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Cadence-virtuoso的使用简介.pdf

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Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 第二章 Virtuoso Editing 的使用简介 全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制版图 这个例子绘制的是一个最简单的非 门的版图 § 2 1 建立版图文件 使用 library manager 首先 建立一个新的库 myLib 关于建立库的步骤 在前文介绍 cdsSpice 时已经说得很清楚了 就不再赘述 与前面有些不同的地方是 由于我们要建立的 是一个版图文件 因此我们在 technology file 选项中必须选择 compile a new tech file,或是 attach to an exsiting tech file 这里由于我们要新建一个 tech file 因此选择前者 这时会弹出 load tech file 的对话框 如图 2-1-1 所示 图 2-1-1 在 ASCII Technology File 中填入 csmc1o0.tf 即可 接着就可以建立名为 inv 的 cell 了 为了完备起见 读者可以先建立 inv 的 schematic view 和 symbol view 具体步骤前面已经介 绍 其中 pmos 长 6u 宽为 0.6u nmos 长为 3u 宽为 0.6u model 仍然选择 hj3p 和 hj3n 然后建立其 layout view 其步骤为 在 tool 中选择 virtuoso layout 然后点击 ok § 2 2 绘制 inverter 掩膜版图的一些准备工作 首先 在 library manager 中打开 inv 这个 cell 的 layout view 即打开了 virtuoso editing 窗 第 1 页 共 1 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 图 2-2-1 virtuoso editing 窗口 口 如图 2-2-1 所示 版图视窗打开后 掩模版图窗口显现 视窗由三部分组成 Icon menu , menu banner , status banner. Icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边 列出了一些最常用的命令的图标, 要查看图标所代表的指令 只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上 图标下方即会显示出相 应的指令 menu banner 菜单栏 ,包含了编辑版图所需要的各项指令 并按相应的类别分组 几 个常用的指令及相应的快捷键列举如下 Zoom In -------放大 (z) Zoom out by 2------- 缩小 2 倍(Z) Save ------- 保存编辑(f2) Delete ------- 删除编辑(Del) Undo ------- 取消编辑(u) Redo -------恢复编辑 (U) Move ------- 移动(m) Stretch ------- 伸缩(s) Rectangle -------编辑矩形图形(r) Polygon ------- 编辑多边形图形(P) Path ------- 编辑布线路径(p) Copy -------复制编辑 (c) status banner 状态显示栏 位于 menu banner 的上方 显示的是坐标 当前编辑指 令等状态信息 在版图视窗外的左侧还有一个层选择窗口 Layer and Selection Window LSW 第 2 页 共 2 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 LSW 视图的功能 1 2 3 可选择所编辑图形所在的层 可选择哪些层可供编辑 可选择哪些层可以看到 由于我们所需的部分版图层次在初始 LSW 中并不存在 因此下一步要做的是 建立我们 自己的工艺库所需的版图层次及其显示属性 为了简单起见 以下仅列出绘制我们这个版图 所需的最少版图层次 层次名称 说明 Nwell Active Pselect Nselect Contact Metal1 Via Metal2 Text Poly N 阱 有源区 P 型注入掩膜 N 型注入掩膜 引线孔 连接金属与多晶硅/有源区 第一层金属 用于水平布线 如电源和地 通孔 连接 metal1 和 metal2 第二层金属 用于垂直布线 如信号源的 I/O 口 标签 多晶硅 做 mos 的栅 下图是修改后的 LSW 第 3 页 共 3 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 