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PIC18F26K80的数据手册，PIC单片机希望有用啊.pdf
功耗管理模式：
ECAN总线模块特性：
单片机特性：
外设特点：
引脚图
目录
最新数据手册
勘误表
客户通知系统
1.0 器件概述
1.1 内核特性
1.1.1 纳瓦技术
1.1.2 振荡器选项和特性
1.1.3 存储器选项
1.1.4 扩展指令集
1.1.5 移植方便
1.2 其他特殊功能
1.3 系列中各器件的详细说明
表1-1： PIC18F2XK80器件特性（28引脚器件）
表1-2： PIC18F4XK80器件特性（40/44引脚器件）
表1-3： PIC18F6XK80器件特性（64引脚器件）
图1-1： PIC18F2XK80（28引脚）框图
图1-2： PIC18F4XK80（40/44引脚）框图
图1-3： PIC18F6XK80（64引脚）框图
表1-4： PIC18F2XK80 I/O说明
表1-5： PIC18F4XK80 I/O引脚说明
表1-6： PIC18F6XK80 I/O引脚说明
2.0 PIC18FXXKXX单片机入门指南
2.1 基本连接要求
图2-1： 建议的最低限度连接
2.2 电源引脚
2.2.1 去耦电容
2.2.2 槽路电容
2.3 主复位（MCLR）引脚
图2-2： MCLR引脚连接示例
2.4 稳压器引脚（Vcap/Vddcore）
图2-3： 建议的Vcap的频率与ESR性能
2.5 ICSP引脚
表2-1 适用的等效电容
2.6 外部振荡器引脚
2.7 未用I/O
图2-4： 振荡器电路的建议布线方式
3.0 振荡器配置
3.1 振荡器类型
表3-1： HS、EC、XT、LP和RC模式：范围和设置
图3-1： PIC18F66K80系列时钟框图
3.2 控制寄存器
寄存器3-1： OSCCON：振荡器控制寄存器
寄存器3-2： OSCCON2：振荡器控制寄存器2
寄存器3-3： OSCTUNE：振荡器调节寄存器
3.3 时钟源与振荡器切换
3.3.1 OSC1/OSC2振荡器
3.3.2 时钟源选择
3.3.3 振荡器转换
3.4 RC振荡器
图3-2： RC振荡器模式
图3-3： RCIO振荡器模式
3.5 外部振荡器模式
3.5.1 晶振/陶瓷谐振器（HS模式）
表3-2： 陶瓷谐振器的电容选择
表3-3： 晶振的电容选择
图3-4： 晶振/陶瓷谐振器工作原理 （HS或HSPLL配置）
3.5.2 外部时钟输入（EC模式）
图3-5： 外部时钟输入工作原理 （EC配置）
图3-6： 外部时钟输入工作原理 （HS振荡器配置）
3.5.3 PLL倍频器
图3-7： PLL框图
3.6 内部振荡器模块
3.6.1 INTIO模式
图3-8： INTIO1振荡器模式
图3-9： INTIO2振荡器模式
3.6.2 INTPLL模式
3.6.3 内部振荡器输出频率和调节
3.6.4 INTOSC频率漂移
3.7 参考时钟输出
寄存器3-4： REFOCON：参考振荡器控制寄存器
3.8 功耗管理模式对各种时钟源的影响
3.9 上电延时
表3-4： 休眠模式下OSC1和OSC2引脚的状态
4.0 功耗管理模式
4.1 选择功耗管理模式
4.1.1 时钟源
4.1.2 进入功耗管理模式
表4-1： 功耗管理模式
4.1.3 时钟转换和状态指示
表4-2： 系统时钟指示
4.1.4 多条SLEEP命令
4.2 运行模式
4.2.1 PRI_RUN模式
4.2.2 SEC_RUN模式
图4-1： 进入SEC_RUN模式的转换时序
图4-2： 从SEC_RUN模式切换到PRI_RUN模式的转换时序（HSPLL）
4.2.3 RC_RUN模式
表4-3： 内部振荡器频率稳定位
图4-3： 到RC_RUN模式的转换时序
图4-4： 从RC_RUN模式切换到PRI_RUN模式的转换时序
4.3 休眠模式
4.4 空闲模式
图4-5： 进入休眠模式的转换时序
图4-6： 从休眠模式唤醒的转换时序（HSPLL）
4.4.1 PRI_IDLE模式
4.4.2 SEC_IDLE模式
图4-7： 进入空闲模式的转换时序
图4-8： 从空闲模式唤醒进入运行模式的转换时序
4.4.3 RC_IDLE模式
4.5 选择性外设模块控制
寄存器4-1： PMD2：外设模块禁止寄存器2
寄存器4-2： PMD1：外设模块禁止寄存器1
寄存器4-3： PMD0：外设模块禁止寄存器0
4.6 退出空闲和休眠模式
4.6.1 通过中断退出
4.6.2 通过WDT超时退出
4.6.3 通过复位退出
4.6.4 在没有振荡器起振延时的情况下退出
4.7 超低功耗唤醒
例4-1： 超低功耗唤醒的初始化
图4-9： 超低功耗唤醒的初始化
表4-4： 通过复位从休眠模式或任何空闲模式唤醒的退出延时（按时钟源分类）
5.0 复位
5.1 RCON寄存器
图5-1： 片上复位电路的简化框图
寄存器5-1： RCON：复位控制寄存器
5.2 主复位（MCLR）
5.3 上电复位（POR）
图5-2： 外部上电复位电路 （Vdd缓慢上电的情况）
5.4 欠压复位（BOR）
5.4.1 用软件使能BOR
5.4.2 检测BOR
5.4.3 在休眠模式下禁止BOR
表5-1： BOR配置
5.5 配置不匹配（CM）
5.6 器件复位定时器
5.6.1 上电延时定时器（PWRT）
5.6.2 振荡器起振定时器（OST）
5.6.3 PLL锁定延时定时器
5.6.4 延时时序
表5-2： 各种情形下的延时
图5-3： 上电延时时序（MCLR连接到Vdd，Vdd电压上升时间 < Tpwrt）
图5-4： 上电延时时序（MCLR未连接到Vdd）：情形1
图5-5： 上电延时时序（MCLR未连接到Vdd）：情形2
图5-6： 缓慢上升时间（MCLR连接到Vdd，Vdd电压上升时间 > Tpwrt）
图5-7： 在PLL使能时POR 的延时时序（MCLR连接到Vdd）
5.7 寄存器的复位状态
表5-3： RCON寄存器的状态位、含义以及初始化状态
表5-4： 所有寄存器的初始化状态
6.0 存储器构成
图6-1： PIC18F66K80系列器件的存储器映射
6.1 程序存储器构成
6.1.1 存储器硬编码向量
图6-2： PIC18F66K80系列器件的硬编码向量
6.1.2 程序计数器
6.1.3 返回地址堆栈
图6-3： 返回地址堆栈和相关的寄存器
寄存器6-1： STKPTR：堆栈指针寄存器
6.1.4 快速寄存器堆栈
例6-1： 快速寄存器堆栈代码示例
6.1.5 程序存储器中的查找表
例6-2： 使用偏移量值的计算GOTO
6.2 PIC18指令周期
6.2.1 时钟机制
6.2.2 指令流/流水线
图6-4： 时钟/指令周期
例6-3： 指令流水线流程
6.2.3 程序存储器中的指令
图6-5： 程序存储器中的指令
6.2.4 双字指令
例6-4： 双字指令
6.3 数据存储器构成
6.3.1 存储区选择寄存器
图6-6： PIC18FX5K80和PIC18FX6K80器件的数据存储器映射
图6-7： 使用存储区选择寄存器（直接寻址）
6.3.2 快速操作存储区
6.3.3 通用寄存器文件
6.3.4 特殊功能寄存器
表6-1： PIC18F66K80系列的特殊功能寄存器映射
表6-2： PIC18F66K80系列的寄存器文件汇总
6.3.5 STATUS寄存器
寄存器6-2： STATUS寄存器
6.4 数据寻址模式
6.4.1 固有寻址和立即数寻址
6.4.2 直接寻址
6.4.3 间接寻址
例6-5： 如何使用间接寻址清零RAM （Bank 1）
图6-8： 间接寻址
6.5 程序存储器和扩展指令集
6.6 数据存储器和扩展指令集
6.6.1 使用立即数偏移量进行变址寻址
6.6.2 受立即数变址寻址模式影响的指令
图6-9： 针对位和针对字节的指令的寻址模式对比（使能了扩展指令集）
6.6.3 在立即数变址模式下映射快速操作存储区
6.6.4 立即数变址模式中的BSR
图6-10： 使用立即数变址寻址模式重映射快速操作存储区
7.0 闪存程序存储器
7.1 表读与表写
图7-1： 表读操作
图7-2： 表写操作
7.2 控制寄存器
7.2.1 EECON1和EECON2寄存器
寄存器7-1： EECON1：EEPROM控制寄存器1
7.2.2 TABLAT——表锁存寄存器
7.2.3 TBLPTR——表指针寄存器
7.2.4 表指针边界
