第 1 章
HFSS 天线设计流程
HFSS 是美国 Ansoft 公司(注:Ansoft 公司于 2008 年被 Ansys 公司收购)开发的全波三维
电磁仿真软件。该软件采用有限元法,计算结果准确可靠,是业界公认的三维电磁场设计和
分析的工业标准。
HFSS 采用标准的 Windows 图形用户界面,简洁直观;自动化的设计流程,易学易用;稳
定成熟的自适应网格剖分技术,结果准确。使用 HFSS,用户只需要创建或导入设计模型,
指定模型材料属性,正确分配模型的边界条件和激励,准确定义求解设置,软件便可以计算
并输出用户需要的设计结果。
作为一款功能强大的三维电磁设计软件,HFSS 可以为天线设计提供全面的解决方案。
使用 HFSS 可以仿真分析和优化设计各类天线,精确计算天线的各种性能,包括二维、三维
远场和近场辐射方向图、天线的方向性系数、增益、轴比、半功率波瓣宽度、输入阻抗、电
压驻波比、S 参数以及电流分布特性等。
本章首先就 HFSS 天线设计的流程做一个简要的概述,然后就 HFSS 天线设计过程中每
个设计步骤的相关设置和具体操作进行详细的介绍。
1. 1 H FSS 天线设计流程概述
图 1.1.1 所示为使用 HFSS 进行天线设计的简要流程,设计流程中各个步骤的功能分述
如下。
①设置求解类型,在天线设计中可以选择模式求解类型或者终端驱动求解类型。
图 1 .1.1HFSS 天线设计流程
②创建天线的结构模型。根据天线的初始尺寸和结构,在 HFSS 模型窗口中创建出天线
的 HFSS 参数化设计模型。另外,HFSS 也可以直接导入由 AutoCAD, Pro/E 等第三方软件
创建的结构模型。
③设置边界条件。在 HFSS 中,导体结构一般设定为理想导体边界条件(Perfect E)或者
有限导体边界条件。使用 HFSS 设计天线时,还必须在辐射体的外侧正确设置辐射边界条件
或者理想匹配层(PML)边界条件,这样 HFSS 才会计算天线的远区辐射场。
④设置激励方式。天线必须通过传输线或者波导传输信号,天线与传输线或者波导的连
接处即为馈电面或者称为激励端口。天线设计中馈电面的激励方式主要有两种,分别是波端
口激励(Wave Port)和集总端口激励(Lumped Port) 。
⑤设置求解参数,包括设定求解频率和扫频参数,其中,求解频率通常设定为天线的中
心工作频率。
⑥运行求解分析。上述操作完成后,即创建好天线模型,正确设置了边界条件、激励方式和
求解参数,即可执行求解分析操作命令来运行仿真计算。整个仿真计算由 HFSS 软件自动完
成,不需要用户干预。分析完成后,如果结果不收敛,则需要重新设置求解参数;如果结果
收敛,则说明计算结果达到了设定的精度要求。
⑦查看求解结果。求解分析完成后,在数据后处理部分可以查看 HFSS 分析出的天线的
各项性能参数,如回波损耗 S-、电压驻波比 VSWR、输入阻抗、天线方向图、轴比和电流
分布等。如果仿真计算的天线性能满足设计要求,那么已经完成了天线的仿真设计,此时可
以着手制作、调试实际的天线了。如果仿真计算的天线性能未能达到设计要求,那么还需要
使用 HFSS 的参数扫描分析功能或者优化设计功能,进行参数扫描分析和优化设计。
⑧Optimetrics,优化设计。如果前面的分析结果未达到设计要求,那么还需要使用
Optimetrics 模块的参数扫描分析功能和优化设计功能来优化天线的结构尺寸,以找到满足设
计要求的天线尺寸。
1. 2 H FSS 天线设计详细操作
1. 2. 1 求解类型
HFSS 中共有三种求解类型,分别是模式驱动求解(Driven Modal)、终端驱动求解( Driven
Terminal)和本征模求解(Eigenmode。在天线设计中,通常选择模式驱动或者终端驱动求解类
型。其中,模式驱动求解类型根据导波模式的入射和反射功率来计算 S 参数矩阵的解,终
端驱动求解类型根据传输线终端的电压和电流来计算 S 参数矩阵的解。
通过选择【HFSS】→【Solution Type】命令,可以打开如图 1. 2. 1 所示的对话框,设定
设计的求解类型。
图 1.2.1 求解类型
