一、选择题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ C ） A．本征半导体 C．杂质浓度 2.半导体中的少数载流子产生的原因是( A.外电场 C.掺杂 3.在本征半导体中掺入（ A）就成为 P 型半导体。 B.内电场 D.热激发 D ) B．温度 D．掺杂工艺 A.3 价元素 B.4 价元素 C.5 价元素 D.6 价元素 C.等于 C.等于 B.小于 B.小于 4 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流（A）漂移电流，耗尽层变窄。 A.大于 5 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层变宽。 A.大于 6. N 型半导体可以在纯净半导体中掺入( A. 3 价 C. 5 价 7 随着环境温度的升高，半导体二极管的反向电流将( A 减少 C. 保持不变 B. 略有增加 D. 与温度成比例增加 B. 4 价 D. 6 价 )价元素实现。 C D ) 8 对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是 ( B )。 A. 最大整流电流大，最高工作频率高 B. 最大整流电流小，最高工作频率高 C. 最大整流电流大，最高工作频率低 D. 最大整流电流小，最高工作频率低 9. 三极管的主要参数 UCEO 其定义是 ( A. 集电极—发射极反向击穿电压 C. 基极—发射极正向压降 10．下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是 ( B )。 A B. 集电极—发射极正向压降 D. 集电极—发射极反向饱和电流 )。 下图中正确使用稳压二极管的电路是 ( B,C ) 11．理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则（ C ） A．V 截止 U0＝－10V B．V 截止 U0＝－3V C．V 导通 U0＝－10V D．V 导通 U0＝－6V 12. 如图所示电路中，当电源 V1=5V 时，测得 I=1mA 。若把电源电压调整 V1=10V,则电流的大小将是（C）；设电路中 V1=5V 保持不变，当温度为 20℃时测得二极管的电压为 VD=0.7V,当温度上 升到 40℃时，则 VD 大小为（F）。 A.I=2mA C.I>2mA E.VD >0.7V F.VD<0.7V D.VD=0.7V B.I<2mA 到 13 如图所示，D1~D3 为理想二极管，a、b、c 灯泡功率相同，其中最亮的灯是（A）。 A.b B.c C.a C)10V B)3.7V 14 电路如图所示，输出电压 UO 应为( A )。 A) 0.7V 15. 在图所示的二极管中，当温度上升时，电流 I 将( A )。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 16. 某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V，+1.4V，+1.6V，则该晶体管是( D)0.3V B )。 A. 工作在放大区的 NPN 硅管 B. 工作在饱和区的 NPN 硅管 C. 工作在截止区的 NPN 硅管 D. 工作在饱和区的 PNP 锗管 D B )。 B. B、C、E D. C、B、E B. 导通结电压要求低的场合使用锗管 D. 尽量选用反向电流大的管子 17. 以下几项中，错误．．使用三极管的是( A. 温度变化量大的工作场合使用硅管 C. 硅管锗管不直接互换 18. 某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为 U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，则对应该管的管脚排列依次是 ( A )。 A. E、B、C C. B、E、C 19. 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外 ) 工艺上还要采取如下措施：( A. 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 C. 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 20. 用万用表的Ｒ×100 档测量晶体管各电极间的正、反向电阻，若都呈现出很高的阻值，则这只晶体管( A. 两个 PN 结都击穿 C. 只是发射结烧断 21．两个三极管构成的复合管如下图，则复合管的放大倍数是 ( A.β≈β1β2 C. β=β1-β2 22．某电路中晶体三极管的符号如题 3 图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（ B ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 23．FET 的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ D ） A．N 沟道耗尽型 B．N 沟道增强型 D．P 沟道增强型 C．P 沟道耗尽型 B. 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 D. 发射区掺杂浓度低，集电结面积大 B. 只是集电结击穿 D. 两个 PN 结都烧断 B. β=β1+β2 D. β≈β1/β2 A )。 D ) 