表7-1： 执行TBLRD和TBLWT指令的表指针操作
图7-3： 基于操作的表指针边界
7.3 读闪存程序存储器
图7-4： 读闪存程序存储器
例7-1： 读闪存程序存储器的一个字
7.4 擦除闪存程序存储器
7.4.1 闪存程序存储器擦除序列
例7-2： 擦除闪存程序存储器的一行
7.5 写闪存程序存储器
图7-5： 对闪存程序存储器的表写操作
7.5.1 闪存程序存储器写序列
例7-3： 写闪存程序存储器
7.5.2 写校验
7.5.3 意外终止写操作
7.5.4 防止误写操作的保护措施
7.6 代码保护期间闪存程序存储器的操作
表7-2： 与闪存程序存储器相关的寄存器
8.0 数据EEPROM存储器
8.1 EEADR和EEADRH寄存器
8.2 EECON1和EECON2寄存器
寄存器8-1： EECON1：数据EEPROM控制寄存器1
8.3 读数据EEPROM存储器
8.4 写数据EEPROM存储器
8.5 写校验
例8-1： 读数据EEPROM
例8-2： 写数据EEPROM
8.6 代码保护期间的操作
8.7 防止误写操作的保护措施
8.8 使用数据EEPROM
例8-3： 数据EEPROM刷新程序
表8-1： 与数据EEPROM存储器相关的寄存器
9.0 8 X 8硬件乘法器
9.1 简介
9.2 工作原理
例9-1： 8 x 8无符号乘法程序
例9-2： 8 x 8有符号乘法程序
表9-1： 各种乘法运算的性能比较
公式9-1： 16 x 16无符号乘法算法
例9-3： 16 x 16无符号乘法程序
公式9-2： 16 x 16有符号乘法算法
例9-4： 16 x 16有符号乘法程序
10.0 中断
图10-1： PIC18F66K80系列中断逻辑
10.1 INTCON寄存器
寄存器10-1： INTCON：中断控制寄存器
寄存器10-2： INTCON2：中断控制寄存器2
寄存器10-3： INTCON3：中断控制寄存器3
10.2 PIR寄存器
寄存器10-4： PIR1：外设中断请求（标志）寄存器1
寄存器10-5： PIR2：外设中断请求（标志）寄存器2
寄存器10-6： PIR3：外设中断请求（标志）寄存器3
寄存器10-7： PIR4：外设中断请求（标志）寄存器4
寄存器10-8： PIR5：外设中断请求（标志）寄存器5
10.3 PIE寄存器
寄存器10-9： PIE1：外设中断允许寄存器1
寄存器10-10： PIE2：外设中断允许寄存器2
寄存器10-11： PIE3：外设中断允许寄存器3
寄存器10-12： PIE4：外设中断允许寄存器4
寄存器10-13： PIE5：外设中断允许寄存器5
10.4 IPR寄存器
寄存器10-14： IPR1：外设中断优先级寄存器1
寄存器10-15： IPR2：外设中断优先级寄存器2
寄存器10-16： IPR3：外设中断优先级寄存器3
寄存器10-17： IPR4：外设中断优先级寄存器4
寄存器10-18： IPR5：外设中断优先级寄存器5
10.5 RCON寄存器
寄存器10-19： RCON：复位控制寄存器
10.6 INTx引脚中断
10.7 TMR0中断
10.8 PORTB电平变化中断
寄存器10-20： IOCB：电平变化中断PORTB控制寄存器
10.9 中断现场保护
例10-1： 将STATUS、WREG和BSR寄存器的值保存在RAM中
表10-1： 与中断相关的寄存器汇总
11.0 I/O端口
图11-1： 通用I/O端口的工作原理
11.1 I/O端口引脚功能
11.1.1 引脚输出驱动能力
11.1.2 上拉配置
寄存器11-1： PADCFG1：焊盘配置寄存器
寄存器11-2： WPUB：弱上拉PORTB使能寄存器
11.1.3 漏极开路输出
图11-2： 使用漏极开路输出 （以USART为例）
寄存器11-3： ODCON：外设漏极开路控制寄存器
11.1.4 模拟和数字端口
11.1.5 端口压摆率
寄存器11-4： SLRCON：压摆率控制寄存器
11.2 PORTA、TRISA和LATA寄存器
例11-1： 初始化PORTA
表11-1： PORTA功能
表11-2： 与PORTA相关的寄存器汇总
11.3 PORTB、TRISB和LATB寄存器
例11-2： 初始化PORTB
表11-3： PORTB功能
表11-4： 与PORTB相关的寄存器汇总
11.4 PORTC、TRISC和LATC寄存器
例11-3： 初始化PORTC
表11-5： PORTC功能
表11-6： 与PORTC相关的寄存器汇总
11.5 PORTD、TRISD和LATD寄存器
例11-4： 初始化PORTD
表11-7： PORTD功能
表11-8： 与PORTD相关的寄存器汇总
11.6 PORTE、TRISE和LATE寄存器
例11-5： 初始化PORTE
表11-9： PORTE功能
表11-10： 与PORTE相关的寄存器汇总
11.7 PORTF、LATF和TRISF寄存器
例11-6： 初始化PORTF
表11-11： PORTF功能
表11-12： 与PORTF相关的寄存器汇总
11.8 PORTG、TRISG和LATG寄存器
例11-7： 初始化PORTG
表11-13： PORTG功能
表11-14： 与PORTG相关的寄存器汇总
11.9 并行从端口
图11-3： PORTD和PORTE框图 （并行从端口）
寄存器11-5： PSPCON：并行从端口控制寄存器
图11-4： 并行从端口写波形
图11-5： 并行从端口读波形
表11-15： 与并行从端口相关的寄存器
12.0 数据信号调制器
图12-1： 数据信号调制器的简化框图
12.1 DSM工作原理
12.2 调制器信号源
12.3 载波信号源
12.4 载波同步
图12-2： 开关键控（OOK）同步
图12-3： 无同步（MDCHSYNC = 0，MDCLSYNC = 0）
图12-4： 载波高信号同步（MDCHSYNC = 1，MDCLSYNC = 0）
图12-5： 载波低信号同步（MDCHSYNC = 0，MDCLSYNC = 1）
图12-6： 完全同步（MDCHSYNC = 1，MDCLSYNC = 1）
12.5 载波源极性选择
12.6 载波源引脚禁止
12.7 可编程调制器数据
12.8 调制器源引脚禁止
12.9 调制输出极性
12.10 压摆率控制
12.11 休眠模式下的操作
12.12 复位的影响
寄存器12-1： MDCON：调制控制寄存器
寄存器12-2： MDSRC：调制源控制寄存器
寄存器12-3： MDCARH：调制载波高信号控制寄存器
寄存器12-4： MDCARL：调制载波低信号控制寄存器
表12-1： 与数据信号调制器模式相关的寄存器汇总
13.0 Timer0模块
寄存器13-1： T0CON：Timer0控制寄存器
13.1 Timer0工作原理
13.2 16位模式下Timer0的读写操作
图13-1： Timer0框图（8位模式）
图13-2： Timer0框图（16位模式）
13.3 预分频器
13.3.1 切换预分频器的分配
13.4 Timer0中断
表13-1： 与Timer0相关的寄存器
14.0 Timer1模块
寄存器14-1： T1CON：Timer1控制寄存器
14.1 Timer1门控控制寄存器
寄存器14-2： T1GCON：Timer1门控控制寄存器
14.2 Timer1工作原理
14.3 时钟源选择
14.3.1 内部时钟源
14.3.2 外部时钟源
表14-1： Timer1时钟源选择
图14-1： Timer1框图
14.4 Timer1的16位读/写模式
14.5 SOSC振荡器
图14-2： SOSC振荡器的外部元件
表14-2： 定时器振荡器的电容选择
14.5.1 使用SOSC作为时钟源
14.5.2 SOSC振荡器布线注意事项
图14-3： 带有接地保护环的振荡器电路
14.6 Timer1中断
14.7 使用ECCP特殊事件触发信号复位 Timer1
14.8 Timer1门控
14.8.1 TIMER1门控计数使能
表14-3： TIMER1门控使能选择
图14-4： Timer1门控计数使能模式
14.8.2 TIMER1门控源选择
表14-4： TIMER1门控源
14.8.3 TIMER1门控翻转模式
图14-5： Timer1门控翻转模式
14.8.4 TIMER1门控单脉冲模式
14.8.5 TIMER1门控值状态
图14-6： Timer1门控单脉冲模式