1. 2. 2 创建天线结构模型
HFSS 软件提供了一个简单易用的建模环境,从而可以准确、方便地创建出各种天线的
结构模型,包括准确地设置天线模型的结构尺寸和正确地分配模型的材质。
在 HFSS 中也可以导入由第三方软件创建的结构模型。通过选择主菜单栏中的【Modeler】
→【Import】命令,可以导入使用 AutoCAD, Pro/E 等软件创建的天线结构模型。另外,为
了方便后续的参数扫描分析、优化设计,以及为了能够方便地更改设计模型的结构尺寸,在
建模时可以定义一系列的变量来表示模型的物理尺寸。
1.2. 3 设置边界条件
边界条件用于确定场,正确地设置边界条件是正确使用 HFSS、仿真计算出准确结果的
前提。而且,灵活地使用边界条件还可以很好地降低模型的复杂度。
在 HFSS 设计中,设置边界条件的步骤为:首先选中物体表面,然后在三维模型窗口中
单击鼠标右键,在弹出的快捷菜单中选择【Assign Boundary】命令,即可弹出设置边界条件
的级联菜单,如图 1. 2. 2 所示,单击级联菜单中的边界条件名称,即可打开相应边界条件的
设置对话框,给选中的物体表面分配该边界条件。
图 1. 2. 2 设置边界条件
HFSS 中定义了多种边界条件类型,分别为理想导体边界条件(Perfect E )、理想磁边界
条件(Perfect H )、有限导体边界条件(Finite Conductivity、辐射边界条件( Radiation)、对称边
界条件(Symmetry)、阻抗边界条件(Impedance)、集总 RLC 边界条件(Lumped RLC )、无限地
平面(Infinite Ground Plane)、主从边界条件(Masterand Slave)、理想匹配层(PML)和分层阻抗
边界条件(Layered Impedance)。天线设计中,最常用到的边界条件是理想导体边界条件
(Perfect E )、有限导体边界条件( Finite Conductivity)、辐射边界条件(Radiation)和理想匹配层
(PML)。
1.理想导体边界条件
在 HFSS 中,任何与背景相关联的物体表面以及材质为理想电导体(Pec)的物体表面都会
被自动设置为理想导体边界。这种边界条件的电场矢量(E-Field )垂直于物体表面。
在设计中,为了降低模型的复杂度,经常通过给物体表面分配理想导体边界条件的方式
来实现理想导体壁。例如,在微带线和带状线的 HFSS 设计模型中,信号线以及参考地都可
以使用理想的薄导体来代替。此时,在设计中可以首先创建一个二维平面,然后把平面的边
界条件设为理想导体边界。
2.有限导体边界条件
前面提到,为了降低模型的复杂度,经常通过给物体表面分配理想导体边界条件的方式
来实现理想导体壁。但是实际天线结构的导体部分通常都是使用良导体,如金属铜。使用有
限导体边界,可以实现把一个平面的边界条件设置为金属铝、金属铜等良导体。
3.辐射边界条件
辐射边界条件也称为吸收边界条件(Absorbing Boundary Condition, ABC),用于模拟开
放的自由空间。系统在辐射边界处吸收了电磁波,本质上可以把边界看成是延伸到空间无限
远处。天线是一个辐射结构,理论上其边界应该在无穷远处。而在有限元求解中,把边界条
件设置在无穷远处会严重影响求解效率,这样不切合实际。为了兼顾准确度和求解效率,
HFSS 引入了辐射边界条件和理想匹配层来代替无限大的自由空间。
在使用 HFSS 进行天线设计时,必须定义辐射边界条件或者理想匹配层,用以模拟开放
的自由空间。在设计中只有定义了辐射边界条件或者理想匹配层,软件才会自动分析计算天
线的远区场。
使用辐射边界条件作为自由空间的近似,这种近似的准确程度取决于波的传播方向与辐
射边界表面之间的角度,以及辐射体与边界表面之间的距离。若用 e 表示波的传播方向和辐
射边界表面之间的角度,那么辐射边界的反射系数与 e 之间的关系可以用图 1. 2. 3 来表示。
从图中可以看出,当波的传播方向与辐射边界表面正交,即 θ=00时,电磁能量几乎全部被
边界吸收,反射系数最小,此时仿真计算结果最准确;当波的传播方向与辐射边界表面平行,