24．两个分别为 1 和 2 的三极管复合，其复合三极管的 值约为（ B． 1 × 2 A． 1 ＋ 2 1 ＋ 2 D．2（ 1 ＋ 2 ） C．2 ） 34 若图 21 中的电路出现故障，且经测量得知 EU =0， A） CR 开路 B） CR 短路 C） CR 断路 U  C V CC D） 1bR 开路 。故障的原因是下列四种之一，请判断是（ C ）。 25. 既能放大电压，也能放大电流的是（A）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是（C）组态放大电路； 只能放大电流，但不能放大电压的是（B）组态放大电路。 A. 共射 26．在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于 1 的是（B ）组态；输入电阻最大的是（ B） C. 共基 B. 共集 D.不定 组态，最小的是（Ｃ ）组态；输出电阻最大的是（C ）组态，最小的是（B ）组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D.不定 27.带射极电阻 Re 的共射放大电路，在并联交流旁路电容 Ce 后其电压放大倍数（ B ） A.减小 B.增大 C.不变 D.变为零 C ) 图 21 35 电路如图 2—2l 所示．输入、输出波形如图 2—22 所示。可判断该放大电路产生的失 真为( A) 相位失真 C) 截止失真 D) 交越失真 B) 饱和失真 )。 ) ) B.瞬时极性法 D.估算法 28.放大电路在小信号运用时的动态特性如 Au、ri、r0 等应采用的方法是( A.图解法 C.微变等效电路法 29 图示电路中，输入阻抗 Ri 为( B A. Rb1∥Rb2∥［rbe+(1+β)Re］ B. Rb1∥Rb2∥rbe C. Rb1∥Rb2 D. rbe+Rb1∥Rb2 30.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为 20V，此时，输出的电压约 为( A.18V 31. 在图示放大电路中，集电极电阻 Rc 的作用是（C）。 A.放大电流 C.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D.调节 ICQ B.调节 IBQ D.28.2V B.24V C.9V 36. 图示电路中，用万用表测量三极管的基极电位比集电极电位高，当输入信号 Ui 为正弦波时，输出信号 0U 的波形 为( A ) 32．在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察 vo 和 vi 的波形，当为共基电路时，vo 和 vi 的相位（A）。 A. 同相 B. 反相 C. 相差 90° D.不定 33 在图中所示共源放大电路中，若源极电阻 Rs 增大，则该电路的漏极电流 IDQ( 倍数|Ảv|（ B ）； A.增大 B.减小 C.不变 B ),跨导 gm( B )；电压放大 D.不定 37．在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是（ B ） A．截止失真 C．交越失真 B．饱和失真 D．频率失真 

38．在工作点稳定的共射放大电路中，若 bbr ＝0，当更换三级管使 由 50 改为 100 时，则电路的电压放大倍数 Au （ C ） A．约为原来的 2 倍 B．约为原来的 1 2 D．约为原来的 4 倍 B. I2>>IB D. I2=IB C．保持不变 39. 在如图所示的分压偏置电路中，欲使晶体管的基极电压稳定，应满足( A. I1≈IB C. IB>>I2 40．基本共集放大电路，输入中频信号时，输出与输入电压的相位移为（ D ） A．－180° C．＋180° 41. 在多级放大电路中，若要放大极低频信号，则级间耦合最好采用( A. 阻容耦合 C. 变压器耦合 42.场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ ）决定。 B. 直接耦合 D. 各种耦合均可 B．－90° D．360° ) )关系。 A.管子类型 B.gm C.偏置电路 D.UGS ) B.不能形成导电沟道 D.漏极电压为零 43.增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时( A.能够形成导电沟道 C.漏极电流不为零 44.功率放大电路通常采用的分析方法是( A.利用三极管特性进行图解分析 C.采用简化的 h 参数等效电路 45 功率放大器的效率是指( A.输出功率与输入功率之比 C.输出功率与管耗之比 46. 互补对称功率放大电路，若设置静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现( A B.