图14-7： Timer1门控单脉冲和翻转组合模式
表14-5： 与Timer1作为定时器/计数器相关的寄存器
15.0 Timer2模块
15.1 Timer2工作原理
寄存器15-1： T2CON：Timer2控制寄存器
15.2 Timer2中断
15.3 Timer2输出
图15-1： Timer2框图
表15-1： 与Timer2作为定时器/计数器相关的寄存器
16.0 Timer3模块
寄存器16-1： T3CON：Timer3控制寄存器
16.1 Timer3门控控制寄存器
寄存器16-2： T3GCON：Timer3门控控制寄存器
寄存器16-3： OSCCON2：振荡器控制寄存器2
16.2 Timer3工作原理
图16-1： TIMER3框图
16.3 Timer3的16位读/写模式
16.4 使用SOSC振荡器作为Timer3的时 钟源
16.5 Timer3门控
16.5.1 TIMER3门控计数使能
表16-1： TIMER3门控使能选择
图16-2： Timer3门控计数使能模式
16.5.2 TIMER3门控源选择
表16-2： TIMER3门控源
16.5.3 TIMER3门控翻转模式
图16-3： Timer3门控翻转模式
16.5.4 TIMER3门控单脉冲模式
图16-4： Timer3门控单脉冲模式
图16-5： Timer3门控单脉冲和翻转组合模式
16.5.5 TIMER3门控值状态
16.5.6 TIMER3门控事件中断
16.6 Timer3中断
16.7 使用ECCP特殊事件触发信号复位 Timer3
表16-3： 与Timer3作为定时器/计数器相关的寄存器
17.0 Timer4模块
17.1 Timer4工作原理
寄存器17-1： T4CON：Timer4控制寄存器
17.2 Timer4中断
17.3 TMR4的输出
图17-1： Timer4框图
表17-1： 与Timer4作为定时器/计数器相关的寄存器
18.0 充电时间测量单元（CTMU）
图18-1： CTMU框图
18.1 CTMU寄存器
寄存器18-1： CTMUCONH：CTMU控制高字节寄存器
寄存器18-2： CTMUCONL：CTMU控制低字节寄存器
寄存器18-3： CTMUICON：CTMU电流控制寄存器
18.2 CTMU工作原理
18.2.1 工作原理
18.2.2 电流源
18.2.3 边沿选择和控制
18.2.4 边沿状态
18.2.5 中断
18.3 CTMU模块初始化
18.4 校准CTMU模块
18.4.1 电流源校准
图18-2： CTMU电流源校准电路
例18-1： CTMU校准设置程序
例18-2： 电流校准程序
18.4.2 电容校准
例18-3： 电容校准程序
18.5 使用CTMU测量电容
18.5.1 绝对电容测量
18.5.2 使用相对电荷测量实现电容式触摸传感
例18-4： 用于电容式触摸开关的程序
18.6 使用CTMU模块测量时间
图18-3： 时间测量的典型连接和内部配置
18.7 使用CTMU测量温度
18.7.1 基本原则
18.7.2 实现方案
图18-4： CTMU温度测量电路
例18-5： 使用内部二极管进行温度测量的程序
18.8 使用CTMU模块产生延时
图18-5： 产生脉冲延时的典型连接和内部配置
18.9 使用CTMU模块测量温度
例18-6： 使用内部二极管进行温度测量的程序
18.10 休眠/空闲模式期间的操作
18.10.1 休眠模式
18.10.2 空闲模式
18.11 复位对CTMU的影响
表18-1： 与CTMU模块相关的寄存器
19.0 捕捉/比较/PWM（CCP）模块
寄存器19-1： CCPxCON：CCPx控制寄存器（CCP2-CCP5模块）
寄存器19-2： CCPTMRS：CCP定时器选择寄存器
寄存器19-3： CCPRxL：CCPx周期低字节寄存器
寄存器19-4： CCPRxH：CCPx周期高字节寄存器
19.1 CCP模块配置
19.1.1 CCP模块和定时器资源
表19-1： CCP模式——定时器资源
表19-2： CCP模块2、3、4和5的定时器分配
19.1.2 漏极开路输出选项
19.2 捕捉模式
19.2.1 CCP引脚配置
19.2.2 Timer1/3模式选择
图19-1： 捕捉模式工作原理框图
19.2.3 软件中断
19.2.4 CCP预分频器
例19-1： 改变捕捉预分频比
19.2.5 CAN报文时间标记（仅限CCP2）
19.3 比较模式
19.3.1 CCP引脚配置
19.3.2 Timer1/3模式选择
19.3.3 软件中断模式
19.3.4 特殊事件触发器
图19-2： 比较模式工作原理框图
表19-3： 与捕捉、比较和Timer1/3相关的寄存器
19.4 PWM模式
图19-3： 简化的PWM框图
图19-4： PWM输出
19.4.1 PWM周期
公式19-1：
19.4.2 PWM占空比
公式19-2：
公式19-3：
表19-4： 40 MHz时的PWM频率和分辨率示例
19.4.3 设置PWM操作
表19-5： 与PWM和定时器相关的寄存器
20.0 增强型捕捉/比较/PWM （ECCP）模块
寄存器20-1： CCP1CON：增强型捕捉/比较/PWM1控制寄存器
寄存器20-2： CCPTMRS：CCP定时器选择寄存器
20.1 ECCP输出和配置
20.1.1 ECCP模块和定时器资源
表20-1： ECCP模式——定时器资源
20.2 捕捉模式
20.2.1 ECCP引脚配置
20.2.2 Timer1/2/3/4模式选择
20.2.3 软件中断
20.2.4 ECCP预分频器
例20-1： 改变捕捉预分频比
图20-1： 捕捉模式工作原理框图
20.3 比较模式
20.3.1 ECCP引脚配置
20.3.2 Timer1/2/3/4模式选择
20.3.3 软件中断模式
20.3.4 特殊事件触发器
图20-2： 比较模式工作原理框图
20.4 PWM（增强型模式）
图20-3： 增强型PWM模式的简化框图示例
表20-2： 各种PWM增强型模式的引脚分配示例
图20-4： PWM（增强型模式）输出关系示例（高电平有效状态）
图20-5： 增强型PWM输出关系示例（低电平有效状态）
20.4.1 半桥模式
图20-6： 半桥PWM输出示例
图20-7： 半桥应用示例
20.4.2 全桥模式
图20-8： 全桥应用示例
图20-9： 全桥PWM输出示例
图20-10： PWM方向改变的示例
图20-11： 在占空比接近100%时改变PWM方向的示例
20.4.3 启动注意事项
20.4.4 增强型PWM自动关闭模式
寄存器20-3： ECCP1AS：ECCP1自动关闭控制寄存器
图20-12： PWM自动关闭，可用固件重启（P1RSEN = 0）
20.4.5 自动重启模式
图20-13： PWM自动关闭，可使能自动重启（P1RSEN = 1）
20.4.6 可编程死区延时模式
图20-14： 半桥PWM输出示例
图20-15： 半桥应用示例
寄存器20-4： ECCP1DEL：增强型PWM控制寄存器
20.4.7 脉冲转向模式
寄存器20-5： PSTR1CON：脉冲转向控制寄存器
图20-16： 转向简化框图(1,2)
图20-17： 指令结束时发生的转向事件的示例（STRSYNC = 0)
图20-18： 指令开始时发生的转向事件的示例（STRSYNC = 1）
20.4.8 在功耗管理模式下的操作
20.4.9 复位的影响
表20-3： 与ECCP1模块和Timer1/2/3/4相关的寄存器
21.0 主同步串行口（MSSP）模块
21.1 主SSP（MSSP）模块概述
21.2 控制寄存器
21.3 SPI模式
图21-1： MSSP框图（SPI模式）
21.3.1 寄存器
寄存器21-1： SSPSTAT：MSSP状态寄存器（SPI模式）
寄存器21-2： SSPCON1：MSSP控制寄存器1（SPI模式）
21.3.2 工作原理
21.3.3 漏极开路输出选项
例21-1： 装载SSPBUF（SSPSR）寄存器
21.3.4 使能SPI I/O
21.3.5 典型连接
图21-2： SPI主/从器件连接
21.3.6 主模式
图21-3： SPI模式波形图（主模式）
21.3.7 从模式
21.3.8 从选择同步
图21-4： 从同步波形图
图21-5： SPI模式波形图（从模式，CKE = 0）
图21-6： SPI模式波形图（从模式，CKE = 1）
