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Macroblock 产品特色恒流输出范围值：3~45mA 16 个恒流输出通道 - 在5.0伏特操作电压：3~45mA - 在3.3伏特操作电压：3~30mA 强制式 LED 开路错误侦测功能 - LED开路侦测 - 全屏错误侦测、可独立进行错误侦测 - 小电流错误侦测时画面不闪烁(Flicker-free) 具64阶可程控之电流增益功能：12.5%~200% 极为精确的电流输出值：通道间一般差异值：<±1.5％芯片间一般差异值：<±3％ MBI5034 具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器初始规格书 Small Outline Package GF: SOP24L-300-1.00 Shrink SOP GP: SSOP24L-150-0.64 快速的输出电流响应，最小 OE ：20ns 输出通道间的交错时间迟滞，可避免突波电流高达30MHz时钟频率具 Schmitt trigger 输入装置产品说明 MBI5034 是一款具有先进错误侦测以及电流增益功能的 16 通道恒流 LED 驱动芯片。MBI5034 采用 PrecisionDrive™ 技术以得到最佳电气特性。另外 MBI5034 采用 Share-I-O™技术，在封装方面，MBI5034 可完全兼容于 MBI5026、 MBI5036 与 MBI5039，并具有强制开路错误侦测功能以及电流增益功能。 MBI5034 内建一个 16 位位移寄存器(Shift Register)及一个 16 位输出缓存器，可将串行式输入数据转换为并列式输出格式。在输出端，设计 16 个稳定的电流源，可以因应 LED 负载电压 (VF) 的变化，提供均匀、稳定的电流以驱动 LED。当使用者将 MBI5034 应用于 LED 面板显示系统设计上时，其中包括可透过一个外接的电阻 (Rext) 调整输出电流，电流输出范围从 3mA~45mA，用以控制 LED 的发光亮度。此外，MBI5034 可承受最大输出电压为 17 伏特，并可提供在 30MHz 的频率，以满足系统传送大量数据的需求。 MBI5034 提供强制开路的错误侦测功能，即可在不需要其它组件的情况下进行 LED 开路错误侦测。由于侦测时，输出通道开启的时间与电流均小，因此人眼并不会察觉闪烁的现象且影像品质亦不会受到影响。当进行侦测时，无论输入的数据为 0 或 1，皆会对所有的输出通道进行侦测。使用者也可使用 MBI5034 透过可程控之写入组态码以调整输出电流，由 SDI 脚位传送电流调整码 MBI5034。当 LE 在下降缘时，储存在位移寄存器中的电流调整码会被写入 16 位控制状态寄存器中。电流调整码会影响 R-EXT 脚位端的电压并控制输出电流调节器。经由 64 阶微调的电流增益功能 (增益范围: 12.5%~200%)，可适当调整输出电流。透过聚积科技的 Share-I-O™专利技术，使用者只需要将控制器升级并确保 OE 的可控制性，即可轻易利用 MBI5034 取代 MBI5026/36/39，且无需更改原有的 PCB，即可享有更先进的功能。 ©Macroblock, Inc. 2010 - 1 - 2010 年 4 月, V1.00

MBI5034 脚位图具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 VDD R-EXT SDO OE OUT15 OUT14 OUT13 OUT12 OUT11 OUT10 OUT9 OUT8 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 GND SDI CLK LE OUT0 OUT1 OUT2 OUT3 OUT4 OUT5 OUT6 OUT7 正面脚位说明 Pin脚名称 MBI5034GF/GP 功能 GND SDI CLK LE 控制逻辑及驱动电流之接地端。输入至位移寄存器之串行数据输入端。数据时钟讯号之输入端；资料位移会发生在时钟上升缘；LE 启动时，可输入控制指令。数据闪控 (data strobe ) 输入端；配合 CLK 可下达控制指令。 OUT0 ~ OUT15 恒流输出端。输出致能讯号端。 OE 内置上拉电阻。当 OE 是低电位时，即会启动 OUT0 ~ OUT15 输出；当 OE 是高电位时， OUT0 ~ OUT15 输出会被关闭 (不驱动电流)。同时， OE 在错误侦测模式中，为一控制讯号输入端。详细说明请参考错误侦测原理。串行数据输出端；可接至下一个驱动器之 SDI 端。连接外接电阻之输入端；此外接电阻可设定所有输出通道之输出电流。 3.3V/5V 电源供应端。 OE SDO R-EXT VDD - 2 - 2010 年 4 月, V1.00