即 θ = 900时,电磁能量几乎全部被辐射边界反射回去,此时仿真计算结果的准确度最差。
图 1. 2. 3 反射系数与入射波相对辐射边界表面夹角的关系曲线
图 1. 2. 4 所示为一个半波偶极子天线的回波损耗(S11参数)和辐射边界距离之间的关系
图,图中给出了辐射边界和偶极子天线距离分别为λ/16, λ/8, λ/4, λ/2,3λ/4,λ和 5
λ/4 情况下的回波损耗S11分析结果。从图中可以看出,当辐射边界和偶极子天线之间的距
离大于λ /4 时,回波损耗S11分析结果基本一致,不再有大的波动。所以,通常情况下,为
了保证计算结果的准确,辐射边界距离辐射体应不小于 1/4 个工作波长。
图 1. 2. 4 偶极子天线的S11参数和辐射边界距离之间的关系
辐射边界条件的具体设置步骤如下:首先选中物体表面,然后在三维模型窗口中单击鼠
标右键,在弹出的快捷菜单中选择【Assign Boundary】→【Radiation】命令,打开如图 1.2.5
所示的辐射边界条件设置对话框。在天线设计中,通常只需选中对话框中的 Radiating Only
单选按钮(即保持默认设置即可)。最后单击
按钮,即可设置选中的物体表面为辐
射边界条件。
图 1. 2. 5 辐射边界条件设置对话框
4.理想匹配层(PML )
在天线设计中,除了可以使用辐射边界条件来模拟开放的自由空间之外,也可以选择使
用理想匹配层来模拟开放的自由空间。
理想匹配层(Perfectly Matched Layers, PML)是能够完全吸收入射电磁波的假想的各项
异性材料边界,其有两种典型的应用,一是用于外场问题中的自由空间截断,二是用于导波
问题中的吸收负载。对于自由空间截断的情况,PML 表面能够完全吸收入射来的电磁波,
其作用类似于辐射边界条件。和辐射边界条件相比,理想匹配层由于能够完全吸收入射的电
磁波,零反射,因此计算结果更精确。另外,理想匹配层表 面可以距离辐射体更近,差不
多 1/10 个波长即可,而辐射边界表面和辐射体之间的距离一般需要大于 1/4 个工作波长。
辐射边界条件的具体设置步骤如下:首先选中物体表面,然后在三维模型窗口中单击标
右键,在弹出的快捷菜单中选择【Assign Boundary】→【PML Setup Wizard】命令,打开如
图 1.2.6 所示的理想匹配层设置向导,根据设置向导的提示,设置选中的物体表面为理想匹
配层。其中,在设置向导的 Cover Objects 对话框中,Uniform Layer Thickness 一般设置为
1/2 个工作波长,在天线设计时需要选中 Base Face Radiation Properties 选项组中的 Radiating
Only 单选按钮,如图 1. 2. 6(a)所示。然后单击
按钮,打开 Material Parameter,
对话框,在其中的 Min Frequency 文本框中输入最小工作频率,天线设计时通常输入天线的
中心频率,Minimum Radiating Distance 一般设置为一个工作波长,如图 1.2.6 (b)所示。然
后再次单击
按钮,直至完成。
图 1. 2. 6 理想匹配层设置向导
1. 2. 4 设置激励方式
在 HFSS 中,激励是一种定义在三维物体表面或者二维平面物体上的激励源,这种激励
源可以是电磁场、电压源、电流源或者电荷源。HFSS 中定义了多种激励方式,主要有波端
口激励(Wave Port)、集总端口激励(Lumped Port ) , Floquet 端口激励( Floquet Port)、入射波
激励(Incident Wave)、电压源激励(Voltage Source)、电流源激励(Current Source)和磁偏置激
励(Magnetic Bias)。
天线必须通过传输线或者波导传输信号,天线与传输线或者波导的连接处可以看做是端
口平面。天线设计中,端口平面的激励方式多设置为波端口激励或者集总端口激励。其中,
如果端口平面与背景相接触,激励方式需要设置为波端口激励;如果端口平面在模型内部,
激励方式则需要设置为集总端口激励。