21.3.9 在功耗管理模式下的操作
21.3.10 复位的影响
21.3.11 总线模式兼容性
表21-1： SPI总线模式
表21-2： 与SPI操作相关的寄存器
21.4 I2C模式
图21-7： MSSP框图（I2C™模式）
21.4.1 寄存器
寄存器21-3： SSPSTAT：MSSP状态寄存器（I2C™模式）
寄存器21-4： SSPCON1：MSSP控制寄存器1（I2C™模式）
寄存器21-5： SSPCON2：MSSP控制寄存器2（I2C™主模式）
寄存器21-6： SSPCON2：MSSP控制寄存器2（I2C™从模式）
寄存器21-7： SSPMSK：I2C.从地址掩码寄存器（7位掩码模式）
21.4.2 工作原理
21.4.3 从模式
例21-2： 5位掩码模式下的地址掩码示例
例21-3： 7位掩码模式下的地址掩码示例
图21-8： I2C™从模式接收时序（SEN = 0，7位地址）
图21-9： I2C™从模式接收时序（SEN = 0且ADMSK<5:1> = 01011，7位地址）
图21-10： I2C™从模式发送时序（7位地址）
图21-11： I2C™从模式接收时序（SEN = 0且ADMSK<5:1> = 01001，10位地址）
图21-12： I2C™从模式接收时序（SEN = 0，10位地址）
图21-13： I2C™从模式发送时序（10位地址）
21.4.4 时钟延长
图21-14： 时钟同步时序
图21-15： I2C™从模式接收时序（SEN = 1，7位地址）
图21-16： I2C™从模式接收时序（SEN = 1，10位地址）
21.4.5 广播呼叫地址支持
图21-17： 从模式广播呼叫地址序列（7位或10位寻址模式）
21.4.6 主模式
图21-18： MSSP框图（I2C™主模式）
21.4.7 波特率
图21-19： 波特率发生器框图
表21-3： 使用BRG的I2C™时钟频率
图21-20： 带有时钟仲裁的波特率发生器时序
21.4.8 I2C™主模式启动条件时序
图21-21： 第一个启动位时序
21.4.9 I2C™主模式重复启动条件时序
图21-22： 重复启动条件波形图
21.4.10 I2C™主模式发送
21.4.11 I2C™主模式接收
图21-23： I2C™主模式发送波形图（7位或10位地址）
图21-24： I2C™主模式接波形图（7位地址）
21.4.12 应答序列时序
21.4.13 停止条件时序
图21-25： 应答序列波形图
图21-26： 停止条件接收或发送模式
21.4.14 休眠模式下的操作
21.4.15 复位的影响
21.4.16 多主器件模式
21.4.17 多主器件通信、总线冲突和总线仲裁
图21-27： 发送和应答时的总线冲突时序
图21-28： 启动条件期间的总线冲突（仅用于SDA）
图21-29： 启动条件期间的总线冲突（SCL = 0）
图21-30： 启动条件期间由SDA仲裁引起的BRG复位
图21-31： 重复启动条件期间的总线冲突（情形1）
图21-32： 重复启动条件期间的总线冲突（情形2）
图21-33： 停止条件期间的总线冲突（情形1）
图21-34： 停止条件期间的总线冲突（情形2）
表21-4： 与I2C™操作相关的寄存器
22.0 增强型通用同步/异步收发器 （EUSART）
表22-1： 配置EUSART引脚(1)
22.1 EUSART控制寄存器
寄存器22-1： TXSTAx：发送状态和控制寄存器
寄存器22-2： RCSTAx：接收状态和控制寄存器
寄存器22-3： BAUDCONx：波特率控制寄存器
22.2 波特率发生器（BRG）
22.2.1 在功耗管理模式下的操作
22.2.2 采样
表22-2： 波特率公式
例22-1： 计算波特率误差
表22-3： 与波特率发生器相关的寄存器
表22-4： 异步模式下的波特率
22.2.3 自动波特率检测
表22-5： BRG计数器时钟速率
图22-1： 自动波特率计算
图22-2： BRG溢出序列
22.3 EUSART异步模式
22.3.1 EUSART异步发送器
图22-3： EUSART发送框图
图22-4： 异步发送
图22-5： 异步发送（背对背）
表22-6： 与异步发送相关的寄存器
22.3.2 EUSART异步接收器
22.3.3 设置带有地址检测功能的9位模式
图22-6： EUSART接收框图
图22-7： 异步接收
表22-7： 与异步接收相关的寄存器
22.3.4 接收到同步间隔字符时自动唤醒
图22-8： 正常操作时的自动唤醒位（WUE）时序
图22-9： 休眠时的自动唤醒位（WUE）时序
22.3.5 间隔字符序列
22.3.6 接收间隔字符
图22-10： 发送间隔字符序列
22.4 EUSART同步主模式
22.4.1 EUSART同步主发送
图22-11： 同步发送
图22-12： 同步发送（由TXEN位控制）
表22-8： 与同步主发送相关的寄存器
22.4.2 EAUSART同步主接收
图22-13： 同步接收（主模式，SREN）
表22-9： 与同步主接收相关的寄存器
22.5 EUSART同步从模式
22.5.1 EUSART同步从发送
表22-10： 与同步从发送相关的寄存器
22.5.2 EUSART同步从接收
表22-11： 与同步从接收相关的寄存器
23.0 12位模数转换器（A/D）模块
23.1 差分A/D转换器
图23-1： 差分通道测量
图23-2： 单通道测量
23.2 A/D寄存器
23.2.1 A/D控制寄存器
寄存器23-1： ADCON0：A/D控制寄存器0
寄存器23-2： ADCON1：A/D控制寄存器1
寄存器23-3： ADCON2：A/D控制寄存器2
23.2.2 A/D结果寄存器
图23-3： A/D结果对齐方式
寄存器23-4： ADRESH：A/D结果高字节寄存器，左对齐（ADFM = 0）
寄存器23-5： ADRESL：A/D结果低字节寄存器，左对齐（ADFM = 0）
寄存器23-6： ADRESH：A/D结果高字节寄存器，右对齐（ADFM = 1）
寄存器23-7： ADRESL：A/D结果低字节寄存器，右对齐（ADFM = 1）
寄存器23-8： ANCON0：A/D端口配置寄存器0
寄存器23-9： ANCON1：A/D端口配置寄存器1
图23-4： A/D框图
图23-5： 模拟输入模型
23.3 A/D采集要求
公式23-1： 采集时间
公式23-2： A/D最小充电时间
公式23-3： 计算所需要的最小采集时间
23.4 选择和配置自动采集时间
23.5 选择A/D转换时钟
表23-1： 不同器件工作频率下的Tad
23.6 配置模拟端口引脚
23.7 A/D转换
图23-6： A/D转换Tad周期（ACQT<2:0> = 000，Tacq = 0）
图23-7： A/D转换Tad周期（ACQT<2:0> = 010，Tacq = 4 Tad）
23.8 特殊事件触发信号的使用
23.9 在功耗管理模式下的操作
表23-2： 与A/D模块相关的寄存器
24.0 比较器模块
24.1 寄存器
图24-1： 比较器的简化框图
寄存器24-1： CMxCON：比较器控制x寄存器
寄存器24-2： CMSTAT：比较器状态寄存器
24.2 比较器工作原理
图24-2： 单比较器
24.3 比较器响应时间
24.4 模拟输入连接注意事项
图24-3： 比较器模拟输入模型
24.5 比较器控制和配置
表24-1： 比较器输入和输出
24.5.1 比较器使能和输入选择
24.5.2 比较器使能和输出选择
图24-4： 比较器配置
24.6 比较器中断
表24-2： 比较器中断产生
24.7 休眠期间的比较器操作
24.8 复位的影响
表24-3： 与比较器模块相关的寄存器
25.0 比较器参考电压模块
25.1 配置比较器参考电压
公式25-1：
寄存器25-1： CVRCON：比较器参考电压控制寄存器
图25-1： 比较器参考电压模块框图
25.2 参考电压精度/误差
25.3 休眠期间的操作
25.4 复位的影响
25.5 连接注意事项
图25-2： 参考电压输出缓冲示例
表25-1： 与比较器参考电压相关的寄存器
26.0 高/低压检测（HLVD）
寄存器26-1： HLVDCON：高/低压检测控制寄存器
26.1 工作原理
图26-1： HLVD模块框图（带外部输入）
26.2 HLVD设置
26.3 电流消耗
