电磁锁的控制电路设计.doc

发布时间：2022-06-02 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.06M 资料格式：doc 举报版权申诉

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最左端为 I/O 控制端 R2 一般选取 200-500 欧姆，从而驱动 521 内部的二极管。因为本片子的 I/O 驱动电流过小，所以添加一个三极管来驱动光耦。光耦起到隔离负载与片子。原来在 1 位置放置一个 1K 电阻，测的 LOCK+端为 3.4V。去掉后 lock+为 11.52V。因为 MOS 管的内阻，导致大部分电压被 R1 分去。 MOS 管可通过的电流更大，反映速度更快。 NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。 PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。

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