使用ADS仿真并设计5GHz射频开关.pdf

发布时间：2022-05-30 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.23M 资料格式：pdf 举报版权申诉

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5GHz RF Switch

Design Conditions and Goal

Board Substrate

电路结构

基本原理 - 1

基本原理 - 2

PIN DIODE ADS 模型

RF Switch Schematic

Simulation Setup

Simulation Results

RF Switch Layout

Layout Component

RF SWITCH （用LAYOUT元件）

Momentum Co-Simulation Results

5GHz RF Switch ADS Simulation ADS study application note for snow May 2007 1

Design Conditions and Goal • Frequency and bandwidth 5.15-5.35GHz • Insertion Loss • Return Loss • Isolation • Vcntl = 3.0 V HIGH, 0 V LOW • Current consumption 3 mA 2

Board Substrate 3

电路结构 4

基本原理 - 1 • 控制电压为低，0V， PIN DIODE处于断开状态 5

基本原理 - 2 • 控制电压为高，3V， PIN DIODE处于导通状态 • 扇形等效为一个电容，接入点看成AC短路，经四分之一波长变换成为AC开路 • 右边的PIN导通接到GND，经四分之一波长变换成为AC 开路 6

PIN DIODE ADS 模型 Toshiba JDP2S05FS Port P1 Num=1 Port P2 Num=2 PinDiode NLPIN1 Model=NLPINM1 Area= Region= Temp= Mode=nonlinear Af=1.0 Ffe=1.0 AllParams= PinDiodeModel NLPINM1 Is=1e-14 Vi=0 Un=900 Wi=10e-6 Rr=0 Cmin=0 Tau=10e-7 Rs=1.5 Cjo=0.32e-12 Vj=1.0 M=0.5 Fc=0.5 Imax=1.0 Imelt=1.0 Kf=0 7

RF Switch Schematic MLIN TL1 Subst="MSub1" W=W50 L=2.5 mm MLIN TL2 Subst="MSub1" W=W50 L=2.5 mm MRSTUB Stub1 Subst="MSub1" Wi=W50 L=8.75 mm Angle=45 MTEE_ADS Tee2 Subst="MSub1" W1=W50 W2=W50 W3=W50 Port P1 Num=1 MLIN TL5 Subst="MSub1" W=W50 L=2.5 mm MTEE_ADS Tee4 Subst="MSub1" W1=W50 W2=W50 W3=W50 MLIN TL8 Subst="MSub1" W=W50 L=0.1 mm Port Vcntl Num=4 R_Pad1 R1 R=1 kOhm W=W0402 S=S0402 L1=L0402 Var Eqn VAR VAR1 W0402=0.6 mm S0402=0.36 mm L0402=1.18 mm W50=0.535 mm MTEE_ADS Tee1 Subst="MSub1" W1=W50 W2=W50 W3=W50 MLIN TL3 Subst="MSub1" W=W50 L=7.5 mm MSub MSUB MSub1 H=0.254 mm Er=3.48 Mur=1 Cond=5.8e7 Hu=1.0e+033 mm T=0.045 mm TanD=0.004 Rough=0.001 mm toshiba_pin_diode D1 MTEE_ADS Tee3 Subst="MSub1" W1=W50 W2=W50 W3=W50 MLIN TL4 Subst="MSub1" W=W50 L=2.5 mm Port P2 Num=2 MLIN TL6 Subst="MSub1" W=W50 L=7.5 mm toshiba_pin_diode D2 Port RF_GND Num=5 MLIN TL7 Subst="MSub1" W=W50 L=2.5 mm Port P3 Num=3 8

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