26.4 HLVD启动时间
图26-2： 低压检测工作原理（VDIRMAG = 0）
图26-3： 高压检测工作原理（VDIRMAG = 1）
26.5 应用
图26-4： 典型低压检测应用
26.6 休眠期间的操作
26.7 复位的影响
表26-1： 与高/低压检测模块相关的寄存器
27.0 ECAN模块
27.1 模块概述
27.1.1 模块功能
图27-1： CAN缓冲区和协议引擎框图
27.2 CAN模块寄存器
27.2.1 CAN控制和状态寄存器
寄存器27-1： CANCON：CAN控制寄存器
寄存器27-2： CANSTAT：CAN状态寄存器
例27-1： 更改为配置模式
例27-2： 在中断服务程序中通过使用WIN和ICODE位来访问TX/RX缓冲区
例27-2： 在中断服务程序中通过使用WIN和ICODE位来访问TX/RX缓冲区
寄存器27-3： ECANCON：增强型CAN控制寄存器
寄存器27-4： COMSTAT：通信状态寄存器
27.2.2 专用CAN发送缓冲寄存器
寄存器27-5： TXBnCON：发送缓冲区n控制寄存器[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-6： TXBnSIDH：发送缓冲区n标准标识符寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-7： TXBnSIDL：发送缓冲区n标准标识符寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-8： TXBnEIDH：发送缓冲区n扩展标识符寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-9： TXBnEIDL：发送缓冲区n扩展标识符寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-10： TXBnDm：发送缓冲区n数据字段字节m寄存器[0 ≤ n ≤ 2，0 ≤ m ≤ 7]
寄存器27-11： TXBnDLC：发送缓冲区n数据长度编码寄存器[0 ≤ n ≤ 2]
寄存器27-12： TXERRCNT：发送错误计数寄存器
例27-3： 使用分区方法发送CAN报文
例27-4： 通过使用WIN位来发送CAN报文
27.2.3 专用CAN接收缓冲寄存器
寄存器27-13： RXB0CON：接收缓冲区0控制寄存器
寄存器27-14： RXB1CON：接收缓冲区1控制寄存器
寄存器27-15： RXBnSIDH：接收缓冲区n标准标识符寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-16： RXBnSIDL：接收缓冲区n标准标识符寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-17： RXBnEIDH：接收缓冲区n扩展标识符寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-18： RXBnEIDL：接收缓冲区n扩展标识符寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-19： RXBnDLC：接收缓冲区n数据长度编码寄存器[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-20： RXBnDm：接收缓冲区n数据字段字节m寄存器[0 ≤ n ≤ 1，0 ≤ m ≤ 7]
寄存器27-21： RXERRCNT：接收错误计数寄存器
例27-5： 读取CAN报文
寄存器27-22： BnCON：TX/RX缓冲区n控制寄存器（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 0]
寄存器27-23： BnCON：TX/RX缓冲区n控制寄存器（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 1]
寄存器27-24： BnSIDH：TX/RX缓冲区n标准标识符寄存器，高字节（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 0]
寄存器27-25： BnSIDH：TX/RX缓冲区n标准标识符寄存器，高字节（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 1]
寄存器27-26： BnSIDL：TX/RX缓冲区n标准标识符寄存器，低字节（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（bsel0）= 0]
寄存器27-27： BnSIDL：TX/RX缓冲区n标准标识符寄存器，低字节（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（bsel0）= 1]
寄存器27-28： BnEIDH：TX/RX缓冲区n扩展标识符寄存器，高字节（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 0]
寄存器27-29： BnEIDH：TX/RX缓冲区n扩展标识符寄存器，高字节（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL0）= 1]
寄存器27-30： BnEIDL：TX/RX缓冲区n扩展标识符寄存器，低字节（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL）= 0]
寄存器27-31： BnEIDL：TX/RX缓冲区n扩展标识符寄存器，低字节（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL）= 1]
寄存器27-32： BnDm：TX/RX缓冲区n数据字段字节m寄存器（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，0 ≤ m ≤ 7，TXnEN（BSEL）= 0]
寄存器27-33： BnDm：TX/RX缓冲区n数据字段字节m寄存器（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，0 ≤ m ≤ 7，TXnEN（BSEL）= 1]
寄存器27-34： BnDLC：TX/RX缓冲区n数据长度编码寄存器（接收模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL）= 0]
寄存器27-35： BnDLC：TX/RX缓冲区n数据长度编码寄存器（发送模式） [0 ≤ n ≤ 5，TXnEN（BSEL）= 1]
寄存器27-36： BSEL0：缓冲区选择寄存器0(1)
寄存器27-37： RXFnSIDH：接收过滤器n标准标识符过滤寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 15]
寄存器27-38： RXFnSIDL：接收过滤器n标准标识符过滤寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 15]
寄存器27-39： RXFnEIDH：接收过滤器n扩展标识符寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 15]
寄存器27-40： RXFnEIDL：接收过滤器n扩展标识符寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 15]
寄存器27-41： RXMnSIDH：接收屏蔽器n标准标识符屏蔽寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-42： RXMnSIDL：接收屏蔽器n标准标识符屏蔽寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-43： RXMnEIDH：接收屏蔽器n扩展标识符屏蔽寄存器，高字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-44： RXMnEIDL：接收屏蔽器n扩展标识符屏蔽寄存器，低字节[0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-45： RXFCONn：接收过滤器控制寄存器n [0 ≤ n ≤ 1]
