微电机2007年第40卷第4期(总第160期)
中图分类号:TN702
文献标识码:A
文章编号:1001-6848(2007)06.0098.03
一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计
(1.中国石油大学,北京100080;2.北京机械工业学院,北京100080)
孙佃升1,白连平2
摘 要:叙述了绝缘栅双极型晶体管IGBT对驱动和保护电路的要求以及设计其驱动和保护电路
时应注意的问题。以EXB841为例,介绍了一种实用的功率IGBT驱动和保护电路。该电路具有
很好的性能。
关键词:IGBT;驱动电路;保护电路;EXB841
Design of Driving and Protecting Circuit for IGBT Applying EXB841
SUN Dian—shen91,BAI Lian—pin92
(1.China University of Petroleum,Beijing 100080,China
2.Beijing Institute of Machinery,Beijing 100080,China)
ABSTRACT:This paper introduced the require of driving and protecting circuit for IGBT and the atten—
tions to design driving and protecting circuit.It also introduced a practically driving and protecting cir—
cuit for power IGBT applying EXB84 1.The capability of the circuit is good and the circuit is applied
successfully.
KEY WORDS:IGBT;Driving circuit;Protecting circuit;EXB841
O 引 言
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了GTR和
MOSFET的特点,具有输入阻抗高、开关损耗小、
驱动功率小等一系列优点。功率IGBT正13益广泛
地应用于变频电源、斩波器以及交直流电机的调
速系统之中。其驱动和保护电路的性能直接影响
到IGBT性能的发挥和整个系统的可靠,因此,驱
动和保护电路的设计是IGBT应用中的关键。
1功率IGBT对驱动电路的要求
IGBT属电压驱动器件,具有2.5 V一5 V的阈
值电压;当栅极和发射极之间电压(也称栅极电
压)为正时,称为栅极正偏电压+%。,为负时,称
为栅极负偏电压一%。,R。为门极电阻。IGBT的
栅极驱动电路影响其通态压降、开关时间、开关
损耗、承受短路电流的能力及dK。/dt等电路参
数,决定了IGBT的动态及静态特性;当电路发生
故障时,必须采取适当措施保护IGBT。
收稿日期:2006—09-21
—98—
万方数据
1.1栅极驱动电压%。
栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分
大,上升沿陡峭栅极正偏电压能使IGBT快速开
通,达到缩短开通时间和减小开通损耗的目的,
同样,下降沿陡峭的栅极负偏电压能够达到快速
关断器件,减小关断损耗的目的。此外,为保证
IGBT正常工作,对栅极电压幅度也有要求。当IG.
BT开通后栅极正偏电压应有足够的幅度,以使IG.
BT能够适应短时过载,以免其退出饱和区,导致
损坏。但栅极正偏电压的幅值也不能任意大,因
为增大到一定程度后,对IGBT承受短路电流的能
力以及dVG。/dt具有不利影响。实验证明,室温状
态下,60 A/1 200 V以下的IGBT的阈值电压一般
为5 V.6 V,实际应用时应选其1.5-2.5倍,即+
15 V较合适。在关断IGBT时在栅射极之间施加反
偏电压,有利于管子的快速关断,并抑制擎住现
象的发生,受栅射极之间最大耐压限制,一般取
反偏电压为一5 V。
1.2栅极电阻足G
IGBT的输入阻抗高达109—1011 Q,且为纯容
一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计孙佃升 白连平
性的,静态时不需要直流电流,只需要对输入电
容进行充、放电的动态电流。为了改善输入脉冲
的前后沿陡度和防止震荡,需在栅极串联电阻足G。
但足G增大时会延长IGBT通断时间,增加通断损
耗,而减小足G会使di/dt增加,可能引起误导通。
因此,R。应根据开关频率和电流电压额定值选择,
一般为几十至几百欧姆。
1.3栅射电阻露GE
当IGBT集射极问有高压时,很容易受外界干
扰使栅射电压超过%。(th)引起器件误导通。为避
免这类情况发生,可在栅射极并接一电阻,通常
大小为(1 000—5 000)足G,而且放在距离栅射极最
近处为宜。为防止栅射出现电压尖峰,最好在栅
射极间并接2只反向串联的稳压管,其值分别与+
‰和一%。相等。
2
IGBT保护
2.1过电流和短路保护
图1是IGBT饱和压降与集电极电流之间的关
系。可见,当集电极电流增大时,饱和压降迅速
上升,二者大体成线性关系,可通过检测饱和压
降来判断IGBT是否过流。
l,lO
I/5
图1饱和压降与集电极电流的关系
图2栅极电压和IGBT过电流、允许过电流持
续时间的对应关系。从图中可以看到,当栅极电
压减小时,过电流迅速减小,允许过电流持续时
间相应增加。一般情况下,IGBT在过电流开始的
10斗s内允许承受10倍的过电流。因此必须在过流
的瞬间迅速降低栅极电压,但应当在规定的时限
内慢速关断。
2.2
dv/dt保护
当IGBT集射极间电压变化率dv/dt过高时,
可能引起IGBT发生动态锁定效应,甚至可能被击
穿。另外,由于IGBT极问等效电容的存在,dv/dt
过大还可能导致器件误导通。因此应合理设计关
万方数据
断缓冲放电电路,如图3所示。关于图中参数的选
择,请参阅文献[1]。
I|扎
图2栅极电压和过电流、允许过电流持续时间的关系
图3缓冲放电电路
2.3过热保护
为使IGBT正常工作,应考虑其散热问题,配
置合适的散热片,如有必要还可用温度传感器测
量其壳温度,如果高于允许温度,应使主电路跳
闸或关断栅极信号。
3基于EXB841的IGBT驱动与保护
电路设计
EXB系列模块是日本富士公司开发的针对IG.
