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两级OTA或Cascode OTA设计.pdf

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两级OTA 或Cascode OTA 设计 2017 年 1 月 9 日 1
目录 目录 1 实验目的 2 实验内容 3 放大电路选取 4 初定参数 4.1 确定Id . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 确定Vov . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 计算W/L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 确定L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 手工计算 6 电路参数调整 7 Hspice仿真 7.1 编写Hspice网表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2 直流电压增益Av,单位增益带宽GBW,相位裕度PM . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3 系统失调电压Offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.4 输入共模范围ICMR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5 输出摆幅Swing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.6 共模抑制比CMRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 实验总结 9 附录 9.1 Hspice网表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2 参考文献 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.3 标注参数的电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 2 3 3 3 4 4 5 5 6 7 7 8 9 10 11 12 13 13 13 16 16
1 实验目的 3 1 实验目的 1.1 掌握OTA的手动计算方法; 1.2 掌握Hspice仿真软件的使用; 1.3 掌握OTA基本参数的仿真方法; 1.4 培养学生分析、解决问题的综合能力(理论+动手能力)。 2 实验内容 2.1 基于1.2µm 5V CMOS工艺,设计一个OTA电路,具体指标如下: 参数 电源电压 工作温度 负载电阻(CL) 直流增益(DC Gain) 单位增益带宽(GBW) 相位裕度(PM) 系统失调电压(Offset) 输入共模范围(ICMR) 输出摆幅(Swing) 共模抑制比(CMRR) 功耗 指标 VDD=5V GND=0V 27◦C 10pF 60dB 5MHz 60◦ <10mV 1.5V-4.5V 0.8V-4.2V 60dB @ DC 小于1mW 工艺模型参数 Vt0 K NMOS PMOS 0.74V 80µA/V 2 -0.74V 27µA/V 2 2.2 参 照Hspice软 件 安 装 文 件 夹 下《安 装 说 明》学 习Hspice仿 真 软 件 的 安 装 和 使 用,参 照 “Hspice教程”文件夹学习输入网表文件的编写方法。 2.3 根据指标要求,选取、确定合适的电路结构,并进行参数的手动计算。 2.4 按照手动计算好的参数以及画好标注好节点的电路图,编写OTA的spice输入网表文件,并 参照“运放参数仿真参考电路.pptx”和sp文件夹搭建各种spice仿真网表,进行各项指标的仿真分 析。 2.5 根据仿真结果进行相应的器件参数调试、迭代,以满足各项指标要求。确定最终的器件尺 寸,并给出以下仿真结果:直流电压增益、单位增益带宽、相位裕度、输入共模范围、输入失调电 压、输出电压摆幅、共模抑制比。 2.6 整理spice文件、仿真数据与曲线图表,撰写并提交实验报告,其中电路原理图、各种仿真 架构图,需要用PPT或visio绘制,然后插入到word文档中。