寄存器27-46： SDFLC：标准数据字节过滤器长度计数寄存器
寄存器27-47： RXFBCONn：接收过滤器缓冲区控制寄存器n
寄存器27-48： MSEL0：屏蔽器选择寄存器0
寄存器27-49： MSEL1：屏蔽器选择寄存器1
寄存器27-50： MSEL2：屏蔽器选择寄存器2
寄存器27-51： MSEL3：屏蔽器选择寄存器3
27.2.4 CAN波特率寄存器
寄存器27-52： BRGCON1：波特率控制寄存器1
寄存器27-53： BRGCON2：波特率控制寄存器2
寄存器27-54： BRGCON3：波特率控制寄存器3
27.2.5 CAN模块I/O控制寄存器
寄存器27-55： CIOCON：CAN I/O控制寄存器
27.2.6 CAN中断寄存器
寄存器27-56： PIR5：外设中断请求（标志）寄存器5
寄存器27-57： PIE5：外设中断允许寄存器5
寄存器27-58： IPR5：外设中断优先级寄存器5
寄存器27-59： TXBIE：发送缓冲区中断允许寄存器
寄存器27-60： BIE0：缓冲区中断允许寄存器0
27.3 CAN工作模式
27.3.1 配置模式
27.3.2 禁止/休眠模式
27.3.3 正常模式
27.3.4 监听模式
27.3.5 环回模式
27.3.6 错误识别模式
27.4 CAN模块的功能模式
27.4.1 模式0——传统模式
27.4.2 模式1——增强型传统模式
27.4.3 模式2——增强型FIFO模式
27.5 CAN报文缓冲区
27.5.1 专用发送缓冲区
27.5.2 专用接收缓冲区
27.5.3 可编程发送/接收缓冲区
27.5.4 可编程自动RTR缓冲区
27.6 CAN报文发送
27.6.1 启动发送
27.6.2 中止发送
27.6.3 发送优先级
图27-2： 发送缓冲区
27.7 报文接收
27.7.1 接收报文
27.7.2 接收优先级
27.7.3 增强型FIFO模式
27.7.4 时间标记
27.8 报文接收过滤器和屏蔽器
表27-1： 过滤器/屏蔽器真值表
图27-3： 报文接收屏蔽器和过滤器操作
27.9 波特率设置
公式27-1：
公式27-2：
公式27-3：
图27-4： 位时间划分
27.9.1 基于HS-PLL的振荡器中的外部时钟、 内部时钟和可测量抖动
图27-5： 相位抖动对单片机时钟和CAN位时间的影响
表27-2： 各种PLL产生的时钟速度下，由于抖动而产生的频率误差
表27-3： 各种PLL产生的时钟速度下的总频率误差（100 ppm的振荡器漂移，包括抖动产生的误差）
27.9.2 时间份额
例27-6： 计算Tq、标称比特率和标称位时间
27.9.3 同步段
27.9.4 传播时间段
27.9.5 相位缓冲段
27.9.6 采样点
27.9.7 信息处理时间
27.10 同步
27.10.1 硬同步
27.10.2 重新同步
27.10.3 同步规则
图27-6： 延长位周期（将相位缓冲段1加上SJW）
图27-7： 缩短位周期（从相位缓冲段2中减去SJW）
27.11 时间段编程
27.12 振荡器容差
27.13 位时序配置寄存器
27.13.1 BRGCON1
27.13.2 BRGCON2
27.13.3 BRGCON3
27.14 错误检测
27.14.1 CRC错误
27.14.2 应答错误
27.14.3 格式错误
27.14.4 位错误
27.14.5 填充位错误
27.14.6 错误状态
27.14.7 错误模式和错误计数器
图27-8： 错误模式状态图
27.15 CAN中断
27.15.1 中断编码位
27.15.2 发送中断
27.15.3 接收中断
表27-4： ICODE<2:0>的值
27.15.4 报文错误中断
27.15.5 总线活动唤醒中断
27.15.6 错误中断
28.0 CPU的特殊功能
28.1 配置位
表28-1： 配置位和器件ID
寄存器28-1： CONFIG1L：配置寄存器1的低字节（字节地址为300000h）
寄存器28-2： CONFIG1H：配置寄存器1的高字节（字节地址为300001h）
寄存器28-3： CONFIG2L：配置寄存器2的低字节（字节地址为300002h）
寄存器28-4： CONFIG2H：配置寄存器2的高字节（字节地址为300003h）
寄存器28-5： CONFIG3H：配置寄存器3的高字节（字节地址为300005h）
寄存器28-6： CONFIG4L：配置寄存器4的低字节（字节地址为300006h）
寄存器28-7： CONFIG5L：配置寄存器5的低字节（字节地址为300008h）
寄存器28-8： CONFIG5H：配置寄存器5的高字节（字节地址为300009h）
寄存器28-9： CONFIG6L：配置寄存器6的低字节（字节地址为30000Ah）
寄存器28-10： CONFIG6H：配置寄存器6的高字节（字节地址为30000Bh）
寄存器28-11： CONFIG7L：配置寄存器7的低字节（字节地址为30000Ch）
寄存器28-12： CONFIG7H：配置寄存器7的高字节（字节地址为30000Dh）
寄存器28-13： DEVID1：PIC18F66K80系列的器件ID寄存器1
寄存器28-14： DEVID2：PIC18F66K80系列的器件ID寄存器2
28.2 看门狗定时器（WDT）
图28-1： WDT框图
28.2.1 控制寄存器
寄存器28-15： WDTCON：看门狗定时器控制寄存器
表28-2： 看门狗定时器寄存器汇总
28.3 片上稳压器
28.3.1 稳压器使能模式 （PIC18FXXKXX器件）
28.3.2 稳压器禁止模式 （PIC18LFXXKXX器件）
图28-2： F和LF器件的连接
28.3.3 休眠模式下的稳压器操作
表28-3： 休眠模式稳压器设置
28.4 双速启动
28.4.1 使用双速启动时的特殊注意事项
图28-3： 双速启动时钟转换的时序图（从INTOSC切换到HSPLL）
28.5 故障保护时钟监视器
图28-4： FSCM框图
28.5.1 FSCM和看门狗定时器
28.5.2 退出故障保护工作模式
图28-5： FSCM时序图
28.5.3 功耗管理模式下的FSCM中断
28.5.4 POR或从休眠中唤醒
28.6 程序校验和代码保护
图28-6： PIC18F66K80系列的受代码保护的程序存储器
表28-4： 代码保护寄存器汇总
28.6.1 程序存储器代码保护
图28-7： 不允许表写（WRTx）
图28-8： 不允许外部存储块的表读（EBTRx）
图28-9： 允许外部存储块的表读（EBTRx）
28.6.2 数据EEPROM代码保护
28.6.3 配置寄存器保护
28.7 ID存储单元
28.8 在线串行编程
28.9 在线调试器
表28-5： 调试器资源
29.0 指令集汇总
29.1 标准指令集
表29-1： 操作码字段说明
图29-1： 指令的通用格式
表29-2： PIC18F66K80系列指令集
29.1.1 标准指令集
29.2 扩展指令集
29.2.1 扩展指令的语法
表29-3： PIC18指令集的扩展
29.2.2 扩展指令集
29.2.3 立即数变址寻址模式中针对字节和针对位的指令
29.2.4 使能扩展指令集时的注意事项
29.2.5 使用MPLABR IDE工具的注意事项
30.0 开发支持
30.1 MPLAB集成开发环境软件
30.2 适用于各种器件系列的MPLAB C编译器
30.3 适用于各种器件系列的HI-TECH C编译器
30.4 MPASM汇编器
30.5 MPLINK目标链接器/ MPLIB目标库管理器
30.6 适用于各种器件系列的MPLAB汇编器、链接器和库管理器
30.7 MPLAB SIM软件模拟器
30.8 MPLAB REAL ICE在线仿真器系统
30.9 MPLAB ICD 3在线调试器系统
30.10 PICkit 3在线调试器/编程器及 PICkit 3 Debug Express
30.11 PICkit 2开发编程器/调试器及 PICkit 2 Debug Express
30.12 MPLAB PM3器件编程器
30.13 演示/开发板、评估工具包及入门工具包
31.0 电气特性
绝对最大值(†)
