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南邮模电课后习题答案.doc

发布时间：2022-06-13 发布人：admin 分类：说明书 资料大小：3.78M 资料格式：doc 举报 版权申诉
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    1.1在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度=
    1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。
    1.4二极管电路如题图1.4所示。
    1.6 在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求Uo的值。
    1.7 二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.
    1.9 在题图1.9 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图
    1.10 在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz＝5V，正向导通压降为0.7V。若ui＝10 s
    2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管
    2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或
    2.4 型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2
    2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示
    2.7硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的V，
    2.8题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管
    2.9晶体管电路如题图2.9所示。已知β＝100，UBE＝(0.3V
    2.10 设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125
    2.13 电路如题图2.13所示。设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短
    2.17 放大电路如图2.17（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。（1）如工作点变为图2.17
    2.23 试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点UCEQ，源电压放大倍数
    2.24放大电路如题图2.24所示。设晶体管的，
    2.25 测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：2mA、2.02mA、0.02mA。己知该
    2.28 在题图2.28（a）所示的共集放大电路（为基极自举电路），已知晶体管的
    2.30 在题图2.30所示的共基放大电路中，晶体管的β＝50，
    2.32 试判断题图2.32所示各电路属于何种组态放大器。并说明输出信号相对输入的相位关系。
    2.33共集-共基组合电路如题图2.33所示。已知两个晶体管参数相同：
    2.35三级放大电路如题图5.7(a)所示。设晶体管V1~ V3的
    差模输入电阻：
    第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度 DN = 2 （1）求室温 300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为 P 型或 N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度 AN = 3 1410 cm 3 ，重复（1）。 1410 cm 3 。 （3）若 DN = AN = 1510 cm 3 ,，重复（1）。 （4）若 DN = 1610 cm 3 ， AN = 1410 cm 3 ，重复（1）。 解 ：（ 1 ） 已 知 本 征 硅 室 温 时 热 平 衡 载 流 子 浓 度 值 in = 5.1 1010 cm 3 ， 施 主 杂 质 DN = 2 1410 cm 3 >> in = 5.1 1010 cm 3 ，所以可得多子自由浓度为 0n  DN = 2 1410 cm 3 少子空穴浓度 .1 125  610 cm 3 2 0p = ni = n 0 该半导体为 N 型。 N  （2）因为 A N = 1 1410 cm 3 >> in ，所以多子空穴浓度 D 0p  1 1410 cm 3 少子电子浓度 2 0n = ni = p 该半导体为 P 型。 0 25.2 610 cm 3 （3）因为 AN = DN ,所以 0p = 0n = in = 5.1 1010 cm 3 该半导体为本征半导体。 （4）因为 N  D N A =10 16 10 14 =99 10 14 （cm 3 ）>> in ，所以，多子自由电子浓度 0n = 99 1410 cm 3 空穴浓度 0p = 2 ni = n 0 10 5.1(  99 10  10 ) 14 2 =2.2710 4 （cm 3 ）
    该导体为 N 型。 1.3 二极管电路如图 1.3 所示。已知直流电源电压为 6V，二极管直流管压降为 0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻 DR 和交流电阻 Dr 各为多少？ + 6V R 100  图 1.3 D 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图 1.3 的回路电流，即 A =53mA 7.06  DI = 100 7.0 V 310   26  53  A 10 10 = 3   3 53 (2) DR = =13.2  Dr = U I T D V A =0.49  1.4 二极管电路如题图 1.4 所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载 LR 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压 onDU ) ( 7.0 V，试问流过负 载 LR 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压 试问流过负载的电流是多少？ onDU ) ( 7.0 onDr V，    20 ， （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压 E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ + D 10V E RL 100  解：（1） I  题图 1.4 E LR  100 mA
