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JFM7K325T 型 SRAM 型现场可编程门阵列技术手册 2019.04 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 1

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章节列表 1 产品介绍 ..................................................................................................................................................................... 4 2 产品参数 ..................................................................................................................................................................... 7 2.1 极限参数 ............................................................................................................................................................ 7 2.2 推荐工作条件 .................................................................................................................................................... 8 2.3 电特性参数 ........................................................................................................................................................ 9 2.4 ESD 等级 .......................................................................................................................................................... 18 3 封装 ........................................................................................................................................................................... 19 3.1 外形图及尺寸 .................................................................................................................................................. 19 3.2 引出端定义 ...................................................................................................................................................... 20 4 注意事项 ................................................................................................................................................................... 31 版本信息 ............................................................................................................................................................................ 32 上海复旦微电子集团股份有限公司销售及服务网点 ............................................................................................ 33 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 3

1 产品介绍 JFM7K325T 属于 JFM7 产品系列，是高性能 FPGA，具有现场可编程特性。JFM7 系列 FPGA 集成了功能强大、并可以灵活配置组合的可编程资源，用于实现输入输出接口、通用数字逻辑、存储器、数字信号处理、时钟管理等多种功能，同时提供了丰富的专用时钟与布线资源，适用于实现复杂、高速的数字逻辑电路，可广泛应用于通讯、信息处理、工业控制、数据中心、仪表测量、医疗仪器、人工智能、自动驾驶等领域。 JFM7K325T 产品包含可用于实现常规数字逻辑和分布式 RAM 的 CLB 模块。此外，还包含 I/O、 Block RAM、DSP、MMCM、GTX 等可编程模块，可以方便地实现各类特定应用。 ●总体特点可配置逻辑资源（CLB）  采用 LUT6 结构，相应一个 LUT6 配 2 个可配置 DFF，以及其它 MUX,CARRY CHAIN 等资源数字信号处理资源（DSP）  包含 25*18 的乘法器  包含 48bit ALU，25bit 预加器  灵活的 PIPELINE 实现块存储器资源（BRAM）  包含 36K 真双端口可配置 RAM  深度和宽度可灵活配置  内建 FIFO 逻辑等资源输入输出资源（IOB）  包含两类 IOB，High Range（3.3V），High Performance（1.8V)  实现输入输出三态功能  支持 LVCMOS、LVDS、HSTL 等若干种电平标准  支数控阻抗匹配功能 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 4

输入输出逻辑资源（IOL）  可以配置为组合逻辑，也可以是寄存器，同时支持 DDR  所有输入和部分输出含可配置延时单元，满足系统同步需求  包含串列器和解串器时钟管理资源（CMT）  主要实现频率综合，相移，时钟生成，含一个混合模式时钟管理器（MMCM）和一个 PLL 模数转换资源（ADC）  包含一个双 12bit，1MSPS ADC，以及片上传感器资源  支持片上温度检测  支持片上电源检测  支持外部模拟输入转数字信号 SERDES 资源  包含内建多速率高速收发器，并针对 chip-to-chip 互连应用进行优化  兼容 PCIe V1.1/2.0、10GBASE-R、Interlaken、XAUI、RXAUI、CAUI、CPRI、OBSAI、 OC-48/192、OUT-1/2/3/4、SRIO、SATA、SDI 等通信协议  提供内部集成 PCIe 集成模块，最高支持×8 速 PCIe Gen2 配置模式  支持主串、从串、主并、从并、JTAG、SPI、BPI  支持 AES 加密  支持 SM4 加密 FCBGA900 倒装片封装 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 5

JFM7K325T 资源具体数量如下表所示。表 1-1JFM7K325T 可编程资源可配置逻辑块 (CLB) Block RAM 器件逻辑单元 Slice 数 DSP Slice 最大分布式 RAM (Kb) 18KB 模块最大 Block RAM (Kb) C M T P C I e 2 . 1 G T X X A D C 最 I/O 组总数用户 I/ O 数 JFM7K325T 326,080 50,950 4,000 840 890 16,020 10 1 16 1 10 500 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 6