图31-1： 电压—频率关系图，使能稳压器（工业级/扩展级）
图31-2： 电压—频率关系图，禁止稳压器（工业级/扩展级）
31.1 直流特性： 供电电压 PIC18F66K80系列（工业级/扩展级）
31.2 直流特性： 掉电电流和供电电流 PIC18F66K80系列（工业级/扩展级）
31.3 直流特性： PIC18F66K80系列（工业级）
31.4 直流特性：CTMU电流源规范
表31-1： 存储器编程要求
表31-2： 比较器规范
表31-3： 参考电压规范
表31-4： 内部稳压器规范
31.5 交流（时序）特性
31.5.1 时序参数符号体系
31.5.2 时序条件
表31-5： 温度和电压规范——交流
图31-3： 器件时序规范的负载条件
31.5.3 时序图和规范
图31-4： 外部时钟时序
表31-6： 外部时钟时序要求
表31-7： PLL时钟时序规范（Vdd = 1.8V至5.5V）
表31-8： 内部RC精度（INTOSC）
图31-5： CLKO和I/O时序
表31-9： CLKO和I/O时序要求
表31-10： CLKO和I/O时序要求
图31-6： 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器和上电延时定时器时序
图31-7： 欠压复位时序
表31-11： 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器、上电延时定时器和欠压复位要求
图31-8： 高/低压检测特性
表31-12： 高/低压检测特性
图31-9： Timer0和Timer1外部时钟时序
表31-13： Timer0和Timer1外部时钟要求
图31-10： 捕捉/比较/PWM时序（ECCP1和ECCP2模块）
表31-14： 捕捉/比较/PWM要求（ECCP1和ECCP2模块）
图31-11： SPI主模式时序示例（CKE = 0）
表31-15： SPI模式要求示例（主模式，CKE = 0）
图31-12： SPI主模式时序示例（CKE = 1）
表31-16： SPI模式要求示例（主模式，CKE = 1）
图31-13： SPI从模式时序示例（CKE = 0）
表31-17： SPI模式要求示例（从模式时序，CKE = 0）
图31-14： SPI从模式时序示例（CKE = 1）
表31-18： SPI从模式要求示例（CKE = 1）
图31-15： I2C™总线启动位/停止位时序
表31-19： I2C™总线启动位/停止位要求（从模式）
图31-16： I2C™总线数据时序
表31-20： I2C™总线数据要求（从模式）
图31-17： MSSP I2C™总线启动位/停止位时序波形
表31-21： MSSP I2C™总线启动位/停止位要求
图31-18： MSSP I2C™总线数据时序
表31-22： MSSP I2C™总线数据要求
图31-19： EUSART同步发送（主/从）时序
表31-23： EUSART/AUSART同步发送要求
图31-20： EUSART/AUSART同步接收（主/从）时序
表31-24： EUSART/AUSART同步接收要求
表31-25： A/D转换器特性： PIC18F66K80系列（工业级/扩展级）
图31-21： A/D转换时序
表31-26： A/D转换要求
32.0 封装信息
32.1 封装标识信息
32.2 封装详细信息
附录A： 版本历史
版本A（2010年8月）
版本B（2010年12月）
版本C（2011年1月）
附录B： 移植到PIC18F66K80系列
表B-1： 28、40和44引脚器件——PIC18F66K80、PIC18F4580和PIC18F4680系列之间的显著差异
表B-2： 64引脚器件——PIC18F66K80和PIC18F8680系列之间的显著差异
索引
Microchip网站
变更通知客户服务
客户支持
读者反馈表
产品标识体系
全球销售及服务网点
PIC18F66K80 系列
数据手册
采用 nanoWatt XLP 技术、
带 ECAN™ 的 28/40/44/64 引脚
增强型闪存单片机
2011 Microchip Technology Inc.
初稿
DS39977C_CN
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点：
•
Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。
•
Microchip 确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。
• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的
操作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。
•
•
Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。
Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “ 牢不可破 ” 的。
代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视
为违反了 《数字器件千年版权法案 （Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的
软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含
的英文部分，因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用
情况的有用信息。Microchip Technology Inc. 及其分公司和相
关公司、各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的
任何差错不承担任何责任。建议参考 Microchip Technology
Inc. 的英文原版文档。
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利，它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范，
是您自身应负的责任。Microchip 对这些信息不作任何明示或
暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保，包括但不
限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用
性的声明或担保。 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而
引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命
维持和 / 或生命安全应用，一切风险由买方自负。买方同意在
由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时，会维护和保障
Microchip 免于承担法律责任，并加以赔偿。在 Microchip 知识
产权保护下，不得暗中或以其他方式转让任何许可证。
商标
Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 dsPIC、
KEELOQ、 KEELOQ 徽标、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、
PICSTART、 PIC32 徽标、 rfPIC 和 UNI/O 均为 Microchip
Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标。
FilterLab、 Hampshire、 HI-TECH C、 Linear Active
Thermistor、MXDEV、MXLAB、SEEVAL 和 The Embedded
Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc.
