE_INDEX [35]
7.4.86 POWER_OFF_NOTIFICATION [34]
7.4.87 CACHE_CTRL [33]
7.4.88 FLUSH_CACHE [32]
7.4.89 VENDOR_SPEC若IC_FIELD [127:64]
7.5 RCA寄存器
7.6 DSR寄存器
8 错误保护
8.1 纠错码（ECC）
8.2 循环用于编码（CRC）
8.2.1 CRC7
8.2.2 CRC16
9 e•MMC机械标准
10 e•MMC总线
10.1 上电
10.1.1 e•MMC power-up
10.1.2 e•MMC 上电导则
10.1.3 e•MMC上电周期
10.2 可编程设备输出驱动器
10.3 总线工作条件
10.3.1 电源：e•MMC
10.3.2 电源：e2•MMC
10.3.3 电源电压
10.3.4 总线信号线负载
10.4 总线信号电平
10.4.1 开漏模式总线信号电平
10.4.2 推拉模式总线信号电平— e•MMC
10.4.3 用于HS200的总线工作条件
10.4.4 用于HS200的设备输出驱动器要求
10.4.4.1 驱动器类型定义
10.4.4.2 驱动器类型0交流特性
10.4.4.3 驱动器类型0测试电路
10.4.4.4 驱动器类型选择
10.5 总线时序
10.5.1 设备接口时序
10.6 在双倍数据率工作时的DAT信号总线时序
10.6.1 双倍数据率接口模式
10.7 HS200模式下的总线时序规范
10.7.1 HS200 时钟时序
10.7.2 HS200设备输入时序
10.7.3 HS200设备输出时序
10.8 温度条件
11 e•MMC标准兼容性
A. 附录A应用手册
A.1 设备载荷块长度和ECC类型处理
A.2 在设备中存储口令的方法的说明
A.3 e•MMC宏命令
A.4 Host interface timing
A.5 口令的处理
A.5.1 更改口令
A.5.2 去除口令
A.6 高速e•MMC总线功能
A.6.1 总线初始化
a. 上电
低压上电
b. CID接收和RCA分配
c. CSD提取和主机调整
A.6.2 切换到高速模式
A.6.3 改变数据总线宽度
a. 总线测试例程
b. 电源和总线宽度选择
A.7 擦除单元长度选择流程
A.8 HPI背景及一个可能的解决方案
A.8.1 背景——有关 HPI的问题
A.8.2 一个可能的解决方案
A.9 停止传输时序
A.10 各个功耗类别的温度条件（Tcase控制）
A.11 处理各个引导区的写保护
附录B 系统规范版本之间的改动
B.1. 版本4.1，本标准的第一个版本
B.2. 从版本4.1到4.2的改动
B.3. 从版本4.2到4.3的改动
B.4. 从版本4.3到4.4的改动
B.5. 从版本4.4到4.41的改动
B.6. 从版本4.41到4.5的改动
B.7. 从版本4.5到4.51的改动
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
1 范围
本文档提供了一个对 e•MMC 电气接口及其环境和处理的全面的定义。它还提供了设计
导则，并定义了降低设计开销的宏函数和算法的工具箱。
2 标准引用
下列标准文档包括本文引用的条款、本文的构成条款。对于这些出版物更新的引用、后
续的增补、或再版，都是不适用的。但是，鼓励基于本标准的协议各方研究采用下述标准文
档最新版本的可能性。对于未更新的引用，采用标准文档的最新版本。
3 术语和定义
对于本出版物的用途，采用下列缩略语作为通用术语：
地址空间定义
映射的主机地址空间：e•MMC 设备可通过来自主机软件的读命令访问的区域。
私有的厂商专有地址空间：e•MMC 设备不能通过来自主机软件的读命令访问的区域。
它容纳厂商专有的内部管理数据。此数据可在生产时下载或在设备工作时产生，如存储
器厂商固件和映射表。它不容纳任何主机发送至设备的数据。
未映射的主机地址空间：e•MMC 设备不能通过来自主机软件的读命令访问的区域。它
不包括厂商专有地址空间。它可以容纳旧的主机数据或主机数据的副本。
块：一些字节，基本的数据传输单元
CID： 设备识别寄存器
CLK： 时钟信号
CMD：命令线或 e•MMC 总线命令（如果是扩展的 CMDXX）
CRC：循环冗余校验
CSD：设备专有数据寄存器
DAT：数据线
DISCARD：此命令使主机能够标记出不需要的区域。它不要求发自设备的动作。这是一个
提高性能的命令。数据移除见 TRIM。
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
DSR：驱动器段寄存器
D-VDD：高速缓存存储器的 + 电源电压
D-VSS：高速缓存存储器的 + 电源电压地
D-VDDQ：高速缓存存储器的 + 电源电压
D-VSSQ：高速缓存存储器的 + 电源电压地
e•MMC：嵌入式多媒体设备（不支持高速缓存功能且仅支持单一 VDDi 引脚）
e2•MMC：支持高速缓存功能和 3 个VDDi引脚的e•MMC设备。
ERASE：块擦除操作，不需要实际的物理 NAND 擦除操作