3 放大电路选取 4 2.7 实验报告要规范、严谨、清晰,要包含OTA原理图及对应的spice网表,各种仿真电路图及 对应的网表,各种指标仿真结果、详细的理论阐述、公式推导、结果说明,以及完整的参数表格和 仿真结果表格。 3 放大电路选取 除了最基本的两级OTA结构以外,人们也提出了许多其他高性能OTA结构,如Telescopic OTA,折叠Cascode OTA,带Miller补偿的Cascode两级OTA等等。 基本两级OTA功耗很高,Miller补偿影响电路速度,且输出结点非主极点,负载电容增加时系 统稳定性恶化。 Telescopic OTA增益与基本两级OTA相似,功耗较低,速度较高,噪声性能优良, 但输出摆幅非常受限。 折叠Cascode OTA结构,它的增益、噪声性能、频率特性略逊于Telescopic OTA,但是具有较高的输出摆幅,且输出摆幅与输入共模范围无关,便于级联。 因而,本设计中 考虑采用折叠Cascode OTA结构。 同时,注意到性能指标要求中,共模输入范围偏向VDD(1.5-4.5V),因此采用NMOS作为输入 对。偏置电路部分由自启动电路,恒跨导电流源,电流镜和串联晶体管构成。用Multisim画出完整 电路图,如图1所示。 图 1: 含偏置电路的折叠Cascode OTA电路图 4 初定参数 4.1 确定Id 根 据 功 率P ≤ 1mW, VDD = 5V, 可 知 电 路 总 电 流 I ≤ 200µA。 输 入 差 分 对 管M1,2 各30μA, 则 尾 电 流M3 管60μA; 尾 电 流M10,11 管 与M3 电 流 严 格 相 等, 为60 μA; 电 流 镜
4 初定参数 5 管M4,5,6,7 和Cascode 管M8,9 为30μA;自启动电路和Wildar 恒跨导电流源每条支路5μA,其余 产生偏置电压的每条支路10μA。验证 I = 155 ≤ 200µA. 4.2 确定Vov MOS管饱和区Vov为150 ~ 400mV;尾电流管M10,11取较大的400mV,减小匹配电流镜随机 失配;电流镜管M3,4取300mV减小随机失配,输入差分对管取较小的150mV,减小差分对失调; 根据ICMR确定M3为300mV,根据Swing确定M8,9为200mV,M6,7为150mV,随之确定偏置电路 匹配管的Vov。 根据自启动原理,最初M17栅端为低电位,NMOS M15不导通,PMOS M16导通,拉高M14栅 端电位,使M14导通,拉低M19栅端电位,使得电流镜管有电流流过,电流源管开始工作。电路稳 定后M17栅端为高电位,使得NMOS M15导通,PMOS M16在饱和区,开关管M14关断。取M14长 宽均为最小工艺1.2µm;M15的长1取1.2µm,宽取较大值;M16为倒比管,宽取1.2µm,长取较大 值。仿真时反复调试直到电路可正常工作为止。 偏置电压线性区MOS管的宽长为饱和区管的1/K倍。其中K≥ (2 + 1)2 − 1,取为10. 4.3 计算W/L 对vov和Id已定的饱和区MOS管而言,根据 W L = 2Id Kv2 ov 可得 ( W L W L ( )1,2 = )4,5 = ( W L )8,9 = 2 × 30 80 × 0.152 ≈ 34, 2 × 30 80 × 0.32 ≈ 6, 2 × 30 27 × 0.22 ≈ 56, ( W L )3 = )6,7 = )10,11 = ( ( W L W L 2 × 60 80 × 0.32 ≈ 17 2 × 30 ≈ 34 80 × 0.15 2 × 60 27 × 0.42 ≈ 28 ( W L )16 = 1 20 )15 = 10, W L ≈ 2, ( W L )17 = ( W )14 = 1, L 2 × (1 − 1√ ( )2 × 106 4 80 × 5 × 252 2 × 5 27 × 0.42 ≈ 3, 2 × 10 80 × 0.152 ≈ 10, ( W L W L ( )19,20 = )22 = )25,26 = W ( L 2 × 10 27 × 0.22 ≈ 20, ( W L )27 = ( W L )23,24 = )17 ≈ 8 W L )18 = 4 × ( 2 × 10 27 × 0.42 ≈ 6 × ( )22 = 1 1 10 W L ( W L W ( L 2 × 10 80 × 0.32 ≈ 3 )21 = ( W L )28 = 1 10 × ( W L )27 ≈ 2
5 手工计算 4.4 确定L 6 L的值通常会取最小工艺的2-10倍,由于本实验工艺为相对较大的1.2µm,即使L取最小工艺值 也不会产生短沟道效应,而L取过大会增加板图面积,因此综合考虑决定本实验中L取1.2-9.6µm, 且为1.2µm的整数倍。 MOS管沟道长度决定了其输出电阻ro和寄生电容大小,并与OTA的直流增益、 相频响应 等密切相关。 为了减少输入对管M1,2失调,L取为9.6µ;为减小失配,电流镜管M4,5的L取最大 的9.6µ,尾电流管M10,11的L取9.6µ;为推远第二第三极点和右半平面零点,取共栅管M6,7,8,9的L为 较小的3.6µ。初步W/L取值如表1所示。 MOS管序号 W/L MOS管序号 W/L M1,2 M3 M4,5 M6,7 M8,9 326.4u/9.6u 81.6u/4.8u 32.4u/3.6u 122.4u/3.6u M19,20 M23,24 M21 M22 28.8u/9.6u 28.8u/9.6u, m=2 3.6u/3.6u 3.6u/3.6u, m=10 201.6u/3.6u M25,26 28.8u/9.6u M10,11 268.8u/9.6u M14 M15 M17 M18 7.2u/3.6u, m=10 7.2u/3.6u 1.2u/24u 阻值 25kΩ 1.2u/1.2u 12u/1.2u 7.2u/3.6u M27 M28 M16 电阻 7.2u/3.6u, m=4 R1 表 1: 初定OTA参数表 5 手工计算 由model.sp文件可知Ld = 0.15µm,tox = 200 × 10−10m,λn = 0.037,λp = 0.061。 