MBI5034 功能方块图具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器 OUT0 1OUT OUT14 OUT15 R-EXT VDD 6 位电流增益 OE LE 控制逻辑 LED 开路错误侦测 16 位输出驱动器 16 6 GND 16 位控制状态寄存器 16 位输出缓存器 SDI CLK 输入及输出等效电路 OE 输入端 16 16 16 位位移寄存器 SDO 16 LE 输入端 VDD VDD IN CLK, SDI 输入端 VDD SDO 输出端 VDD OUT - 3 - 2010 年 4 月, V1.00 IN IN

MBI5034 最大限定范围特性具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器代表符号最大工作范围电源电压输入端电压(SDI, OE , LE, CLK) SDO 耐压输出端 OUTn 耐压输出端电流( OUT0 ~ OUT15 ) GND 接地端电流 GF包装消耗功率 (在四层印刷电路板上，25°C时)* GP包装 GF包装热阻值 (在四层印刷电路板上，25°C时)* GP包装 IC工作时的环境温度 IC储存时的环境温度 ESD静电量测 HBM (MIL-STD-883G Method 3015.7，人体静电模式) MM (JEDEC EIA/JESD22-A115，机器静电模式) VDD VIN VOUT VDS IOUT IGND PD Rth(j-a) Topr Tstg - - 0~7 -0.4 to VDD+0.4 -0.4~VDD+0.4 -0.5~+17 +45 +720 1.83 1.76 68.44 71.18 -40~+85 -55~+150 Class 3A (4000V~7999V) Class B (200V~399V) 单位 V V V V mA mA W °C/W °C °C - - *模拟时，PCB 尺寸为 76.2mm*114.3mm。请参考 JEDEC JESD51 规范。说明: 散热表现与散热片尺寸、PCB 厚度与层数息息相关。实测的热阻值会与模拟值不相同，使用者可选择适当的封装与 PCB 布局，以达到理想的散热表现。 - 4 - 2010 年 4 月, V1.00

MBI5034 直流特性 (VDD= 5.0V) 具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器特性电源电压输出端耐受电压输出端电流输入端电压输出端漏电流输出端电压代表符号 VDD VDS IOUT IOH IOL 高电位位准 VIH 低电位位准 VIL IOH VOH VOL dIOUT1 SDO 电流偏移量(通道间) 电流偏移量(芯片间) 电流偏移量 vs. 输出电压* 电流偏移量 vs. 电源电压* LED开路错误侦测电压值** 上拉电阻下拉电阻电压源输出电流 “关” “开” 量测条件 - OUT0 ~ OUT15 参考直流特性的测试电路 SDO SDO Ta=-40~85ºC Ta=-40~85ºC VDS=17.0V及通道关闭时 IOH=-1.0mA IOL=+1.0mA IOUT=25mA VDS=1.0V IOUT=25mA VDS=1.0V VDS 介于1.0V与3.0V之间, Rext=560Ω@25mA %/dVDD VDD 介于4.5V与5.5V之间 VOD,TH - RIN(up) OE RIN(down) LE IDD(off) 1 Rext=Open, OUT0 ~OUT15=Off, IDD(off) 2 Rext=560Ω, OUT0 ~OUT15=Off, IDD(on) 1 Rext=560Ω, OUT0 ~OUT15=On, Rext=560Ω Rext=560Ω %/dVDS dIOUT2 4.5 - 3 - - 5.5 17.0 45 -1.0 1.0 VDD 0.3xVDD 最小值一般值最大值单位 V V mA mA mA V V µA V V 5.0 - - - - - - - - - 0.5 - 0.4 - 4.6 - 0.7xVDD GND - - - 250 250 - - - ±1.5 ±3.0 ±0.1 ±0.5 0.35 450 450 2.5 6.0 6.5 ±3.0 ±6.0 % % ±0.3 % / V ±1.0 % / V V KΩ KΩ mA - 800 800 5 10 12 *一个通道开启时。 **LED开路错误侦测电压值(VOD,TH) 为一组态电压。 - 5 - 2010 年 4 月, V1.00