Flash：一种可多次编程非易失性存储器
Group：一些写块，组成擦除和写保护单元
HS200：在 1.8V 或 1.2V IO 的 200MHz 单倍数据率总线上高达 200MB/s 的高速接口时序
ISI： 码间干扰（指某种噪声类型）
LOW, HIGH：定义电平分配的二进制接口状态
NSAC：定义数据访问时间的时钟频率依赖系数最坏的情况
Non-Persistent：存储设备上电后可能丢失内容的部分
MSB, LSB：最高位或最低位
OCR：工作条件寄存器
open-drain：一种逻辑接口工作模式。用一个外接电阻器或电流源将接口电平拉到 HIGH，
内部电阻器将其推向 LOW。
payload：纯数据
push-pull：一种逻辑接口工作模式，用一个互补的晶体管对将接口电平推到 HIGH 或 LOW
RCA：相对设备地址寄存器
Reset：参数为 0x00000000 或 0xF0F0F0F0 的 CMD0，硬件复位（或 CMD15）
ROM：只读存储器
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
RPMB：重发保护存储器块
SSO： 同步开关（指某种噪声类型）
Secure Purge：在指定范围所有可选址单元以同一字符重写，然后将同一范围擦除的操作。
取决于场合的一或多写块或写保护分组。
注：安全清洗的定义是依赖于工艺的（上述定义假定为 NAND flash）。详见 DoD 5220.22M
和 NIST SP 800-88。
stuff bit：填入比特 0 以保证命令和应答的固定长度
TAAC：定义数据访问时间的时间依赖系数
three-state driver：一种有三个输出启动状态的驱动器段：HIGH、LOW 和高阻（表示接
口对接口电平没有任何影响）
token：代表一个命令的码字
TRIM：一个从写分组移除数据的命令。当 TRIM 被执行时，区域应读为 ‘0’。这是原始的数
据移除命令（见提高性能的 Discard 命令）。
Tuning Process：一个通常由主机完成的找到数据输入信号优化采样点的过程。设备可提
供专用于 HS200 模式的调谐数据块。
UI：单元间隔；1 比特的标称时间。例如，UI=5ns at 200MHz
UTC：通用时间坐标
VDD：在单一电源（VCC=VCCQ）设备情况下代表公共电源，或当有关耗损电流时代表
VCC 和 VCCQ 的总耗损电流。设备
VSS： 核设备的 + 电源电压
VCC： 核的 + 电源电压
VCCQ：I/O 的 + 电源电压
VSSQ： I/O 的 + 电源电压地
Write Protection, Permanent：写和擦除保护方案，一但使能，就不能恢复
Write Protection, Power-on：写和擦除保护方案，一但使能，只能在引起设备重启的掉电
事件或使用复位引脚复位时恢复
Write protection, Temporary： 可以使能和恢复的写和擦除保护方案
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
4 系统特性
e•MMC 设备是一种受管理的存储器，它定义了一种对存储器阵列间接访问的机制。这
种间接访问通常是由分立的控制器使能的。简介存储器访问的优点是，存储器设备可以执行
几种后台存储器管理任务而不牵涉主机软件。这使得主机系统的 flash 管理层更简单。
e•MMC 支持下列特性：
系统电压（VCC 和 VCCQ）范围（表 1）
表 1 – e•MMC 电压模式
高电压 e•MMC
双电压e•MMC1
通讯（VCCQ）
存储器访问（VCC）
注 1：参见表 159 – 双电压设备的所有有效组合的 e•MMC 电压组合
1.70 – 1.95, 2.7 – 3.6
1.70 – 1.95, 2.7 – 3.6
2.7 – 3.6
2.7 – 3.6
10 线总线（时钟，1-bit 命令和 8-bit 数据）和硬件复位
0-200MHz 时钟频率
3 种数据总线宽度模式：1-bit（缺省）、4-bit 和 8-bit
数据保护机制
口令
永久写保护
上电写保护
临时写保护
不同类型的错误保护读和写模式：
单块
多块
数据移除命令：
Erase
Trim
Sanitize
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
突然掉电时的数据保护方法
使用应用专有命令的优化方案能力
节电 Sleep 模式
提高性能的增强的主机与设备通讯技术
下电通知
高优先级中断（HPI）
后台操作
分区
增强区
实时时钟
分区属性
环境管理
系统数据标签
打包命令
动态设备容量
可选的易失性高速缓存
封装壳温
当采用定义的引导模式时，自动流出数据的引导区
重发保护存储块的签名访问
两种类型的大容量设备：小的 512B 扇区设备和大的 4KB 扇区设备
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
5 e•MMC 设备和系统
5.1 e•MMC 系统概况
e•MMC 规范覆盖接口和设备控制器的行为。作为规范的一部分，主机控制器和存储器