输出功率与电源供给功率之比 D.管耗与电源功率之比 B.采用 h 参数等效电路 D.采用π型等效电路 )。 ) )。 A. 交越失真 C. 频率失真 B. 饱和失真 D. 截止失真 47. 当满足下列哪个条件时，放大电路称为深负反馈放大电路?( ) A. |1+ FA C. |1+ FA |<1 |>>1 B. |1+ FA D. |1+ FA |>1 |=1 48.串联负反馈放大电路的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ） A. 1+AF 倍 B.1/1+AF 倍 C.倍 D.1/AF 倍 ) ） B．增大了 F 倍 B.增大 D.为零 D．增大了（1＋AF）倍 49．放大电路中引入电压串联负反馈，可使其输入电阻比无反馈时（ A．减小了 F 倍 C．减小了（1＋AF）倍 50.电压负反馈使输出电阻( A.减少 C.不变 51.在放大电路中引入负反馈可使其通频带展宽约( A.(1+AF)倍 C.(1-AF)倍 52．若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（A） A．电流串联 B．电压串联 C．电流并联 D．电压并联 53. 为了稳定放大电路的输出电流并提高输入电阻，应采用( B.1/(1+AF)倍 D.AF 倍 )。 ) A. 串联电压负反馈 C. 串联电流负反馈 B. 并联电流负反馈 D. 并联电压负反馈 54 若反馈深度 AF1 ＜1 时，放大电路工作于(D )状态。 ) ） B) 负反馈 D) 无反馈 C) 自激振荡 B．0 D．100 B. 差动放大电路 D. 采用射极跟随器 A）正反馈 55．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ C A．1 C．∞ 56. 下列哪个不是直接耦合放大电路克服零点漂移的方法?( A. 补偿法 C. 采用调制式直流放大器 57. 直接耦合放大电路存在有零点漂移现象，对此现象有较强抑制作用的电路是( A. 共射极组态 C. 功率放大电路 58.为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用( A.直接耦合电路 C.差动放大电路 59 差动放大电路是为了( B. 提高输入电阻 A. 稳定放大倍数 D. 扩展通频带 C. 克服温漂或零漂 61. 集成运算放大器的主要技术指标中，AUO 是 ( A. 闭环差模电压增益 C. 最大差模输入电压 62. 理想运算放大器的共模抑制比为( B. 开环差模电压增益 D. 最大共模输入电压 B. 共集电极组态 D. 差动放大电路 B.阻容耦合电路 D.反馈放大电路 )而设计的。 )。 )。 ) A. 0 C. 约 100db B. 约 50db D. 无穷大 ) ) ) D）断路和短路 B）虚短与虚地 C）虚短与虚断 B. 反相输入 D. 各种输入均可 B. 串联电流负反馈 D. 串联电压负反馈 63. 反相输入比例放大器电路中的反馈极性和类型属于( A. 正反馈 C. 并联电压负反馈 64. 运算放大器的共模抑制比是表示运放的( D A. 共模信号电压放大倍数 B. 差模信号电压放大倍数 C. 共模信号电压放大倍数与差模信号电压放大倍数之比 D. 差模信号电压放大倍数与共模信号电压放大倍数之比 65 理想运算放大器的两个重要结论是（C）。 A）虚地与反相 66. 在单个运算放大器构成的运算电路中，为了给运算放大电路引入电压并联负反馈，则可以采用( A. 同相输入 C. 差动输入 67.反相比例运算电路的一个重要特点是（ ） A.反相输入端为虚地 C.电流并联负反馈 68.在读电路图时，发现有的运放处于开环状态，那么此运放所在的本级电路可能是( D A.基本运算电路 C.信号产生电路 69 右图为一般比较器电路，其门限电压 UT 为 ( A. -5V C. +5V 70.简单电压比较器与滞回电压比较器相比( A.前者的抗干扰能力强 C.二者的抗干扰能力均不强 71.在由石英晶体和集成运放构成的电容三点式振荡电路中石英晶体做为( A.纯电阻 C.纯电容 72 要使正弦波振荡电路稳定地工作，则必须满足( B.后者的抗干扰能力强 D.二者的抗干扰能力都很强 B.输入电阻大 D.电压串联负反馈 B.信号放大电路 D.电压比较器 B.纯电感 D.短路线 B. 0V D. +10 ) 题 13 图 )。 )。 )。 B ) A. 起振条件 C. 稳定条件 B. 平衡条件 D. 起振、平衡、稳定条件 )输入方式。 

