两级OTA 或Cascode OTA 设计
2017 年 1 月 9 日
1
目录
目录
1 实验目的
2 实验内容
3 放大电路选取
4 初定参数
4.1 确定Id . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 确定Vov
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3 计算W/L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4 确定L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 手工计算
6 电路参数调整
7 Hspice仿真
7.1 编写Hspice网表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2 直流电压增益Av,单位增益带宽GBW,相位裕度PM . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.3 系统失调电压Offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4 输入共模范围ICMR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5 输出摆幅Swing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.6 共模抑制比CMRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8 实验总结
9 附录
9.1 Hspice网表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.2 参考文献 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.3 标注参数的电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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16
1 实验目的
3
1 实验目的
1.1 掌握OTA的手动计算方法;
1.2 掌握Hspice仿真软件的使用;
1.3 掌握OTA基本参数的仿真方法;
1.4 培养学生分析、解决问题的综合能力(理论+动手能力)。
2 实验内容
2.1 基于1.2µm 5V CMOS工艺,设计一个OTA电路,具体指标如下:
参数
电源电压
工作温度
负载电阻(CL)
直流增益(DC Gain)
单位增益带宽(GBW)
相位裕度(PM)
系统失调电压(Offset)
输入共模范围(ICMR)
输出摆幅(Swing)
共模抑制比(CMRR)
功耗
指标
VDD=5V GND=0V
27◦C
10pF
60dB
5MHz
60◦
<10mV
1.5V-4.5V
0.8V-4.2V
60dB @ DC
小于1mW
工艺模型参数
Vt0
K
NMOS
PMOS
0.74V 80µA/V 2
-0.74V 27µA/V 2
2.2 参 照Hspice软 件 安 装 文 件 夹 下《安 装 说 明》学 习Hspice仿 真 软 件 的 安 装 和 使 用,参 照
“Hspice教程”文件夹学习输入网表文件的编写方法。
2.3 根据指标要求,选取、确定合适的电路结构,并进行参数的手动计算。
2.4 按照手动计算好的参数以及画好标注好节点的电路图,编写OTA的spice输入网表文件,并
参照“运放参数仿真参考电路.pptx”和sp文件夹搭建各种spice仿真网表,进行各项指标的仿真分
析。
2.5 根据仿真结果进行相应的器件参数调试、迭代,以满足各项指标要求。确定最终的器件尺
寸,并给出以下仿真结果:直流电压增益、单位增益带宽、相位裕度、输入共模范围、输入失调电
压、输出电压摆幅、共模抑制比。
2.6 整理spice文件、仿真数据与曲线图表,撰写并提交实验报告,其中电路原理图、各种仿真
架构图,需要用PPT或visio绘制,然后插入到word文档中。
3 放大电路选取
4
2.7 实验报告要规范、严谨、清晰,要包含OTA原理图及对应的spice网表,各种仿真电路图及
对应的网表,各种指标仿真结果、详细的理论阐述、公式推导、结果说明,以及完整的参数表格和
仿真结果表格。
3 放大电路选取
除了最基本的两级OTA结构以外,人们也提出了许多其他高性能OTA结构,如Telescopic
OTA,折叠Cascode OTA,带Miller补偿的Cascode两级OTA等等。
基本两级OTA功耗很高,Miller补偿影响电路速度,且输出结点非主极点,负载电容增加时系
统稳定性恶化。 Telescopic OTA增益与基本两级OTA相似,功耗较低,速度较高,噪声性能优良,
但输出摆幅非常受限。 折叠Cascode OTA结构,它的增益、噪声性能、频率特性略逊于Telescopic
OTA,但是具有较高的输出摆幅,且输出摆幅与输入共模范围无关,便于级联。 因而,本设计中
考虑采用折叠Cascode OTA结构。
同时,注意到性能指标要求中,共模输入范围偏向VDD(1.5-4.5V),因此采用NMOS作为输入
对。偏置电路部分由自启动电路,恒跨导电流源,电流镜和串联晶体管构成。用Multisim画出完整
电路图,如图1所示。
图 1: 含偏置电路的折叠Cascode OTA电路图
4 初定参数
4.1 确定Id
根 据 功 率P ≤ 1mW, VDD = 5V, 可 知 电 路 总 电 流 I ≤ 200µA。 输 入 差 分 对 管M1,2
各30μA, 则 尾 电 流M3 管60μA; 尾 电 流M10,11 管 与M3 电 流 严 格 相 等, 为60 μA; 电 流 镜
4 初定参数
5
管M4,5,6,7 和Cascode 管M8,9 为30μA;自启动电路和Wildar 恒跨导电流源每条支路5μA,其余
产生偏置电压的每条支路10μA。验证 I = 155 ≤ 200µA.