BT的专用混合集成驱动电路。EXB系列有高速型
和标准型。标准型的驱动信号最大延迟为4斗s,
高速型的驱动信号延迟最大为1.5 Ixs。EXB系列
内部有2 500 V的高隔离电压的光耦合器,有过流
保护电路和过流保护信号输出端子。EXB841适合
驱动300 A/1 200 V以下的IGBT。其最高工作频率
为40 kHz,单20 V电源供电,内部产生一5 V的
负偏电压,有过流保护和软关断功能。应用
EXB841可大大简化IGBT驱动和保护电路的设计,
同时也提高了可靠性。
用IGBT构成的电路系统在调试或发生故障
时,往往会出现过流或短路的情况。如果能够设
计可靠的过流(短路)保护电路,就能够避免故障
时器件的损坏。图4是用EXB841构成的IGBT驱
动和保护电路图。
图中EAR34.10是反向恢复时间为150 ns的快
恢复二极管,正向导通压降为3 V。如果采用其他
一99~
微电机2007年第40卷第4期(总第160期)
出端Q输出高电平,经过三极管,加到与门上的
电平为低电平,封锁EXB841的输入信号,达到及
时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。图4中在RS
触发器的R端加了复位按扭,发生故障时,RS触
发器将Q端输出的高电平锁住,当排除故障后,
可以按动复位按钮,解除对栅极控制信号的封锁。
该电路已投入实际应用,运行稳定可靠。
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不满足这种性能指标的二极管,将会降低驱动电
路过流保护的速度,造成过流保护的失败。图中
RS触发器采用CD4043构成,与门采用74LS09构
成,TLP52为快速光耦。保护电路部分中,TLP521
的信号延迟时问为2.3个IXS,CD4043的信号延迟
时间最大为几百个ns,而74LS09的信号延迟时间
最大为几十个ns。因此,保护电路在信号响应上
是足够快的。当IGBT发生过流时,EXB841的5
脚电平收高为低,Rs触发器s端变为高电平,输
(上接第94页)
器工作状态不一致,不存在可比性。但从测试电
路图可以看出,采用串联连接的方式时当开关K
断开后,电动机和制动器同样不能构成闭合回路,
同样不存在采用图1所示测试电路的振荡过渡
过程。
3 结语
对于不同的机组,要针对电动机与制动器的
具体参数指标及系统所采用的连接方式进行分析。
当电动机与制动器的电压参数一致时,可以
采用图1所示测试电路,也可以采用图2所示测试
电路(当然,为了节省系统的空间、减小系统的体
积,此种情况存在的可能性不大)。虽然采用图2
[3]施涛昌.功率IGBT的驱动保护及其应用技术[J].电子技
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[J].实验室研究与探索,2000,(6):55-56.
作者简介:白连平,男,博士生,现为教授,硕士生导师,
从事电子技术研究。
孙佃升(1980一),男,硕士研究生,从事电子技术研究。
测试电路测得的结果较小,但采用图1所示的测试
电路所测得的结果更能真实地反映系统中机组的
制动时间。
当电动机与制动器的电压参数不一致时,而
系统中电动机和制动器又采用的是并联连接的方
式,只能采用图2所示测试电路,所测得的结果就
是系统中机组制动时间的真实反映。
当系统中电动机和制动器采用的是串联连接
的方式,只能采用图3所示测试电路,所测得的结
果也是系统中机组制动时间的真实反映。
作者简介:米永存(1973~),男,工程师,主要从事微特直
流电机的设计、研发。
.--——100.—·——
万方数据
一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路设计
作者:
孙佃升, 白连平, SUN Dian-sheng, BAI Lian-ping
作者单位:
孙佃升,SUN Dian-sheng(中国石油大学,北京,100080), 白连平,BAI Lian-ping(北京机械
工业学院,北京,100080)
刊名:
英文刊名:
年,卷(期):
微电机
MICROMOTORS
2007,40(6)
1次
引用次数:
参考文献(5条)
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2.卫三民.李发海 一种大功率IGBT实用驱动及保护电路[期刊论文]-清华大学学报(自然科学版) 2001(9)
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第五章讨论了IGBT并联均流技术。对影响IGBT并联动、静态均流的因素进行了仿真分析,提出了均流措施,并对栅极驱动信号补偿电路的工作原理
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引证文献(1条)
1.朱连成.王琳.宁春明.刁嫣妲 基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计[期刊论文]-辽宁科技大学学报 2008(01)
本文链接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wdj200706028.aspx
下载时间:2010年5月10日