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2020年云南昆明理工大学材料科学基础考研真题A卷.doc

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2020 年云南昆明理工大学材料科学基础考研真题 A 卷 一、名词解释(任选 10 个作答,每个 3 分,共 30 分) 晶胞 配位数 肖特基缺陷 组织 孪晶 克根达尔效应 重构型相变 固相反应 弹性形变 N 型半导体 扩散通量 热压烧结 二、简答题(共 11 题,任选 9 题作答,每题 6 分,共 54 分)
1. 试从内部质点排列情况分析 SiO2 晶体及 SiO2 玻璃的结构及特点有何异同。 2. 试说明间隙固溶体和间隙化合物有什么区别。 3. 什么是柯氏气团,解释其引起体心立方金属的明显屈服现象。 4. 金属铸件能否通过再结晶退火来细化晶粒? 5. 试根据结合键的特点分析离子晶体及金属晶体的性质差异。 6. 解释为什么铜和黄铜焊接件在高温环境中经一段时间后,在焊接点附近发生了断裂。 7. 比较孪生与滑移的相同点和不同点。 8. 试从热力学的角度说明菲克定律的局限性。 9. 简述液相烧结过程。 10. 简要分析位错运动过程中碰到第二相颗粒时可产生那些情况。 11. 简要分析包晶转变在非平衡冷却条件下产生的现象和原因。 三、作图分析题(每题 10 分,共 30 分) 1. 画出[SiO4]四面体共顶、共棱、共面连接示意图,并根据鲍林规则分析何种连接方式最 稳定。 2. 在简单立方晶胞中分别画出晶面(212)、(111)和晶向[212]、[111],并分析在立方晶系 中(hkl)和[hkl]的关系,同时写出{111}和<111>所包含的晶面和晶向。 3. 判断下列位错反应能否进行?若能进行,试在晶胞图上画出各位错反应矢量关系图。 (1) (2) 四、计算及综合题(每题 12 分,共 36 分) 1. 870℃和 927℃渗碳,两种温度下碳在γ-Fe 中的扩散系数分别为 8×10-12 和 1.67× 10-11m2/s. (R=8.314J/mol·K)。 (1)求 D0(设 Q 在一定温度范围内为常数)? (2)若在 927℃下经 1×104s 后渗碳厚度达到 0.05mm,则经多长时间后,厚度增加一倍?
2. 由 A 向 B 的液固相变中,单位体积自由焓变化△GV 在 1000℃时是-4.18×108J/m3,在 900℃时是-20.9×108J/m3,设 A-B 间的界面能为 0.5J/m2,求: (1)在 900℃和 1000℃时的临界半径; (2)在 1000℃时进行相变时所需的形核功。 3. 请根据 Si-Sr 二元相图分析下列问题: (1)写出所有的三相反应式; (2)分析 50wt%Sr 合金的平衡凝固过程,室温组织是什么; (3)假使要得到 50%的 Si2Sr 且不含单质 Si,合金成分应该是多少。
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