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PIC18F45K22中文资料.pdf

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高性能RISC CPU:
灵活的振荡器结构:
模拟特性:
采用 XLP的超低功耗管理 PIC18(L)F2X/4XK22:
单片机特性:
外设特点:
引脚图 (28引脚)
引脚图(40引脚)
引脚图(44引脚)
表1: PIC18(L)F2XK22引脚汇总
表2: PIC18(L)F4XK22引脚汇总
目录
最新数据手册
勘误表
客户通知系统
1.0 器件概述
1.1 新的内核特性
1.1.1 XLP技术
1.1.2 多种振荡器选项和特性
1.2 其他特殊功能
1.3 系列中各产品的详细说明
表1-1: 器件特性
图1-1: PIC18(L)F2X/4XK22系列框图
表1-2: PIC18(L)F2XK22 I/O引脚说明
表1-3: PIC18(L)F4XK22 I/O引脚说明
2.0 振荡器模块(带故障保护时钟监视器)
2.1 概述
图2-1: 简化的振荡器系统框图
2.2 振荡器控制
2.2.1 主系统时钟选择
2.2.2 内部频率选择
2.2.3 低频选择
2.2.4 功耗管理
图2-2: 内部振荡器多路开关框图
图2-3: PLL选择框图
表2-1: PLL选择真值表
图2-4: 辅助振荡器和外部时钟输入
2.3 寄存器定义:振荡器控制
寄存器2-1: OSCCON:振荡器控制寄存器
寄存器2-2: OSCCON2:振荡器控制寄存器2
2.4 时钟源模式
2.5 外部时钟模式
2.5.1 振荡器起振定时器(OST)
表2-2: 振荡器延时示例
2.5.2 EC模式
图2-5: 外部时钟(EC)模式的工作原理
2.5.3 LP、XT和HS模式
图2-6: 石英晶振的工作原理 (LP、XT或HS模式)
图2-7: 陶瓷谐振器的工作原理 (XT或HS模式)
2.5.4 外部RC模式
图2-8: 外部RC模式
2.6 内部时钟模式
2.6.1 INTOSC与I/O或时钟输出
2.7 寄存器定义:振荡器调节
寄存器2-3: OSCTUNE:振荡器调节寄存器
2.7.1 LFINTOSC
2.7.2 频率选择位(IRCF)
2.7.3 INTOSC频率漂移
2.8 PLL倍频器
2.8.1 外部振荡器模式下的PLL
2.8.2 HFINTOSC模式下的PLL
2.9 功耗管理模式对各种时钟源的影响
2.10 上电延时
表2-3: 休眠模式下OSC1和OSC2引脚的状态
2.11 时钟切换
2.11.1 系统时钟选择(SCS<1:0>)位
2.11.2 振荡器起振延时状态(OSTS)位
2.11.3 时钟切换时序
2.12 双速时钟启动模式
2.12.1 双速启动模式配置
2.12.2 双速启动序列
2.12.3 检查双速时钟状态
图2-9: 时钟切换时序
2.13 故障保护时钟监视器
图2-10: FSCM框图
2.13.1 故障保护检测
2.13.2 故障保护操作
2.13.3 故障保护条件清除
2.13.4 复位或从休眠中唤醒
图2-11: FSCM时序图
表2-4: 与时钟源相关的寄存器
表2-5: 与时钟源相关的配置寄存器
3.0 功耗管理模式
3.1 选择功耗管理模式
3.1.1 时钟源
3.1.2 进入功耗管理模式
表3-1: 功耗管理模式
3.1.3 Sleep命令的多种功能
3.2 运行模式
3.2.1 PRI_RUN模式
3.2.2 SEC_RUN模式
3.2.3 RC_RUN模式
图3-1: 进入SEC_RUN模式的转换时序
图3-2: 从SEC_RUN模式切换到PRI_RUN模式的转换时序(HSPLL)
表3-2: 内部振荡器频率稳定位