4.2 确定Vov
MOS管饱和区Vov为150 ~ 400mV;尾电流管M10,11取较大的400mV,减小匹配电流镜随机
失配;电流镜管M3,4取300mV减小随机失配,输入差分对管取较小的150mV,减小差分对失调;
根据ICMR确定M3为300mV,根据Swing确定M8,9为200mV,M6,7为150mV,随之确定偏置电路
匹配管的Vov。
根据自启动原理,最初M17栅端为低电位,NMOS M15不导通,PMOS M16导通,拉高M14栅
端电位,使M14导通,拉低M19栅端电位,使得电流镜管有电流流过,电流源管开始工作。电路稳
定后M17栅端为高电位,使得NMOS M15导通,PMOS M16在饱和区,开关管M14关断。取M14长
宽均为最小工艺1.2µm;M15的长1取1.2µm,宽取较大值;M16为倒比管,宽取1.2µm,长取较大
值。仿真时反复调试直到电路可正常工作为止。
偏置电压线性区MOS管的宽长为饱和区管的1/K倍。其中K≥ (2 + 1)2 − 1,取为10.
4.3 计算W/L
对vov和Id已定的饱和区MOS管而言,根据
W
L
=
2Id
Kv2
ov
可得
(
W
L
W
L
(
)1,2 =
)4,5 =
(
W
L
)8,9 =
2 × 30
80 × 0.152 ≈ 34,
2 × 30
80 × 0.32 ≈ 6,
2 × 30
27 × 0.22 ≈ 56,
(
W
L
)3 =
)6,7 =
)10,11 =
(
(
W
L
W
L
2 × 60
80 × 0.32 ≈ 17
2 × 30
≈ 34
80 × 0.15
2 × 60
27 × 0.42 ≈ 28
(
W
L
)16 =
1
20
)15 = 10,
W
L
≈ 2,
(
W
L
)17 =
(
W
)14 = 1,
L
2 × (1 − 1√
(
)2 × 106
4
80 × 5 × 252
2 × 5
27 × 0.42 ≈ 3,
2 × 10
80 × 0.152 ≈ 10,
(
W
L
W
L
(
)19,20 =
)22 =
)25,26 =
W
(
L
2 × 10
27 × 0.22 ≈ 20,
(
W
L
)27 =
(
W
L
)23,24 =
)17 ≈ 8
W
L
)18 = 4 × (
2 × 10
27 × 0.42 ≈ 6
× (
)22 = 1
1
10
W
L
(
W
L
W
(
L
2 × 10
80 × 0.32 ≈ 3
)21 =
(
W
L
)28 =
1
10
× (
W
L
)27 ≈ 2
5 手工计算
4.4 确定L
6
L的值通常会取最小工艺的2-10倍,由于本实验工艺为相对较大的1.2µm,即使L取最小工艺值
也不会产生短沟道效应,而L取过大会增加板图面积,因此综合考虑决定本实验中L取1.2-9.6µm,
且为1.2µm的整数倍。
MOS管沟道长度决定了其输出电阻ro和寄生电容大小,并与OTA的直流增益、 相频响应
等密切相关。 为了减少输入对管M1,2失调,L取为9.6µ;为减小失配,电流镜管M4,5的L取最大
的9.6µ,尾电流管M10,11的L取9.6µ;为推远第二第三极点和右半平面零点,取共栅管M6,7,8,9的L为
较小的3.6µ。初步W/L取值如表1所示。
MOS管序号
W/L
MOS管序号
W/L
M1,2
M3
M4,5
M6,7
M8,9
326.4u/9.6u
81.6u/4.8u
32.4u/3.6u
122.4u/3.6u
M19,20
M23,24
M21
M22
28.8u/9.6u
28.8u/9.6u, m=2
3.6u/3.6u
3.6u/3.6u, m=10
201.6u/3.6u
M25,26
28.8u/9.6u
M10,11
268.8u/9.6u
M14
M15
M17
M18
7.2u/3.6u, m=10
7.2u/3.6u
1.2u/24u
阻值
25kΩ
1.2u/1.2u
12u/1.2u
7.2u/3.6u
M27
M28
M16
电阻
7.2u/3.6u, m=4 R1
表 1: 初定OTA参数表
5 手工计算
由model.sp文件可知Ld = 0.15µm,tox = 200 × 10−10m,λn = 0.037,λp = 0.061。 查阅资料
得知,二氧化硅的相对介电常数εr = 3.9,真空介电常数ε0 = 8.85 × 10−12F/m。故有
Cox =