1.波端口激励
与背景相接触的端口平面需要设置为波端口激励。在设置波端口激励时,需要设置积分
校准线(模式驱动求解类型)或终端线(终端驱动求解类型)、S 参数归一化阻抗值和端口平移
距离等信息。
对于模式驱动求解类型,在设置波端口激励方式时,需要设定端口的积分线( Integration
Line)。设定积分线的口的有两个,一是确定电场的方向,积分线的箭头指向即为电场的正
方向;二是设定端口电压的积分路径,用于计算端口电压等参数。在模式驱动求解类型下,
在波端口设置对话框的 Modes 界面中选择 Integration Line。列对应的 None,再从下拉列表
中选择 New Line 选项,即可设置波端口的积分线,如图 1. 2. 7 ( a)所示。设定好的波端口
积分线如图 1. 2. 7 ( b)所示。
图 1. 2. 7 模式驱动求解类型下的波端口激励端——端口积分线
对于终端驱动求解类型而言,在设置波端口激励方式时需要设定端口的终端线
( Terminal Line),通过终端线上的节点电流和电压来计算端口的阻抗和 S 参数矩阵。对于
HFSS 11 以前的版本,用户需要手动设置终端线作为电压的积分路径,HFSS 根据设定的终
端线计算端口的节点电压。很多时候确定端口的电压积分线是比较困难的,手动设置这样的
终端线是费时且费力的一件事。因此,HFSS 11 以及 HFSS 11 之后的版本对端口终端线的设
置做了改进,由用户手动设置终端线作为电压积分路径来计算节点电压,改为系统自动设置
终端线作为磁场的积分路径来计算节点电流。在终端驱动求解类型下,设置波端口时会打开
如图 1.2.8 (a)所示的对话框,要求用户指定终端线的参考导体,对于常用的微带线和带状
线结构,通常是把参考地设定为终端线的参考导体,即选中对话框中参考地对应的 Use as
Reference 复选框。然后,HFSS 软件会把其他金属层和端口平面相交的棱边自动设定为终端
线。图 1.2.8 (b)所示为一个微带线结构的设定好的波端口终端线。
图 1. 2. 8 终端驱动求解类型下的波端口激励设置和终端线
无论是模式驱动求解类型还是终端驱动求解类型,在设置波端口激励时,都需要设置端
口的 S 参数归一化阻抗值,归一化阻抗即端口的负载阻抗。在微波射频频段,端口负载阻
抗一般都是 50Ω。在波端口设置对话框的 Post Processing 选项卡中,选中 Renormalize All
Modes 单选按钮,即可在 Full Port Impedance 文本框中输入归一化阻抗的值,通常此处输入
50ohm,如图 1.2.9 所示。如果此处选中的是 Do Not Renormalize 单选按钮,那么导波系统
中每个模式在波端口处都是完全匹配的,此时计算分析的是广义 S 参数。
图 1. 2. 9 波端口设置对话框的 Post Processing 选项卡
另外,在波端口设置对话框的 Post Processing 选项卡中还可以设置 Deembed 功能。HFSS 的
Deembed 功能可以简单地理解为端口平移功能,即平移端口到新的位置,然后计算出相应
的 S 参数。假设有一个三端口器件,端口平移前 S 参数矩阵为 S,端口平移后新的 S 参数矩
阵为Sdeembed,则有:
Sdeembed = eγlSeγl (1-2-1)
式中eγl = [
1
eγ
0
0
l1
l1
0
eγ
0
2
0
0
eγ
3
l3
],γ是复传播常数,γ = α + jβ。α称为衰减常数,单位
是 Np/m , β称为波的相位常数,单位为 rad/m;各个端口的复传播常数γ
由 HFSS 计算求
i
解;Li是各个端口平移的距离。
端口平移只影响数据后处理的结果,使用端口平移功能将端口平移到新的位置后,HFSS
不需要重新运行仿真计算。在设置端口平移距离时,正数表示端口平面向模型内部移动的距
离,负数表示端口平面向模型外延伸的距离。
波端口四周默认的边界条件是理想导体边界,因此对于波导或同轴线这类横截面闭合的
器件,端口截面四周都是导体,波端口直接定义在其终端横截面上即可。而对于微带线、带