图3-3: 从RC_RUN模式切换到PRI_RUN模式的转换时序
3.3 休眠模式
3.4 空闲模式
图3-4: 进入休眠模式的转换时序
图3-5: 从休眠模式唤醒的转换时序(HSPLL)
3.4.1 PRI_IDLE模式
3.4.2 SEC_IDLE模式
图3-6: 进入空闲模式的转换时序
图3-7: 从空闲模式唤醒进入运行模式的转换时序
3.4.3 RC_IDLE模式
3.5 退出空闲和休眠模式
3.5.1 通过中断退出
3.5.2 通过WDT超时退出
3.5.3 通过复位退出
3.5.4 在没有振荡器起振延时的情况下退出
3.6 选择性外设模块控制
3.7 寄存器定义:外设模块禁止
寄存器3-1: PMD0:外设模块禁止寄存器0
寄存器3-2: PMD1:外设模块禁止寄存器1
寄存器3-3: PMD2:外设模块禁止寄存器2
4.0 复位
4.1 RCON寄存器
图4-1: 片上复位电路的简化框图
4.2 寄存器定义:复位控制
寄存器4-1: RCON:复位控制寄存器
4.3 主复位(MCLR)
4.4 上电复位(POR)
图4-2: 外部上电复位电路 (Vdd缓慢上电的情况)
4.5 欠压复位(BOR)
4.5.1 检测BOR
4.5.2 用软件使能BOR
4.5.3 在休眠模式下禁止BOR
4.5.4 最小BOR使能时间
表4-1: BOR配置
4.6 器件复位定时器
4.6.1 上电延时定时器(PWRT)
4.6.2 振荡器起振定时器(OST)
4.6.3 PLL锁定延时定时器
4.6.4 延时时序
表4-2: 各种情形下的延时
图4-3: 上电延时时序(MCLR连接到Vdd,Vdd电压上升时间 < Tpwrt)
图4-4: 上电延时时序(MCLR未连接到Vdd):情形1
图4-5: 上电延时时序(MCLR未连接到Vdd):情形2
图4-6: 缓慢上升时间(MCLR连接到Vdd,Vdd电压上升时间 > Tpwrt)
图4-7: 在PLL使能时POR 的延时时序(MCLR连接到Vdd)
4.7 寄存器的复位状态
表4-3: RCON寄存器的状态位、含义以及初始化状态
表4-4: 与复位相关的寄存器
表4-5: 与复位相关的配置寄存器
5.0 存储器构成
5.1 程序存储器构成
图5-1: PIC18(L)F2X/4XK22器件的程序存储器映射和堆栈
5.1.1 程序计数器
5.1.2 返回地址堆栈
图5-2: 返回地址堆栈和相关的寄存器
5.2 寄存器定义:协议栈指针
寄存器5-1: STKPTR:堆栈指针寄存器
5.2.1 快速寄存器堆栈
例5-1: 快速寄存器堆栈代码示例
5.2.2 程序存储器中的查找表
例5-2: 使用偏移量值的计算GOTO
5.3 PIC18指令周期
5.3.1 时钟机制
5.3.2 指令流/流水线
图5-3: 时钟/指令周期
例5-3: 指令流水线流程
5.3.3 程序存储器中的指令
图5-4: 程序存储器中的指令
5.3.4 双字指令
例5-4: 双字指令
5.4 数据存储器构成
5.4.1 存储区选择寄存器(BSR)
图5-5: PIC18(L)F23K22和PIC18(L)F43K22器件的数据存储器映射
图5-6: PIC18(L)F24K22和PIC18(L)F44K22器件的数据存储器映射
图5-7: PIC18(L)F25K22和PIC18(L)F45K22器件的数据存储器映射
图5-8: PIC18(L)F26K22和PIC18(L)F46K22器件的数据存储器映射
图5-9: 使用存储区选择寄存器(直接寻址)
5.4.2 快速操作存储区
5.4.3 通用寄存器文件
5.4.4 特殊功能寄存器
表5-1: PIC18(L)F2X/4XK22器件的特殊功能寄存器映射
表5-2: PIC18(L)F2X/4XK22器件的寄存器文件汇总
5.4.5 STATUS寄存器
5.5 寄存器定义:状态