73．要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡器中的（D） A．正反馈环节 C．基本放大电路环节 74．单相桥式整流电路中，变压器次级电压为 10V，则输出电压平均值为 ( B．稳幅环节 D．选频网络环节 A. 5V B.9V C.10V D.14V )。 75.桥式整流电路若变压器二次电压为 u2=10sinωtV 则每个整流管所承受的最大反向电压为（ ） A.10V B.20V C.20V D. V 76．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为 10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ ） 3． 稳压管按其击穿的方式分为（齐纳 ）和（雪崩 ）两种，前者 PN 结的掺杂浓度应（高于 ）后者。 通常前者的 稳压值较（低 ），其范围约为（<4V），而后者的稳压范围为（>7V）。究其温度系数而言，前者为（负），后者为（正）， 介于（4V ）和（7V） 之间的温度系数约为（零 ）。 3.在 N 型半导体中，___________________是多数载流子，___________________是少数载流子。 4.在 N 型半导体中__________是少数载流子。 5.PN 结中的空间电荷区是由______形成的，它的电阻率______。 6．PN 结空间电荷区又称为（耗尽区）区，在平衡条件下，电性呈（中性），因为区内（正、负离子）所带的电量相等。 7．PN 结空间电荷区又称为（耗尽区 ）区， P 区侧应带（负电 ），N 曲一侧应带（正电）。 8．PN 结正向偏置时，应该是 P 区的电位比 N 区的电位________________。 9．PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为 PN 结的________________性能。 图示电路中，二极管导通时压降为 0.7V，若 UA=0V,UB=3V,则 UO 为________。 10.二极管处于正向导通状态时，管子的正向压降很小，硅管约为_______，锗管约为______________。 11. 三极管若发射极正偏，集电极也正偏时，此时三极管处在_________工作状态 12． 三级管的穿透电流 ICEO 是集一基反向饱和电流 ICBO 的（1+ß ）倍。在选用管子时， 一般希望 ICEO 尽量（小些）。 13·根据三极管结构的不同，有 14.两个三极管复合，其β值约为____________，复合管的类型由_____________决定。 两种 和 ) 15. 已知三极管的α=0.99，IE=3mA，则 IC=_______。 16．双极型三级管从结构上看可以分成（NPN 型）和（PNP 型）两种类型，它们工作时有（空穴）和（电子）两种载流 子参与导电。场效应管从结构上看可分为（结型 ）和（绝缘栅型 ）两大类型，它们的导电过程仅仅取决于（多数载 流子）载流子的流动。 17 某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其 IE＝2.04mA，忽略穿透电流，则其 IB 为________________mA。 18 场效应管的导电机理为（一种载流子（多子）参与导电 ），而晶体三级管为（两种载流子（电子和空穴）参与导电 ）， 比较两者受温度的影响（场效应管）优于（晶体三级管 ）。 场效应管属于（压控 ）式器件，其 G、S 间的阻抗要（远 大于 ）晶体三级管 B、E 间的阻抗，后者则应属于（流控 ）式器件。晶体三级管三种工作区域是（饱和、放大、截止）， 与此不同，场效应管常把工作区域分为（可变电阻区、恒流区、击穿区 ）。 场效应管 3 个电级 G、D、S 类同晶体三级 管的（ ）电级，而 N 沟道、P 沟道场效应管则分别类同于（ ）两种类型的晶体三级管。 21．对于共射、共集、共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用（共射、共基）组态；若希望带 负载能力强，应选用（共集）；若希望从信号源索取的电流小，应选用（共集）；若希望高频性能好，应选用（共基） 组态。 22 要使三极管具有放大电流的作用，必须满足的外部条件是______和______。 23.按照输入、输出信号公共端的不同，放大器可分为______放大器、______放大器、______放大器。 24 基本共射放大电路，当温度升高时，Q 点将移向__________。 25.共集电极放大电路的输出电阻__________。 26.放大电路的动态分析，有____________和____________两种基本方法。 27·放大电路中直流负载线由 两点确定的。 和 28. 射级输出器的输出电压 0U 与输入电压 iU 相位_同相__，电压放大倍数近似等于 1，且略小于 1，故又称为射级 跟随器。 29 共集放大电路可用作________、低阻输出级和中间隔离级等用途 30. 在三极管三种基本组态放大电路中，带负载能力最强的是________组态。 31．在放大电路中，若负载电阻 RL 越大，则其电压放大倍数________________。 32. 放大器的下限截止频率和上限截止频率之间的频率范围称作________。 33. 已知一个放大器的中频增益为 40dB,fL=100Hz，则：该电路在 fL 处的增益为_______dB 34.串联负反馈可以使放大电路的输入电阻___________________，电流负反馈可以稳定___________________。 A．10V 10 2 V V B． 10 2 D．20V D）有源 C）复式 B）电容式 C． 77 电路简单，负载直流电压较高，纹波也较小，输出特性较差，使用于负载电压较高，负载变 动较小场合的滤波电路是（B） A）电感式 78. 