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蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营课时一半导体器件基础 1 考点重要程度 1.半导体基础 2.二极管 1.半导体基础必考必考分值 2~6 10~2 常见题型选择、填空选择、填空、计算题 1.在本征半导体中加入价元素可形成 N 型半导体，加入价元素可形成 P 型半导体。解：半导体    本征半导体杂质半导体    答案：五三 P 型半导体：三价 B (硼) Al (铝)，空穴多，自由电子少 N 型半导体：五价 P (磷) As (砷)，自由电子多，空穴少题 2. P 型半导体中多数载流子是，少数载流子是，N 型半导体中多数载流子是，少数载流子是。答案：空穴自由电子自由电子空穴题 3.在 PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。（） .A 小于大于 .B 大于小于 .C 大于大于 .D 小于小于   扩散电流大于漂移电流， PN 结变窄，导通。   漂移电流大于扩散电流， PN 结变宽，截止。解： PN 结正偏：   反偏：答案: B 2.二极管 1

蜂考速成课 (1)晶体二极管符号: 单向导电性官方公众号：蜂考大学生备考集训营正向特性反向特性材料死区电压 V5.0~0 Si V1.0~0 eG 导通电压 0.8V: 0.6 V3.0~2.0 反向饱和电流 nA 级 A 级题 1.电路如下图所示。输入信号 iU 如下右图所示。V 为硅二极管，导通电压 0.7V 。试画出输出电压 OU 的波形，并标出幅值。  iU  R 1V  3.3V  2V  3.3V   OU  解题思路： ①判断二极管正负极； ②确定二极管两端电压大小； ③确定二极管状态（导通、截至）； ④画出波形。 /iU V 7V 7V /OU V 4V 4V t t 解： iU V 时, 7 1V 导通， 2V 截止， OU  V 0.7 3.3 4   iU V  时, 5 1V 截止， 2V 导通， OU   3.3 0.7    V 4 题 2.电路及输入电压 iU 的波形如图所示，分析画出输出电压 OU 的波形。 R 1DV 1E  OU  10V  iU  2

蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营 iU 20 10 20 OU 20 10 20 T t T t 解：当 10 V 时， 1DV 截止， O U iU U i 当 iU V 时， 1DV 导通， 10 OU V 10 题 3.图所示电路中，已知 iU t V ( 5sin ) ，试画出波形图(要求给出分析过程) /iU V 5 0 2 5 0 / VU 5 2 0 T t t T  iU  2V  OU  解：当 iU V  时，二极管导通， 2 U O  U i    ( 2) U ( i  2) V 当 iU V  时，二极管截止 2 OU V 0 (2)稳压二极管符号：稳压二极管伏安特性曲线曲线 3

蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营题 1.稳压管的稳压区是其工作在。答案：反向击穿区题 2.稳压管电路如图所示，其中稳压值分别为 1 6zu V ， 2 4zu V ，正向导通压降为 0.7V ，则输出电压 ou = .A 6.7V .C 1.4V .B 4.7V .D 10V 解： ou  0.7 4   V 4.7 。答案： B R 10V 1ZD 2ZD OU 课时一练习题 1.在 P 型半导体中，以导电为主， N 型半导体中，以导电为主。 2. PN 结正偏时导通，反偏时 ,所以 PN 结具有导电性。 3.理想二极管组成的电路如图所示，试判断输入 1U 在 5V 、 0V 、 5V 时两个二极管的状态，并求出输出电压 oU R  iU  1D 3V 2D 3V  oU  4.电路及输入电压 iU 的波形如图所示，分析画出输出电压 oU 的波形。  iU  R 1DV 1E 5V  OU  /iU V 10 10 T t iU t V ( 6sin ) ，试画出 oU 波形图(要求给出分析过程) 5.如图所示电路中，已知 4

蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营  iU  3V  OU  /iU V 6 6 T t V 6.如下图所示电路中，已知电源电动势 20 E ，稳压管 1DzV 和 2DzV 的稳定电压分别为 Zu 1 V ， 2 Zu 8 V 10 ，电压 OU 的值为  .18A V .9C V .10B V .8D V R 1DZV E  2DZV Ou  5

蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营课时二半导体器件基础 2 分值 2 ~ 4 2 常见题型选择、填空选择、填空三个极：发射极 ( )e 、基极 (b) 、集电极 (c) PNP 型三个区：发射区、基区、集电区两个结：发射结、集电结考点 1.三极管 2.场效应管 1．三极管 c b 符号： b N P N e c e NPN 型重要程度必考 ★★★ c P N P e c e b b 题 1.放大电路中，测得三极管 BJT 三个电极1、 2 、 3 的电位分别为 1 u  V 3.5 u 、 2  V 2.8 、 u V ，则该三极管是 3 12 材料（硅、锗），电极1为极，电极 2 为极，电极3 为极（b 极、 c 极、 e 极），该管为型 ( NPN PNP 。 ) , 解：3 个数中,中间的为b ，离b 近的为 e ，离b 远的为 c u b  u e  V 0.7  硅 u b  u e  V 0.3  锗 u 1  u 2  V 3.5 2.8 0.7   三极管工作于放大区： NPN u : c  u b  u e PNP u : c  u b  u e NPN e c 器件。答案：硅 b 题 2.三极管是 A .电压控制电压 C .电压控制电流解：三极管（又称双极性晶体管），具有电流放大作用， c B .电流控制电压 D .电流控制电流 i i , b bi 控制 ci ，电流控制型 6

蜂考速成课官方公众号：蜂考大学生备考集训营场效应管（又称单极性器件），具有电流放大作用， i D f u ( GS ) , GSu 控制 Di ,电压控制型答案： D 题 3.工作在放大区的某三极管，如果当 bi 从 20 A 增大到 60 A 时， ci 从 2mA 变为 4mA ，那么它的约为 .60B .50A  。 .100C .80D 解：   i  c i  b   3 (4 2) 10  (60 20) 10     50  6 答案： A 题 4.图中已标出各硅晶体管各极的电位，各晶体管发射结的开启电压均为 0.5V ，判断饱和状态的晶体管是  。 5V 0V 0.7V .A 0.7V 0.7V 5 V 1V 1V 0.7 V 0.3V .B 0.3V .C 0V .D 解：放大状态：发射结正偏，集电结反偏；饱和状态：发射结、集电结均正偏；截止状态：发射结、集电结均反偏。答案： B 题 5. 为使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度，基区要集电区面积比发射区面积要。解：三极管工作在放大状态的内部条件：发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电区面积大。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。答案：高、薄且掺杂浓度低、大题 6.温度升高时，晶体三极管的反向饱和电流 CBOI BE onU ，发射结的正向导通电压 ( ) 。（增大或减小）解：温度升高使正向特性曲线左移，正向压降减小；反向特性曲线下移，反向电流增大。答案：增大、减少 V 题 7.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为 6 V 5.3 ，和，则该三极管的类 V 10 型为（）。 7

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