寄存器5-2: STATUS:状态寄存器
5.6 数据寻址模式
5.6.1 固有寻址和立即数寻址
5.6.2 直接寻址
5.6.3 间接寻址
例5-5: 如何使用间接寻址清零RAM (Bank 1)
图5-10: 间接寻址
5.7 数据存储器和扩展指令集
5.7.1 使用立即数偏移量进行变址寻址
5.7.2 受立即数变址寻址模式影响的指令
图5-11: 针对位和针对字节的指令的寻址模式对比(使能了扩展指令集)
5.7.3 在立即数变址模式下映射快速操作存储区
5.8 PIC18指令的执行和扩展指令集
图5-12: 使用立即数变址寻址模式重映射快速操作存储区
6.0 闪存程序存储器
6.1 表读与表写
图6-1: 表读操作
图6-2: 表写操作
6.2 控制寄存器
6.2.1 EECON1和EECON2寄存器
6.3 寄存器定义:存储器控制
寄存器6-1: EECON1:数据EEPROM控制1寄存器
6.3.1 TABLAT——表锁存寄存器
6.3.2 TBLPTR——表指针寄存器
6.3.3 表指针边界
表6-1: 执行TBLRD和TBLWT指令的表指针操作
图6-3: 基于操作的表指针边界
6.4 读闪存程序存储器
图6-4: 读闪存程序存储器
例6-1: 读闪存程序存储器的一个字
6.5 擦除闪存程序存储器
6.5.1 闪存程序存储器擦除序列
例6-2: 擦除闪存程序存储器块
6.6 写闪存程序存储器
图6-5: 对闪存程序存储器的表写操作
6.6.1 闪存程序存储器写序列
例6-3: 写闪存程序存储器
6.6.2 写校验
6.6.3 意外终止写操作
6.6.4 防止误写操作的保护措施
6.7 代码保护期间闪存程序存储器的操作
表6-2: 与闪存程序存储器相关的寄存器
7.0 数据EEPROM存储器
7.1 EEADR和EEADRH寄存器
7.2 EECON1和EECON2寄存器
寄存器7-1: EECON1:数据EEPROM控制1寄存器
7.3 读数据EEPROM存储器
7.4 写数据EEPROM存储器
7.5 写校验
例7-1: 读数据EEPROM
例7-2: 写数据EEPROM
7.6 代码保护期间的操作
7.7 防止误写操作的保护措施
7.8 使用数据EEPROM
例7-3: 数据EEPROM刷新程序
表7-1: 与数据EEPROM存储器相关的寄存器
8.0 8 X 8硬件乘法器
8.1 简介
8.2 工作原理
例8-1: 8 x 8无符号乘法程序
例8-2: 8 x 8有符号乘法程序
表8-1: 各种乘法运算的性能比较
公式8-1: 16 x 16无符号乘法算法
例8-3: 16 x 16无符号乘法程序
公式8-2: 16 x 16有符号乘法算法
例8-4: 16 x 16有符号乘法程序
9.0 中断
9.1 与中档器件的兼容性
9.2 中断优先级
9.3 中断响应
图9-1: PIC18中断逻辑
9.4 INTCON寄存器
9.5 PIR寄存器
9.6 PIE寄存器
9.7 IPR寄存器
9.8 寄存器定义:中断控制
寄存器9-1: INTCON:中断控制寄存器
寄存器9-2: INTCON2:中断控制2寄存器
寄存器9-3: INTCON3:中断控制3寄存器
寄存器9-4: PIR1:外设中断请求(标志)寄存器1
寄存器9-5: PIR2:外设中断请求(标志)寄存器2
寄存器9-6: PIR3:外设中断(标志)寄存器3
寄存器9-7: PIR4:外设中断(标志)寄存器4
寄存器9-8: PIR5:外设中断(标志)寄存器5
寄存器9-9: PIE1:外设中断允许(标志)寄存器1
寄存器9-10: PIE2:外设中断允许(标志)寄存器2
寄存器9-11: PIE3:外设中断允许(标志)寄存器3
寄存器9-12: PIE4:外设中断允许(标志)寄存器4
寄存器9-13: PIE5:外设中断允许(标志)寄存器5
