光敏三极管 TBCB30
TBCB30
替代 CdS 光敏电阻
符合 RoHS 环保指令 / 无鉛 / 无鎘
NPN 型光敏三极管
产品说明书
一. 外观特性及内部电路图
发
射
极
集
电
极
1
2
注: 单位
胶体颜色:水清透明
公差:
二. 光电特性 (Ta= 25°C)
参数
集电极光电流
符号
IC
集电极暗电流
集电极-发射级饱和压降
峰值波长
光谱灵敏度
半角度
反应时间(上升)
反应时间(下降)
增益
ICEO
VCE(sat)
λp
Δλ
Δθ
tr
Tf
hFE
测试条件
VCE=5V, Ev= 10Lux,
最小
100
VCE=5V, Ee= 0
IC=20mA,IB=100uA
VCC=5V, IC=1mA
RL=1K
VCE=5v IC=2mA
500
典型
250
※1
850
450~1050
±15
15
15
最大 单位
微安
500
10
2.0
1500
纳安
伏
纳米
纳米
度
微秒
微秒
※1 为保证一致性集电极光电流在10LUX光源下测试分50uA一档出货。
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光敏三极管 TBCB30
三.最大额定值(Ta= 25°C)
特性参数
集电极-发射级电压
发射级-集电级电压
集电极电流
集电极功耗
工作温度
储存温度
焊接温度(5 秒)※1
※1 At the position of 2mm from the bottom of the package within 5 seconds.
符号
VCEO
VECO
IC
PD
Topr
Tstg
Tsol
70
7
20
100
额定值
-25~+70
-25~+80
260
四.光電特性曲綫
圖 3 TBCB30 光谱响应曲线
单位
伏
伏
毫安
毫瓦
度
度
度
圖 4 光電流 vs. 光照強度 圖 5 暗電流 vs. 環境溫度
图 6 电压与电流 图 7 负载与反应时间
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光敏三极管 TBCB30
半角度图
图 8 功耗与温度 图 9 半角度图
五.用戶注意事項
♦ 不能在超出產品規格範圍的情況下使用本產品。
♦ 應注意保證焊接溫度不能超過額定範圍. 在焊接過程中或焊接完畢時應避免有外力作用于引腳。
不可重復焊接。
♦ 本產品符合歐盟RoHS環保指令。
♦ 產品表面的損傷和污染均會影響光電流。
♦ 本產品採用防静电袋封裝。
♦ 避免在过于潮湿环境中使用。
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