εrε0
tox
= 1.725 × 10−3F/m2
则由
Cgs =
2
W LCox + W LdCox
3
gm = K W
L
1 + λ|VDS|
vov
≈ 1
λId
ro =
λId
可得所需手算参数。
根据电路分析得Folded Cascode OTA性能参数满足以下公式:
Rout = (gm7ro7ro5)||(gm9ro9(ro11||ro2))
6 电路参数调整
7
Gm = gm1,2,
Av = gm1,2Rout
Acm =
gm1,2
1
1 + 2gm1,2ro3
gm4,5
CM RR =
Av
Acm
= gm4,5(1 + 2gm1,2ro3)Rout
GBW =
gm1,2
2πCL
,
1
p1 =
p2 =
gm4,5
2Cgs4,5
− tan−1 ωc
P M = 180◦ − tan−1 ωc
z
p1
ICMR: vov3 + vov1,2 + vt ~ VDD − min{vov10,11 − vt, 0}
1
2
− tan−1 ωc
p2
p3 =
RoutCL
gm6,7
Cgs6,7
− tan−1 ωc
p3
=
z,
SW: vov6fi7 + vov4fi5 ~ VDD − vov10,11 − vov8,9
根据上述公式,手工计算求得:Av=78.80dB, CMRR=121.07dB, GBW=6.49MHz, PM=74.44◦,
ICMR:1.19V ~ 5V, SW:0.5V ~ 4.4V,均符合要求。
HSPICE初步仿真得:Av=75.80dB, CMRR=78.6dB, GBW=6.93MHz, PM=72.5◦, Offset=0,
ICMR:1.01V ~ 4.64V, SW:525mV ~ 4.41V, Power=967.6806µW,也均符合要求。
6 电路参数调整
仿真时发现CMRR偏离计算值较大,并且查阅listing file发现M6管处于线性区,检查发现原因
是编写网标时结点编号重复,加以改正。 同时,为减少功耗,修改中删掉M24,25管,节约了一路
偏置电路。改动后电路图如图2所示。
考虑电路性能的改善,由上节手工计算公式容易看出以下规律:
提高Av:提高gm1,2、增大Rout;即减小vov1,2、vov6fi7、vov8fi9;
提高CMRR:提高Rout;同时可减小vov1,2、vov4fi5;
提高GBW:提高gm1,2,即减小vov1,2;
改善PM:减小ωc即GBW;同时可增大p2,p3,z,即减小vov4,5、vov6,7、L4,5、L6,7;
改善ICMR、SW:减小OTA部分各管vov.
同 时, 注 意 到M6,7, M8,9管 的L需 要 取 为M4,5, M10,11的 一 半, M19, 20, 23管 的L需 要
与M10,11匹 配,M26管 的L需 要 与M4,5匹 配,对L值 也 进 行 了 修 改。 按 照 上 述 原 则 调 整,参 数
最终取值如表2所示。
7 HSPICE仿真
8
图 2: 调整偏置电路后的折叠Cascode OTA电路图
MOS管序号
W/L
MOS管序号
W/L
M1,2
M3
M4,5
M6,7
M8,9
M10,11
M14
M15
M17
M18
163.2u/4.8u
M19,20
21.6u/7.2u
163.2u/9.6u
64.8u/7.2u
122.4u/3.6u
201.6u/3.6u
201.6u/7.2u
1.2u/1.2u
12u/1.2u
7.2u/3.6u
M23
M21
M22
M26
M27
M28
M16
电阻
7.2u/3.6u, m=4 R1
21.6u/7.2u, m=2
3.6u/3.6u
3.6u/3.6u, m=10
21.6u/7.2u
7.2u/3.6u, m=10
7.2u/3.6u
1.2u/24u
阻值
25kΩ
表 2: 最终OTA参数表
7 Hspice仿真
7.1 编写Hspice网表
秉承面向对象程序设计的思想,我们将折叠Cascode OTA编写为子网表,以IP,IN,OUT三
个结点为对外接口。 我们也为每个参数的不同仿真外电路编写了网表,用时调用折叠Cascode
OTA子 网 表 以 进 行 各 项 参 数 仿 真。 另 外, 为 了 方 便 前 期 调 试, 大 部 分MOS管 的 宽 长 比 均 按
照L/L*m的格式编写。网表文件详见附录3。