寄存器9-14: IPR1:外设中断优先级寄存器1
寄存器9-15: IPR2:外设中断优先级寄存器2
寄存器9-16: IPR3:外设中断优先级寄存器3
寄存器9-17: IPR4:外设中断优先级寄存器4
寄存器9-18: IPR5:外设中断优先级寄存器5
9.9 INTn引脚中断
9.10 TMR0中断
9.11 PORTB电平变化中断
9.12 中断现场保护
例9-1: 将STATUS、WREG和BSR寄存器的值保存在RAM中
表9-1: 与中断相关的寄存器
表9-2: 与中断相关的配置寄存器
10.0 I/O端口
图10-1: 通用I/O端口的工作原理
10.1 PORTA寄存器
例10-1: 初始化PORTA
表10-1: PORTA I/O汇总
表10-2: 与PORTA相关的寄存器
表10-3: 与PORTA相关的配置寄存器
10.1.1 PORTA输出优先级
表10-4: 端口引脚功能优先级
10.2 PORTB寄存器
例10-2: 初始化PORTB
10.2.1 PORTB输出优先级
10.3 PORTB引脚的其他功能
10.3.1 弱上拉
10.3.2 电平变化中断
10.3.3 备用功能
表10-5: PORTB I/O汇总
表10-6: 与PORTB相关的寄存器
表10-7: 与PORTB相关的配置寄存器
10.4 PORTC寄存器
例10-3: 初始化PORTC
10.4.1 PORTC输出优先级
表10-8: PORTC I/O汇总
表10-9: 与PORTC相关的寄存器
表10-10: 与PORTC相关的配置寄存器
10.5 PORTD寄存器
例10-4: 初始化PORTD
10.5.1 PORTD输出优先级
表10-11: PORTD I/O汇总
表10-12: 与PORTD相关的寄存器
表10-13: 与PORTD相关的配置寄存器
10.6 PORTE寄存器
10.6.1 40/44引脚器件上的PORTE
例10-5: 初始化PORTE
10.6.2 28引脚器件上的PORTE
10.6.3 RE3弱上拉
10.6.4 PORTE输出优先级
表10-14: PORTE I/O汇总
表10-15: 与PORTE相关的寄存器
表10-16: 与PORTE相关的配置寄存器
10.7 端口模拟控制
10.8 端口压摆率控制
10.9 寄存器定义:端口控制
寄存器10-1: PORTx(1):PORTx寄存器
寄存器10-2: PORTE:PORTE寄存器
寄存器10-3: ANSELA:PORTA模拟选择寄存器
寄存器10-4: ANSELB:PORTB模拟选择寄存器
寄存器10-5: ANSELC:PORTC模拟选择寄存器
寄存器10-6: ANSELD:PORTD模拟选择寄存器
寄存器10-7: ANSELE:PORTE模拟选择寄存器
寄存器10-8: TRISx:PORTx三态寄存器(1)
寄存器10-9: TRISE:PORTE三态寄存器
寄存器10-10: LATx:PORTx输出锁存寄存器(1)
寄存器10-11: LATE:PORTE输出锁存寄存器(1)
寄存器10-12: WPUB:弱上拉PORTB寄存器
寄存器10-13: IOCB:电平变化中断PORTB控制寄存器
寄存器10-14: SLRCON:压摆率控制寄存器
11.0 Timer0模块
11.1 寄存器定义:Timer0控制
寄存器11-1: T0CON:Timer0控制寄存器
11.2 Timer0工作原理
11.3 16位模式下Timer0的读写操作
图11-1: Timer0框图(8位模式)
图11-2: Timer0框图(16位模式)
11.4 预分频器
11.4.1 切换预分频器的分配
11.5 Timer0中断
表11-1: 与Timer0相关的寄存器
12.0 带门控控制的Timer1/3/5模块