MBI5034 直流特性 (VDD=3.3V) 具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器特性电源电压输出端耐受电压输出端电流输入端电压输出端漏电流输出端电压电流偏移量(通道间) 电流偏移量(芯片间) 电流偏移量 vs. 输出电压* 电流偏移量 vs. 电源电压* LED开路错误侦测电压值** 上拉电阻下拉电阻电压源输出电流 “关” “开” 代表符号 VDD VDS IOUT IOH IOL 高电位位准 VIH 低电位位准 VIL IOH VOH VOL SDO 量测条件 - dIOUT1 OUT0 ~ OUT15 参考直流特性的测试电路 SDO SDO Ta=-40~85ºC Ta=-40~85ºC VDS=17.0V 及通道关闭 IOH=-1.0mA IOL=+1.0mA IOUT=25mA VDS=1.0V IOUT=25mA VDS=1.0V VDS 介于 1.0V 与 3.0V之间, Rext=560Ω@25mA %/dVDD VDD介于 3.0V 与 3.6V之间 VOD,TH - RIN(up) OE RIN(down) LE IDD(off) 1 Rext=Open, OUT0 ~OUT15=Off, IDD(off) 2 Rext=560Ω, OUT0 ~OUT15=Off, IDD(on) 1 Rext=560Ω, OUT0 ~OUT15=On, Rext=560Ω Rext=560Ω %/dVDS dIOUT2 3.0 - 3 - - 3.6 17.0 30 -1.0 1.0 VDD 0.3xVDD 最小值一般值最大值特性 V V mA mA mA V V µA V V 3.3 - - - - - - - - - 0.5 - 0.4 - 2.9 - 0.7xVDD GND - - - - - 250 250 - - - ±1.5 ±3.0 ±3.0 ±6.0 % % ±0.1 ±0.5 0.35 450 450 2.0 5.5 6.0 ±0.3 % / V ±1.0 % / V V KΩ KΩ mA - 800 800 4.5 10 12 *一个通道开启时。 **LED开路错误侦测电压值(VOD,TH) 为一组态电压。直流特性的测试电路 DDI DDV -R EXT GND OE CLK LE SDI I ref DSV OUT0 .... OUT15 SDO I OUT IOH IOL 图 1 - 6 - 2010 年 4 月, V1.00 I IH,I IL IH,VV IL

MBI5034 动态特性 (VDD= 5.0V) 具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器特性代表符号量测条件延迟时间 (低电位到高电位) 延迟时间 (高电位到低电位) 输出通道间的交错迟滞时间* 脉波宽度 LE-SDO CLK-SDO LE- OUT0 OE - OUT0 OE -SDO LE-SDO CLK-SDO LE- OUT0 OE - OUT0 OE -SDO Output Group 1~ Output Group 2 Output Group 1~ Output Group 3 Output Group 1~ Output Group 4 CLK LE 时钟频率 LE停留时间 LE设定时间 SDI停留时间 SDI设定时间 CLK讯号的最大爬升时间** CLK讯号的最大下降时间** SDO 讯号的爬升时间 SDO 讯号的下降时间电流输出埠的电位爬升时间电流输出埠的电位下降时间强制错误侦测操作时间*** OE 脉波宽度**** 输出脉宽与 OE 脉宽之差异***** tpLH0 tpLH1 tpLH2 tpLH3 tpLH4 tpHL0 tpHL1 tpHL2 tpHL3 tpHL4 tstag1 tstag2 tstag3 tw(CLK) tw(L) FCLK th(L) tsu(L) th(D) tsu(D) tr tf tr,SDO tf,SDO tor tof tERR-C tw(OE) tON_ERR 最小值一般值最大值单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 35 30 40 35 30 40 - - - - - - - - - - 25 25 25 25 - 25 25 25 25 - - - - 15 15 - 10 10 5 3 - - - - 10 10 600 0 10 20 30 - - - - - - - - - 10 10 15 15 650 20 - - - - - 30 - - - - 500 500 - - - 700 ns ns ns ns ns MHz ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 5 12 ns VDS=1.0V VIH=VDD VIL=GND Rext=700Ω RL=162Ω CL=10pF IOUT=20mA C1=100nF C2=22µF CSDO=10pF 所有导通数据 =all “1”, 20 ns OE 低位准脉波输入 *有关 Output Group(输出通道组别) 1~4 可参考后页「输出端的交错延迟时间」单元之描述。 **若 tr 与 tf 值太大，在两个驱动器串联间，可能会难以达成数据传输的时序要求。 ***强制错误侦测所需要的侦测时间为600ns(最小值)。然而，MBI5034需要额外的处理时间进入或离开侦测模式。上列表中所列的时间为整个侦测动作完成所需要的总操作时间。详细的说明请参考操作原理。 **** OE =tor+tof。 *****输出脉宽= OE + tON_ERR。客户需要依照灰阶均匀度需求设定适当的 OE 脉宽。 - 7 - 2010 年 4 月, V1.00