    （2） I   UE R L )on(D 94 mA （3） I  UE  R  L )on(D R D  378. mA （4） I  或SI I  0 （5）E 增加，直流电流 DI 增加，交流电阻 U I T D 下降。 1.6 在图 1.6 所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求 Uo 的值。 题图 1.6 解：(1)在图(a)中，V2 导通，V1 截止，U0＝5V。 (2)在图(b)中，V1 导通，V2 截止，U0＝0V。 (3)在图(c)中，V1、V2 均导通，此时有 U 0  RE  4 // R R 2 R 1  (  )  3 R 4 26  .0//1(4  2)051   .1 984 V 1.7 二极管限幅电路如图 1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且 UD(on)=0.7V。 若 ui＝5sinωt(V)，试画出 u0 的波形。 题图 1.7 解：(1)在图(a)中：当 ui＞一2.7V 时，V 管截止，u0＝一2V；当 ui≤一2.7V 时，V 管导 通，u0＝ui。当 ui＝5sinωt(V)时，对应的 u0 波形如图答图 1.7(a)所示。 (2)在图(b)中：当 ui＞1.3V 时，V 管截止，u0＝ui；当 ui≤1.3V 时，V 管导通，u0＝2V。
    其相应波形如答图 1.7 (b)所示。 1.9 在题图 1.9 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压 u1、u2 的波形如 题图 1.9(b)所示，试画出 u0 的波形。 答图 1.7 解：该电路为高电平选择电路，即 u1、u2 中至少有一个为 3V，则 u0＝3 一0.7＝2.3V。 u1、u2 均为 0 时，uo＝一0.7V。其波形答图 1.9(c)所示。 题图 1.9
    1.10 在题图 1.10 所示电路中，设稳压管的 Uz＝5V，正向导通压降为 0.7V。若 ui＝10 sin ωt(V)，试画出 u0 的波形。 答图 1.9 题图 1.10 解：当 ui≥5V 时，Vz 击穿，u0＝5V。当 ui≤一0.7V 时，Vz 正向导通，u0＝一0.7V。 当一0.7V＜ui＜5V 时，Vz 截止，u0＝ui。由此画出的 u0 波形如答图 1.10 所示。 1.11 稳压管电路如题图 1.11 所示。 答图 1.10 （1） 设 iU 1(20  10 %) V ， 稳 压 管 ZD 的 稳 定 电 压 ZU =10V， 允 许 最 大 稳 定 电 流 ZI max =30mA， min ZI =5mA, LR min =800  , LR max =  。试选择限流电阻 R 的值。 （2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100  ， LR =250  ，试求 iU 允许的变化范围。 （3）稳压管的参数如（1）中所示，当 ZU =10V 时，其工作电流 ZI =20mA， Zr =12  ，
    如 iU =20V 不变，试求 LR 从无穷大到 1k  时，输出电压变化的值 0U 为多少？ + + iU _ R ZD LR + OU _ 题图 1.11 解：（1）因为 R min  i U I Z U  max I  max L min Z  (22 10) V  30 mA  400  式中，因 max LR  ，所以 min LI =0， iU max  20  20  1.0  22 V R max  i U I Z U  min I  min L max Z   (18 10) V (5 12.5) mA   457  式中 10 800  LI  5.12 mA, iU max min 选择 R 应满足：400 
    第二章 2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图 2.1 所示。试画出各晶体 管的电路符号，确定每管的 b、e、c 极，并说明是锗管还是硅管。 0.7V -0.7V 4V 4V 8V 0V -8V 3.7V 1V 9V 4.3V 0V (a) 解： (b) 8V (c) (d) 题图 2.1 题图（b）： -0.7V 题图（d）： 4.3V -8V 硅 PNP 0V 9V 锗 NPN 4V 题图（a）： 0.7V 硅 NPN 0V 1V 题图（c）： 3.7V 锗 PNP 4V
    2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图 2.3 所示，试判别各晶体管的工作状态（放 大、饱和、截止或损坏）。 -5V 2.5V -0.3V 3AX81 0V (a) 6.6 V 3CG21 3V 6.3V 7V (c) 12V 3DG8 0V (d) 8V 3BX1 3V (b) 题图 2.3 解：题图（a）3AX 为 PNP 锗管， U BE  30. V（正偏）， UCE  74. V（反偏），放大状 态 题图（b）：e 结反偏，c 结反偏，截止状态 题图（c）：e 结正偏，c 结正偏，饱和状态 题图（d）：e 结开路，晶体管损坏 2.4 PNN  型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图 2.4 所示，其中 nb0 表示平 衡时自由电子的浓度。 （1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。 )(xn p P N 1x （a） N 0bn O N 0bn O x )(xn p P N x 1x （b）
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