图12-1: Timer1/3/5框图
12.1 Timer1/3/5工作原理
表12-1: Timer1/3/5使能选择
12.2 时钟源选择
12.2.1 内部时钟源
12.2.2 外部时钟源
表12-2: 时钟源选择
12.3 Timer1/3/5预分频器
12.4 辅助振荡器
12.5 异步计数器模式下的Timer1/3/5操作
12.5.1 在异步计数器模式下读写Timer1/3/5
12.6 Timer1/3/5的16位读/写模式
图12-2: Timer1/3/5的16位读/写模式框图
12.7 Timer1/3/5门控
12.7.1 Timer1/3/5门控使能
表12-3: Timer1/3/5门控使能选择
12.7.2 Timer1/3/5门控源选择
表12-4: Timer1/3/5门控源
表12-5: Timer2/4/6匹配PR2/4/6的门控资源
12.7.3 Timer1/3/5门控翻转模式
12.7.4 Timer1/3/5门控单脉冲模式
12.7.5 Timer1/3/5门控值状态
12.7.6 Timer1/3/5门控事件中断
12.8 Timer1/3/5中断
12.9 休眠期间的Timer1/3/5操作
12.10 ECCP/CCP捕捉/比较时基
12.11 ECCP/CCP特殊事件触发信号
图12-3: Timer1/3/5递增边沿
图12-4: Timer1/3/5门控使能模式
图12-5: Timer1/3/5门控翻转模式
图12-6: Timer1/3/5门控单脉冲模式
图12-7: Timer1/3/5门控单脉冲和翻转组合模式
12.12 外设模块禁止
12.13 寄存器定义:Timer1/3/5控制寄存器
寄存器12-1: TxCON:Timer1/3/5控制寄存器
寄存器12-2: TxGCON:Timer1/3/5门控控制寄存器
表12-6: 与Timer1/3/5作为定时器/计数器相关的寄存器
表12-7: 与TIMER1/3/5相关的配置寄存器
13.0 Timer2/4/6模块
图13-1: Timer2/4/6框图
13.1 Timer2/4/6工作原理
13.2 Timer2/4/6中断
13.3 Timer2/4/6输出
13.4 休眠期间的Timer2/4/6操作
13.5 外设模块禁止
13.6 寄存器定义:Timer2/4/6控制
寄存器13-1: TxCON:Timer2/Timer4/Timer6控制寄存器
表13-1: 与Timer2/4/6相关的寄存器汇总
14.0 捕捉/比较/PWM模块
表14-1: PWM资源
14.1 捕捉模式
图14-1: 捕捉模式工作原理框图
14.1.1 CCP引脚配置
表14-2: CCP引脚复用
14.1.2 Timer1模式资源
14.1.3 软件中断模式
14.1.4 CCP预分频器
例14-1: 改变捕捉预分频比
14.1.5 休眠期间的捕捉操作
表14-3: 与捕捉相关的寄存器
表14-4: 与捕捉相关的配置寄存器
14.2 比较模式
图14-2: 比较模式工作原理框图
14.2.1 CCP引脚配置
14.2.2 TimerX模式资源
14.2.3 软件中断模式
14.2.4 特殊事件触发器
14.2.5 休眠期间的比较操作
表14-5: 与比较相关的寄存器
表14-6: 与比较相关的配置寄存器
14.3 PWM概述
14.3.1 标准PWM操作
图14-3: CCP PWM输出信号
图14-4: 简化的PWM框图
14.3.2 设置PWM操作
14.3.3 PWM定时器资源
14.3.4 PWM周期
公式14-1: PWM周期
14.3.5 PWM占空比
公式14-2: 脉冲宽度
公式14-3: 占空比
14.3.6 PWM分辨率
公式14-4: PWM分辨率
表14-7: PWM频率和分辨率示例(Fosc = 32 MHz)