在美国的注册商标。
Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 chipKIT、
chipKIT 徽标、 CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、
dsPICworks、 dsSPEAK、 ECAN、 ECONOMONITOR、
FanSense、 HI-TIDE、 In-Circuit Serial Programming、
ICSP、 Mindi、 MiWi、 MPASM、 MPLAB Certified 徽标、
MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient Code Generation、
PICC、 PICC-18、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICkit、
PICtail、 REAL ICE、 rfLAB、 Select Mode、 Total
Endurance、 TSHARC、 UniWinDriver、 WiperLock 和
ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地
区的商标。
SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。
在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
© 2011, Microchip Technology Inc. 版权所有。
ISBN：978-1-61341-328-9
Microchip 位于美国亚利桑那州Chandler 和Tempe 与位于俄勒冈州
Gresham 的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和
印度的设计中心均通过了ISO/TS-16949:2002 认证。公司在PIC®
MCU 与dsPIC® DSC、KEELOQ® 跳码器件、串行EEPROM、单片机外
设、非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合ISO/TS-
16949:2002。此外，Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体
系也已通过了ISO 9001:2000 认证。
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初稿
2011 Microchip Technology Inc.
PIC18F66K80 系列
采用 nanoWatt XLP 技术、带 ECAN™ 的
28/40/44/64 引脚增强型闪存单片机
功耗管理模式：
• 运行：CPU 工作，外设工作
• 空闲：CPU 不工作，外设工作
• 休眠：CPU 不工作，外设不工作
• 双速振荡器启动
• 故障保护时钟监视器（Fail-Safe Clock Monitor，FSCM）
• 节能的外设模块禁止（Peripheral Module Disable，
PMD）
• 超低功耗唤醒
• 快速唤醒 （1 μs，典型值）
• 低功耗 WDT （300 nA，典型值）
• 运行模式电流最低为 3.8 μA （典型值）
• 空闲模式电流最低为 880 nA （典型值）
• 休眠模式电流最低为 13 nA （典型值）
ECAN 总线模块特性：
• 符合 CAN 2.0B Active 规范
• 三种工作模式：
- 传统模式（完全向后兼容现有 PIC18CXX8/FXX8
CAN 模块）
- 增强型模式
- FIFO 模式或可编程发送 / 接收缓冲区
• 报文比特率最高可达 1 Mbps
• 支持 DeviceNet™ 数据字节过滤器
• 6 个可编程接收 / 发送缓冲区
• 3 个带有优先级的专用发送缓冲区
• 2 个专用接收缓冲区
ECAN 总线模块特性 （续）：
• 16 个可动态关联的 29 位完全接收过滤器
• 3 个 29 位完全接收屏蔽器
• 自动远程帧处理
• 高级错误管理功能
单片机特性：
• 工作电压范围：1.8V 至 5.5V
• 片上 3.3V 稳压器
• 工作速度最高可达 64 MHz
• 最大 64 KB 的片上闪存程序存储器：
- 10,000 次擦 / 写操作 （典型值）
- 最少 20 年数据保存时间 （典型值）
• 1,024 字节的数据 EEPROM：
- 可进行 100,000 次擦 / 写操作的数据 EEPROM
存储器 （典型值）
• 3.6 KB 的通用寄存器 （SRAM）
• 3 个内部振荡器 ：LF-INTOSC（31 KHz）、MF-INTOSC
（500 kHz）和 HF-INTOSC（16 MHz）
• 可在软件控制下自编程
• 中断优先级
• 8 x 8 单周期硬件乘法器
• 扩展型看门狗定时器 （Watchdog Timer，WDT）：
- 可编程周期从 4 ms 至 4,194s
• 通过两个引脚进行在线串行编程 （In-Circuit Serial
Programming™， ICSP™）
• 通过两个引脚进行在线调试
• 可编程 BOR
• 可编程 LVD
表 1：
器件比较
器件
程序
存储器
数据
存储器
（字节）
数据 EE
（字节）
引脚数 I/O
U
M
T
C
/
D
A
位
2
1
数
道
通
/
P
C
C
P
C
C
E
位
6
1
位
8
/
器
时
定
T
R
A
S
U
E
器
较
比
™
N
A
C
E
P
S
S
M
/
D
V
L
V
M
R
O
B
M
S
D
PIC18F25K80
PIC18LF25K80
PIC18F26K80
PIC18LF26K80
PIC18F45K80
PIC18LF45K80
PIC18F46K80
PIC18LF46K80
PIC18F65K80
PIC18LF65K80
PIC18F66K80
PIC18LF66K80
32 KB
32 KB
64 KB
64 KB
32 KB
32 KB
64 KB
64 KB
32 KB
32 KB
64 KB
64 KB
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
3,648
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
28
28
28
28
40/44
40/44
40/44
40/44
64
64
64
64
24
24
24
24
35
35
35
35
54
54
54
54
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
8 路通道 4/1
8 路通道 4/1
8 路通道 4/1
8 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
11 路通道 4/1
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2/3
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 无
1 有 有
1 有 有
1 有 有
1 有 有
2011 Microchip Technology Inc.
初稿
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PIC18F66K80 系列
外设特点：
• 5 个 CCP/ECCP 模块：
- 4个捕捉/比较/PWM（Capture/Compare/PWM，
CCP）模块
- 1个增强型捕捉/比较/PWM（Enhanced Capture/
Compare/PWM， ECCP）模块
• 5 个 8/16 位定时器 / 计数器模块：
- Timer0 ：带有 8 位可编程预分频器的 8/16 位定
时器 / 计数器
- Timer1, 3：16 位定时器 / 计数器
- Timer2, 4：8 位定时器 / 计数器
• 2 个模拟比较器
• 可配置的参考时钟输出
• 充电时间测量单元（Charge Time Measurement Unit，
CTMU）：
- 电容测量
- 时间测量，分辨率典型值为 1 ns
- 集成参考电压
• 高灌 / 拉电流：25 mA/25 mA （PORTB 和 PORTC）
• 最多 4 个外部中断
• 1 个主同步串行口（Master Synchronous Serial Port，
MSSP）模块：
- 3/4 线 SPI （支持所有 4 种 SPI 模式）
-
I2C™ 主 / 从模式
• 2 个增强型可寻址 USART 模块：
- 支持 LIN/J2602
- 自动波特率检测 （Auto-Baud Detect， ABD）
• 最多具有 11 路通道的 12 位 A/D 转换器：
- 自动采集和休眠操作
- 差分输入工作模式
• 数据信号调制器模块：
- 从各种模块输出中选择调制器和载波源
• 集成参考电压
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初稿
2011 Microchip Technology Inc.
PIC18F66K80 系列
引脚图
28 引脚 QFN(1)
I
/
/
/
0
B
K
S
L
P
T
C
A
1
P
1
P
C
C
E
A
N
2
C
9
N
A
4
B
R
/
/
I
/
I
/
/
/
3
B
K
2
T
D
2
X
R
G
3
T
D
G
P
7
B
R
/
/
I
/
1
B
K
5
P
C
C
/
I
K
C
3
T
/
I
K
C
0
T
5
B
R
/
I
/
/
2
B
K
2
K
C
2
X
T
C
G
P
6
B
R
/
/
/
U
W
P
L
U
0
N
A
/
F
E
R
V
C
0
A
R
/
/
3
E
R
R
L
C
M
1
N
A
1
A
R
/
8
2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
2
2
2
RA2/VREF-/AN2
RA3/VREF+/AN3
VDDCORE/VCAP
RA5/AN4/C2INB/HLVDIN/T1CKI/SS/CTMUI
VSS
OSC1/CLKIN/RA7
OSC2/CLKOUT/RA6
1
2
3
4
5
6
7
PIC18F2XK80
PIC18LF2XK80
21
20
19
18
17
16
15
RB3/CANRX/C2OUT/P1D/CTED2/INT3
RB2/CANTX/C1OUT/P1C/CTED1/INT2
RB1/AN8/C1INB/P1B/CTDIN/INT1
RB0/AN10/C1INA/FLT0/INT0
VDD
VSS
RC7/CANRX/RX1/DT1/CCP4
8 9
0
1
1
1
2
1
3
1
4
1
I
/
K
L
C
S
O
C
S
O
S
/
0
C
R
O
D
S
/
5
C
R
I
/
D
S
A
D
S
/
4
C
R
I
C
S
O
S
/
1
C
R
/
2
P
C
C
G
1
T
/
2
C
R
/
K
C
S
/
L
C
S
O
F
E
R
/
3
C
R
3
P
C
C
/
1
K
C
/
1
X
T
X
T
N
A
C
/
6
C
R
/
注
1： 对于 QFN 封装，建议将底部焊盘连接到 VSS。
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PIC18F66K80 系列
引脚图 （续）
28 引脚 SSOP/SPDIP/SOIC
MCLR/RE3
RA0/CVREF/AN0/ULPWU
RA1/AN1
RA2/VREF-/AN2
RA3/VREF+/AN3
VDDCORE/VCAP
RA5/AN4/C2INB/HLVDIN/T1CKI/SS/CTMUI
VSS
OSC1/CLKIN/RA7
OSC2/CLKOUT/RA6
RC0/SOSCO/SCLKI
RC1/ISOSCI
RC2/T1G/CCP2
RC3/REFO/SCL/SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
40 引脚 PDIP
PIC18F2XK80
PIC18LF2XK80
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
RB7/PGD/T3G/RX2/DT2/KBI3
RB6/PGC/TX2/CK2/KBI2
RB5/T0CKI/T3CKI/CCP5/KBI1
RB4/AN9/C2INA/ECCP1/P1A/CTPLS/KBI0
RB3/CANRX/C2OUT/P1D/CTED2/INT3
RB2/CANTX/C1OUT/P1C/CTED1/INT2
RB1/AN8/C1INB/P1B/CTDIN/INT1
RB0/AN10/C1INA/FLT0/INT0
VDD
VSS
RC7/CANRX/RX1/DT1/CCP4
RC6/CANTX/TX1/CK1/CCP3
RC5/SDO
RC4/SDA/SDI
MCLR/RE3
RA0/CVREF/AN0/ULPWU
RA1/AN1/C1INC
RA2/VREF-/AN2/C2INC
RA3/VREF+/AN3
VDDCORE/VCAP
RA5/AN4/HLVDIN/T1CKI/SS
RE0/AN5/RD
RE1/AN6/C1OUT/WR
RE2/AN7/C2OUT/CS
VDD
VSS
OSC1/CLKIN/RA7
OSC2/CLKOUT/RA6
RC0/SOSCO/SCLKI
RC1/SOSCI
RC2/T1G/CCP2
RC3/REFO/SCL/SCK
RD0/C1INA/PSP0
RD1/C1INB/PSP1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
PIC18F4XK80
PIC18LF4XK80
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
RB7/PGD/T3G/KBI3
RB6/PGC/KBI2
RB5/T0CKI/T3CKI/CCP5/KBI1
RB4/AN9/CTPLS/KBI0
RB3/CANRX/CTED2/INT3
RB2/CANTX/CTED1/INT2
RB1/AN8/CTDIN/INT1
RB0/AN10/FLT0/INT0
VDD
VSS
RD7/RX2/DT2/P1D/PSP7
RD6/TX2/CK2/P1C/PSP6
RD5/P1B/PSP5
RD4/ECCP1/P1A/PSP4
RC7/CANRX/RX1/DT1/CCP4
RC6/CANTX/TX1/CK1/CCP3
RC5/SDO
RC4/SDA/SDI
RD3/C2INB/CTMUI/PSP3
RD2/C2INA/PSP2
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初稿
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PIC18F66K80 系列
引脚图 （续）
44 引脚 TQFP
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RC0/SOSCO/SCLKI
OSC2/CLKOUT/RA6
OSC1/CLKIN/RA7
VSS
VDD
RE2/AN7/C2OUT/CS
RE1/AN6/C1OUT/WR
RE0/AN5/RD
RA5/AN4/HLVDIN/T1CKI/SS
VDDCORE/VCAP
RC7/CANRX/RX1/DT1/CCP4
RD4/ECCP1/P1A/PSP4
RD5/P1B/PSP5
RD6/TX2/CK2/P1C/PSP6
RD7/RX2/DT2/P1D/PSP7
VSS
VDD
RB0/AN10/FLT0/INT0
RB1/AN8/CTDIN/INT1
RB2/CANTX/CTED1/INT2
RB3/CANRX/CTED2/INT3
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PIC18F66K80 系列
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RD5/P1B/PSP5
RD6/TX2/CK2/P1C/PSP6
RD7/RX2/DT2/P1D/PSP7
VSS
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RC0/SOSCO/SCLKI
OSC2/CLKOUT/RA6
OSC1/CLKIN/RA7
VSS
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RE2/AN7/C2OUT/CS
RE1/AN6/C1OUT/WR
RE0/AN5/RD
RA5/AN4/HLVDIN/T1CKI/SS
VDDCORE/VCAP
PIC18F4XK80
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注
1： 对于 QFN 封装，建议将底部焊盘连接到 VSS。
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