英飞凌IGBT参数中文版.pdf

发布时间：2022-06-03 发布人：admin 分类：说明书资料大小：1.22M 资料格式：pdf 举报版权申诉

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英飞凌IGBT模块规格的正确理解王浩

正确理解规格书 电流参数 电压参数 开关参数 二极管参数 热学参数以 FF450R17ME3 为例

电流参数  额定电流（IC nom ） 内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A 可以用以下公式估算： Tjmax –TC = VCEsat·IC nom ·RthJC VCEsat 是IC nom 的函数，见规格书后图1，采用线性近似 VCEsat =(IC nom +287)/310  Tjmax =150℃,TC =80℃,RthJC =0.055K/W 计算得：IC nom =500A 估算的办法用于和竞争对手比较的情况，竞争对手经常虚标电流，而IFX则留有余量

电流参数  脉冲电流（Icrm 和Irbsoa） Icrm 是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况） Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流 所有模块的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值

电流参数 短路电流ISC 短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃ 短路坚固性 IGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC IGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC

电压参数 集电极-发射极阻断电压Vces 测量Vces时，G/E两极必须短路 Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏 Vces和短路电流ISC 一起构成了IGBT模块的安全工作区：RBSOA图

电压参数 芯片能达到电压 模块能达到电压  由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下，模块耐压和芯片耐压有所区别

电压参数 饱和压降VCEsat  IFX IGBT的VCEsat 随温度的升高而增大，称为 VCEsat 具有正温度系数，利于芯片之间实现均流  VCEsat 是 IC的正向函数，随增大而增大IC

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