查阅资料 得知,二氧化硅的相对介电常数εr = 3.9,真空介电常数ε0 = 8.85 × 10−12F/m。故有 Cox = εrε0 tox = 1.725 × 10−3F/m2 则由 Cgs = 2 W LCox + W LdCox 3 gm = K W L 1 + λ|VDS| vov ≈ 1 λId ro = λId 可得所需手算参数。 根据电路分析得Folded Cascode OTA性能参数满足以下公式: Rout = (gm7ro7ro5)||(gm9ro9(ro11||ro2))
6 电路参数调整 7 Gm = gm1,2, Av = gm1,2Rout Acm = gm1,2 1 1 + 2gm1,2ro3 gm4,5 CM RR = Av Acm = gm4,5(1 + 2gm1,2ro3)Rout GBW = gm1,2 2πCL , 1 p1 = p2 = gm4,5 2Cgs4,5 − tan−1 ωc P M = 180◦ − tan−1 ωc z p1 ICMR: vov3 + vov1,2 + vt ~ VDD − min{vov10,11 − vt, 0} 1 2 − tan−1 ωc p2 p3 = RoutCL gm6,7 Cgs6,7 − tan−1 ωc p3 = z, SW: vov6fi7 + vov4fi5 ~ VDD − vov10,11 − vov8,9 根据上述公式,手工计算求得:Av=78.80dB, CMRR=121.07dB, GBW=6.49MHz, PM=74.44◦, ICMR:1.19V ~ 5V, SW:0.5V ~ 4.4V,均符合要求。 HSPICE初步仿真得:Av=75.80dB, CMRR=78.6dB, GBW=6.93MHz, PM=72.5◦, Offset=0, ICMR:1.01V ~ 4.64V, SW:525mV ~ 4.41V, Power=967.6806µW,也均符合要求。 6 电路参数调整 仿真时发现CMRR偏离计算值较大,并且查阅listing file发现M6管处于线性区,检查发现原因 是编写网标时结点编号重复,加以改正。 同时,为减少功耗,修改中删掉M24,25管,节约了一路 偏置电路。改动后电路图如图2所示。 考虑电路性能的改善,由上节手工计算公式容易看出以下规律: 提高Av:提高gm1,2、增大Rout;即减小vov1,2、vov6fi7、vov8fi9; 提高CMRR:提高Rout;同时可减小vov1,2、vov4fi5; 提高GBW:提高gm1,2,即减小vov1,2; 改善PM:减小ωc即GBW;同时可增大p2,p3,z,即减小vov4,5、vov6,7、L4,5、L6,7; 改善ICMR、SW:减小OTA部分各管vov. 同 时, 注 意 到M6,7, M8,9管 的L需 要 取 为M4,5, M10,11的 一 半, M19, 20, 23管 的L需 要 与M10,11匹 配,M26管 的L需 要 与M4,5匹 配,对L值 也 进 行 了 修 改。 按 照 上 述 原 则 调 整,参 数 最终取值如表2所示。
7 HSPICE仿真 8 图 2: 调整偏置电路后的折叠Cascode OTA电路图 MOS管序号 W/L MOS管序号 W/L M1,2 M3 M4,5 M6,7 M8,9 M10,11 M14 M15 M17 M18 163.2u/4.8u M19,20 21.6u/7.2u 163.2u/9.6u 64.8u/7.2u 122.4u/3.6u 201.6u/3.6u 201.6u/7.2u 1.2u/1.2u 12u/1.2u 7.2u/3.6u M23 M21 M22 M26 M27 M28 M16 电阻 7.2u/3.6u, m=4 R1 21.6u/7.2u, m=2 3.6u/3.6u 3.6u/3.6u, m=10 21.6u/7.2u 7.2u/3.6u, m=10 7.2u/3.6u 1.2u/24u 阻值 25kΩ 表 2: 最终OTA参数表 7 Hspice仿真 7.1 编写Hspice网表 秉承面向对象程序设计的思想,我们将折叠Cascode OTA编写为子网表,以IP,IN,OUT三 个结点为对外接口。 我们也为每个参数的不同仿真外电路编写了网表,用时调用折叠Cascode OTA子 网 表 以 进 行 各 项 参 数 仿 真。 另 外, 为 了 方 便 前 期 调 试, 大 部 分MOS管 的 宽 长 比 均 按 照L/L*m的格式编写。网表文件详见附录3。
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