分析如图所示电路，设电路正常工作，当电网电压波动而使 UI 增大时(负载不变)，IR 将增大，则 IW 将( A. 增大 B. 减少 C. 不变 D. 不能确定 79. 分析如图所示电路，若电容 C 脱焊，则 UI 为( A. 4.5V B. 9V C. 12V D. 14V )。 80.用三端稳压器组成稳压电路。 要求 U0=12V,I0=1.5A,应选用的 稳压器是( A.CW7812 C.CWM7812 D.CWL7812 B.CW1912 )。 81．三端稳压器在正常使用时，它的合适压降是( A. 0.2V 以上 C. 5V 以上 B. 1V 以上 D.10V 以上 )。 118.由三个反相器首尾相连组成的多谐振荡器的脉冲宽度为( A.1tpd C.3tpd 119.半导体数码管每一段电流约为( A.几微安至十几微安 C.几安培至十几安培 120.集成单稳态触发器的暂稳维持时间取决于（ C ） B.几毫安至十几毫安 D.十几至几十安培 B.2tpd D.4tpd )。 )。 A.触发脉冲宽度 C.外接定时电阻电容 B.电源电压 D.稳态时间 二、填空题 2. 二极管的主要电气特性为_________。 

35.反相比例运算电路，从负反馈角度看是__________。 36. 开环放大电路中，引入电压串联负反馈后，电路的输入电阻将_________。 37·串联负反馈使输入电阻 ，而并联负反馈使输入电阻 38.直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是______和______。 39．阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种放大电路，既能放大交流信号又能放大直流信号的是______耦合放大电路。 40．放大直流信号时，放大器应采用的耦合方式为_________________。 44.乙类推挽功放信号______________，越容易产生___________________。 47.一个模拟集成放大器其内部主要由___________________、___________________、___________________等电路组 。 A. B. C. R R 2 2  1 f 0  2  1|F|  3 1 RC D. 放大电路为同相比例放大器 E. 放大器的放大倍数为 4 3. 由电阻和集成运放构成的基本运算电路有( )。 A. 反相比例运算电路 C. 同相比例运算电路 E. 差动比例运算电路 B. 积分电路 D. 微分电路 二、多项选择题(在每小题的五个备选答案中选出二个至五个正确答案，并将正确答案的序号填入题干的括号内。错选、 多选、漏选均不得分。每小题 2 分，共 10 分) 2. 欲构成一个正弦波放大器，其电路的组成部分应包括( A. 放大器 D. 选频网络 3. 引入负反馈可以改善放大器的性能指标，具体改善为( A. 提高放大倍数的稳定性 C. 减小放大器的非线性失真 E. 提高放大器的放大倍数 B. 正反馈网络 E. 稳幅环节 B. 减小放大器环内噪声 D. 增大放大器的频带宽度 ) C. 负反馈网络 ) 成。 48. 集成运放输入级是接收信号的，对它的要求是有较高的_______和很强的抑制零漂的能力。 49. 电路如图所示，则 u0 与 ui 的关系为_______。 50. 运 算 放 大 器 中 采 用 差 动 放 大 电 路 作 输 入 极 是 为 了 ________，而输出极采用 OCL 电路是为了提高带负载能力。 51. 如图所示电路，若输入电压 ui=-10V,则 u0 为________。 52.集成运放的输入级一般采用______电路，其输出级多采用______电路。 53 ． 正 弦 波 振 荡 器 是 用 来 产 生 一 定 频 率 和 幅 度 的 正 弦 信 号 的 装 置 。 只 所 以 能 输 出 信 号 ， 是 因 为 电 路 满 足 了 ________________条件。 54 在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U2，若负载开路，则每只整流二极管承受的最高反向电压是 _______。 55．单相桥式整流电路中，流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的___________。56·线圈电感与其形状、 大小、匝数、导磁性能有关，即 L= 57.CW7800 集 成 稳 压 器 内 部 主 要 有 ___________________ 、 ___________________ 、 ___________________ 、 ___________________等电路组成。 58.数字信号在___________________、___________________都是离散的信号。 二、多项选择题(在每小题的五个备选答案中，选出二至五个正确的答案，并将正确答案的序号分别填在题干的括号内， 多选、少选、错选均不得分。每小题 2 分，共 10 分) 1. 如图所示，连接正确的复合管是( ，电容器电容与其尺寸，绝缘性有关，即 C= )。 。 2. 如图所示电路，该电路在稳幅振荡时，其电路参数为 ( )。