MBI5034 动态特性 (VDD= 3.3V) 特性延迟时间 (低电位到高电位) 延迟时间 (高电位到低电位) 输出通道间的交错迟滞时间* 脉波宽度 LE-SDO CLK-SDO LE- OUT0 OE - OUT0 OE -SDO LE-SDO CLK-SDO LE- OUT0 OE - OUT0 OE -SDO Output Group 1~ Output Group 2 Output Group 1~ Output Group 3 Output Group 1~ Output Group 4 CLK LE 时钟频率 LE停留时间 LE设定时间 SDI停留时间 SDI设定时间 CLK讯号的最大爬升时间** CLK讯号的最大下降时间** SDO 讯号的爬升时间 SDO 讯号的下降时间电流输出埠的电位爬升时间电流输出埠的电位下降时间强制错误侦测操作时间*** OE 脉波宽度**** 输出脉宽与 OE 脉宽之差异***** 具强制开路侦测及电流增益功能 16 位 LED 恒流驱动器量测条件 VDS=1.0V VIH=VDD VIL=GND Rext=700Ω RL=162Ω CL=10pF IOUT=20mA C1=100nF C2=22µF CSDO=10pF 代表符号 tpLH0 tpLH1 tpLH2 tpLH3 tpLH4 tpHL0 tpHL1 tpHL2 tpHL3 tpHL4 tstag1 tstag2 tstag3 tw(CLK) tw(L) FCLK th(L) tsu(L) th(D) tsu(D) tr tf tr,SDO tf,SDO tor tof tERR-C tw(OE) 最小值一般值最大值单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 45 35 55 45 35 55 - - - - - - - - - 35 30 30 30 - 35 30 30 30 - - - - 25 15 - 10 10 5 3 - - - - 15 15 600 - 10 20 30 - - - - - - - - - 10 10 20 20 650 30 - - - - - 20 - - - - 500 500 - - - 700 - ns ns ns ns ns MHz ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns tON_ERR 所有导通数据 =all “1”, 30 ns OE 低位准脉波输入 0 10 16 ns *有关 Output Group(输出通道组别) 1~4 可参考后页「输出端的交错延迟时间」单元之描述。 **若 tr 与 tf 值太大，在两个驱动器串联间，可能会难以达成数据传输所要的时序要求。 ***强制错误侦测所需要的侦测时间为600ns(最小值)。然而，MBI5034需要额外的处理时间进入或离开侦测模式。上列表中所列的时间为整个侦测动作完成所需要的总操作时间。详细的说明请参考操作原理。 **** OE =tor+tof。 *****输出脉宽= OE + tON_ERR. 客户需要依照灰阶均匀度需求设定适当的 OE 脉宽。 - 8 - 2010 年 4 月, V1.00

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