存储阵列的存在是不言而喻的，但这些部分的操作并未完全规定。
5.2 存储器寻址
图 1 – e•MMC 系统概况
e•MMC 规范的早期实现（至 v4.1 的版本）是采用 32-bit 域实现字节寻址的。这种寻址
机制允许最大 2 GB 的 e•MMC 容量。
为了支持更大的容量，寻址机制升级到支持扇区寻址（512B 扇区）。对所有容量大于
2 GB 的设备应使用扇区地址。
要确定所用的寻址模式，主机应读取 OCR 寄存器的 bit [30:29]。
5.3 e•MMC 设备概况
e•MMC 设备通过可配置的数据总线信号数传输数据。通讯信号有：
CLK：此信号的每一周期控制命令线上的 1 bit 传输，以及所有数据线上 1 bit（1x）
或 2 bit（2x）传输。频率可从 0 至最高时钟频率之间改变。
CMD：此信号是双向命令通道，用于设备初始化和命令传输。CMD 信号有两种工
作模式：用于初始化模式开漏模式和快速命令传输推拉模式。命令从 e•MMC 主机
控制器发往设备，应答从设备发往主机。
DAT0-DAT7：这些是双向的数据通道。DAT 信号以推拉模式工作。一个时间内只
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
有设备或主机驱动这些信号。缺省的，在上电或复位后，只有 DAT0 用于数据传
输。可以通过 e•MMC 主机控制器配置更宽的数据总线来进行数据传输，采用 DAT0
- DAT3 或 DAT0 - DAT7。e•MMC 设备在数据线 DAT1 - DAT7 上内含上拉。 在
进入 4-bit 模式后，设备立即断开 DAT1、DAT2 和 DAT3 线的内部上拉。相应地，
在进入 8-bit 模式后，设备立即断开 DAT1 – DAT7 线的内部上拉。
e•MMC 接口信号在表 2 中说明。
表 2 – e•MMC 接口
名称
CLK
DAT02
DAT1
DAT2
DAT3
DAT4
DAT5
DAT6
DAT7
CMD
RST_n
VCC
VCCQ
VSS
VSSQ
注 1
I: 输入；O: 输出；PP: 推拉；OD: 开漏；NC: 未连接（或逻辑高）；S: 电源
说明
时钟
数据
数据
数据
数据
数据
数据
数据
数据
命令/应答
硬件复位
内核电源电压
I/O 电源电压
内核电源电压地
I/O 电源电压地
类型1
I
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP
I/O/PP/OD
I
S
S
S
S
每一设备都有一组信息寄存器（见第 7 章设备寄存器）。
名称
宽度（字节） 说明
表 3 – e•MMC 寄存器
CID
RCA
DSR
CSD
OCR
16
2
2
16
4
EXT_CSD 512
设备识别编号，用于识别的独特号码
相对设备地址，是设备系统地址，有主机在初始化时动
态分配。
驱动端寄存器，配置设备输出驱动器。
设备专有数据，有关设备工作条件的信息
工作条件寄存器。由专用广播命令使用来识别设备的电
压类型
扩展的设备专有数据。容纳有关容量和选定模式的信
息。V4.0 标准引入。
实现
必须
必须
可选
必须
必须
必须
嵌入式多媒体设备（e-MMC）电气标准 4.51
主机可通过以下方式使设备复位：
切断电源再接通。设备有自己的上电检测电路，上电后将设备置于定义的状态。
设备信号
发送专用命令
5.3.1 总线协议
上电复位后，主机必须通过专有的基于消息的 e•MMC 总线协议初始化设备。每一个消
息有下列 token 之一来代表：
命令：命令是启动一种操作的 token。命令从主机发往设备。命令在 CMD 线上串
行传输。
应答：应答是从设备发往主机作为对上一命令回答的 token。应答在 CMD 线上串
行传输。
数据：设备可以从设备传输到主机，也可以反之。数据通过数据线传输。数据传输
所用的数据线数可以是 1（DAT0）、4（DAT0-DAT3）或 8（DAT0-DAT7）。
对于每一条数据线，数据可以在每时钟周期 1 bit 的速率（单倍数据率）或 2 bit 的速率
（双倍数据率）下传输。
设备寻址是采用利用在初始化阶段分配的会话地址，通过连接到设备的总线控制器实现
的。设备依靠其 CID 编号识别。这种方法要求设备有一个唯一的 CID 编号。为了保证 CID
的唯一性，CID 寄存器包含 MMCA/JEDEC 定义的 24 bit（MID 和 OID 域，见 7.2 节）。每
一个厂商都需要申请一个唯一的 MID（和可选的 OID）编号。
e•MMC 总线数据传输包括命令、应答和数据块结构 token。数据传输是总线操作。操
作总是包含一个命令和一个应答 token。此外，某些操作有数据 token。
e•MMC 命令是面向块的命令：这些命令发送一个接续了 CRC 位的数据块。无论读或
写操作都允许单块或多块传输。多块传输是当在 CMD 线上后续停止命令时终止的，类似于
连续读。
图 2 – 多块读操作
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