2 产品参数 2.1 极限参数绝对最大额定值如下： -0.5V~+2.06V； -0.3V~+2.0V；内核电源电压 VCCINT……………………………………………… -0.50V~+1.1V；辅助电源电压 VCCAUX……………………………………………… -0.5V~+2.0V；内核电源电压 VCCBRAM……………………………………………… -0.50V~+1.1V；输出驱动 HR 电源电压 VCCO……………………………………………-0.5V~+3.6V；输出驱动 HP 电源电压 VCCO……………………………………………-0.5V~+2.0V；辅助电源电压 VCCAUX_IO……………………………………………… 输入参考电压 VREF………………………………………………… I/O 输入电压（HR IO）VIN………………………………………… -0.4V~VCCO+0.55V； I/O 输入电压（HP IO）VIN………………………………………… -0.55V~VCCO+0.55V； I/O 输入电压（带 VREF 的差分 IO,除了 TMDS_33）VIN………… -0.40V~2.625V；辅助电源电压 VCCBATT……………………………………………… -0.5V~+2.0V； GTX 内核电源电压 VMGTAVCC………………………………………… GTX 收发端模拟电源 VMGTAVTT………………………….….......…… GTX QPLL 电源电压 VMGTVCCAUX……………………………………-0.50V~+1.935V； GTX 时钟输入电压 VMGTREFCLK…………………………………………-0.50V~+1.32V； GTX 电阻校准模拟电源电压 VMGTAVTTRCAL……………………………-0.50V~+1.32V； GTX RX TX 绝对输入电压 VIN……………………………………...…-0.50V~+1.26V； GTX 接收端 FLOATING 时输入最大电流 IDCIN-FLOAT…………....……14mA； GTX 接收端 MGTAVTT 时输入最大电流 IDCIN-MGTAVTT………….……12mA； GTX 接收端 GND 时输入最大电流 IDCIN-GND…………….……....……6.5mA； GTX 发送端 FLOATING 时输入最大电流 IDCOUT-FLOAT…………....……14mA； GTX 发送端 MGTAVTT 时输入最大电流 IDCOUT-MGTAVTT………….……12mA； XADC 电源电压 VCCADC………………………….………………-0.50V~+2.0V； XADC 参考电压 VREFP……………………………………………-0.50V~+2.0V；贮存温度（Tstg）………………………………………………… Pb-free 引线耐焊接最高温度（TSOL）…………………………………… +260℃（10s）；结温（Tj）………………………………………………………… +100℃； -0.50V~+1.1V； -0.5V~+1.32V； -65℃～+150℃； JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 7

2.2 推荐工作条件推荐工作条件如下：内核电源电压 VCCINT……………………………………………… 0.97V～1.03V；内核电源电压 VCCBRAM……………………………………………… 0.97V～1.03V；辅助电源电压 VCCAUX……………………………………………… 1.71V~1.89V； HR BANK 输出驱动电源电压 VCCO………………………………… 1.14V～3.45V； HP BANK 输出驱动电源电压 VCCO………………………………… 1.14V～1.89V； 1.8V 电压下的辅助电源电压 VCCAUX_IO……………………………… 1.71V～1.89V； 2.0V 电压下的辅助电源电压 VCCAUX_IO……………………………… 1.94V～2.06V； I/O 输入电压 VIN………………………………………………………-0.2V~VCCO+0.2V； I/O 输入电压（带 VREF 的差分 IO,除了 TMDS_33）VIN…………-0.20V~2.625V；电池电源电压 VCCBATT……………………………………………… 1.0V～1.89V；钳位二极管正偏时的最大输入电流………………………………… 10 mA； GTX 小于等于 10.3125GHZ 内核电源电压 VMGTAVCC………… 0.97V~1.08V； GTX 大于 10.3125GHZ 内核电源电压 VMGTAVCC……………… 1.02V~1.08V； GTX 收发端模拟电源 VMGTAVTT………………………….….......…… 1.17V~1.23V； GTX QPLL 电源电压 VMGTVCCAUX…………………………………… 1.75V~1.85V； GTX 电阻校准模拟电源电压 VMGTAVTTRCAL………………………… 1.17V~1.23V； XADC 电源电压 VCCADC………………………….……………………1.71V~1.89V； XADC 参考电压 VREFP…………………………………………………1.20V~1.30V；工作温度（TJ）………………………………………………………… -40℃～+100℃。 JFM7K325T 型SRAM 型现场可编程门阵列版本1.0 技术手册 8

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