图 2-2-2 LSW 如何来修改 LSW 中的层次呢 以下就是步骤 1 切换至 CIW 窗口 在 technology file 的下拉菜单中选择最后一项 edit layers 出现如图窗 口 图 2-2-3 edit layers 2 在 technology library 中选择库 mylib 先使用 delete 功能去除不需要的层次 然后点击 add 添加必需的层次 add 打开如下图的窗口 第 4 页 共 4 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 图 2-2-4 其中 layer name 中填入所需添加的层的名称 Abbv 是层次名称缩写 Number 是系统给层 次的内部编号 系统保留 128 256 的数字作为其默认层次的编号而将 1 127 留给开发者创 造新层次 Purpose 是所添加层次的功用 如果是绘图层次 一般选择 drawing Priority 是 层次在 LSW 中的排序位置 其余的选项一般保持默认值 在右边是图层的显示属性 可以 直接套用其中某些层次的显示属性 也可以点击 edit resources 自己编辑显示属性 如图 2-2-5 所示 这个窗口还可以在 LSW 中调出 编辑方法很简单 读者可以自己推敲 就不再赘 述 上述工作完毕后就得到我们所需的层次 接着我们就可以开始绘制版图了 一 画 pmos 的版图 新建一个名为 pmos 的 cell § 2 3 绘制版图 1 2 画出有源区 在 LSW 中 点击 active dg 注意这时 LSW 顶部显示 active 字样 说明 active 层 为当前所选层次 然后点击 icon menu 中的 rectangle icon 在 vituoso editing 窗口中 画一个宽为 3.6u 长为 6u 的矩形 这里我们为了定标 必须得用到标尺 点击 misc/ruler 即可得到 清除标尺点击 misc/clear ruler 如果你在绘制时出错 点击需 要去除的部分 然后点击 delete icon 画栅 在 LSW 中 点击 poly dg 画矩形 与有源区的位置关系如下图 第 5 页 共 5 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 0.6u 0.6u(gate length) 6u(gate width) 1.5u 3.6u 图 2-2-5 display resource editor 3 画整个 pmos 为了表明我们画的是 pmos 管 我们必须在刚才图形的基础上添加一个 pselect 层 这一层 将覆盖整个有源区 0.6u 接着 我们还要在整个管子外围画上 nwell 它覆盖有源区 1.8u 如下图所示 第 6 页 共 6 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 pselect 00.6u0.6u 1.8u nwell 4 衬底连接 pmos 的衬底 nwell 必须连接到 vdd 首先 画一个 1.2u 乘 1.2u 的 active 矩形 然后 在这个矩形的边上包围一层 nselect 层 覆盖 active0 6u 最后将 nwell 的矩形拉长 完成 后如下图所示 nselect active pselect 这样一个 pmos 的版图就大致完成了 接着我们要给这个管子布线 二 布线 pmos 管必须连接到输入信号源和电源上 因此我们必须在原图基础上布金属线 1 首先我们要完成有源区 源区和漏区 的连接 在源区和漏区上用 contact dg 层 分别画三个矩形 尺寸为 0.6 乘 0.6 注意 contact 间距为 1.5u 用 metal1 dg 层画两个矩形 他们分别覆盖源区和漏区上的 contact 覆盖长度为 0.3u 为完成衬底连接 我们必须在衬底的有源区中间添加一个 contact 这个 contact 每 边都被 active 覆盖 0.3u 画用于电源的金属连线 宽度为 3u 将其放置在 pmos 版图的最上方 2 3 4 布线完毕后的版图如下图所示 第 7 页 共 7 页
Cadence cdsSPICE 使用说明 资料收藏 http://www.maihui.net PCB 收藏天地 图 2-3-1 pmos 版图 通过以上步骤我们完成了 pmos 的版图绘制 接下来我们将绘制出 nmos 的版图 三 画 nmos 的版图 绘制 nmos 管的步骤同 pmos 管基本相同 新建一个名为 nmos 的 cell 无非是某些参 数变化一下 下面给出 nmos 管的图形及一些参数 具体绘制步骤就不再赘述 3.6u 0.6u 0.6u 3u 3u 图 2-3-2nmos 版图 四 完成整个非门的绘制及绘制输入 输出 1 新建一个 cell inv 将上面完成的两个版图拷贝到其中 并以多晶硅为基准将两 第 8 页 共 8 页
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