表14-8: PWM频率和分辨率示例(Fosc = 20 MHz)
表14-9: PWM频率和分辨率示例(Fosc = 8 MHz)
14.3.7 休眠模式下的操作
14.3.8 改变系统时钟频率
14.3.9 复位的影响
表14-10: 与标准PWM相关的寄存器
表14-11: 与标准PWM相关的配置寄存器
14.4 PWM(增强型模式)
图14-5: 增强型PWM模式的简化框图示例
表14-12: 各种PWM增强型模式的引脚分配示例
图14-6: PWM(增强型模式)输出关系示例(高电平有效状态)
图14-7: 增强型PWM输出关系示例(低电平有效状态)
14.4.1 半桥模式
图14-8: 半桥PWM输出示例
图14-9: 半桥应用示例
14.4.2 全桥模式
图14-10: 全桥应用示例
图14-11: 全桥PWM输出示例
图14-12: PWM方向改变的示例
图14-13: 在占空比接近100%时改变PWM方向的示例
14.4.3 增强型PWM自动关闭模式
图14-14: PWM自动关闭,可通过固件重启(PxRSEN = 0)
14.4.4 自动重启模式
图14-15: PWM自动关闭,可自动重启(PxRSEN = 1)
14.4.5 可编程死区延时模式
图14-16: 半桥PWM输出示例
图14-17: 半桥应用示例
14.4.6 PWM转向模式
图14-18: 转向简化框图
14.4.7 启动注意事项
图14-19: 指令结束时发生的转向事件的示例(STRxSYNC = 0)
图14-20: 指令开始时发生的转向事件的示例(STRxSYNC = 1)
14.4.8 使用ECCP1和TIMER2实现ECCP PWM操作的设置步骤
表14-13: 与增强型PWM相关的寄存器
表14-14: 与增强型PWM相关的配置寄存器
寄存器14-1: CCPXCON:标准CCPx控制寄存器
寄存器14-2: CCPxCON:增强型CCPx控制寄存器
寄存器14-3: CCPTMRS0:PWM定时器选择控制寄存器0
寄存器14-4: CCPTMRS1:PWM定时器选择控制寄存器1
寄存器14-5: ECCPxAS:CCPx自动关闭控制寄存器
寄存器14-6: PWMxCON:增强型PWM控制寄存器
寄存器14-7: PSTRxCON:PWM转向控制寄存器(1)
14.5 寄存器定义:ECCP控制
15.0 主同步串行口(MSSP1和 MSSP2)模块
15.1 主SSPx(MSSPx)模块概述
图15-1: MSSPx框图(SPI模式)
图15-2: MSSPx框图(I2C™主模式)
图15-3: MSSPx框图(I2C™从模式)
15.2 SPI模式概述
图15-4: SPI主器件和多个从器件连接
15.2.1 SPI模式寄存器
15.2.2 SPI模式操作
图15-5: SPI主/从器件连接
15.2.3 SPI主模式
图15-6: SPI模式波形图(主模式)
15.2.4 SPI从模式
15.2.5 从选择同步
图15-7: SPI菊花链连接
图15-8: 从选择同步波形图
图15-9: SPI模式波形图(从模式,CKE = 0)
图15-10: SPI模式波形图(从模式,CKE = 1)
15.2.6 休眠模式下的SPI操作
表15-1: 与SPI操作相关的寄存器
15.3 I2C模式概述
图15-11: I2C™主/从器件连接
15.3.1 时钟延长
15.3.2 仲裁
15.4 I2C模式操作
15.4.1 字节格式
15.4.2 I2C术语的定义
15.4.3 SDAx和SCLx引脚
15.4.4 SDAx保持时间
表15-2: I2C™总线术语
15.4.5 启动条件
15.4.6 停止条件
15.4.7 重复启动条件
15.4.8 启动/停止条件中断屏蔽
图15-12: I2C™启动和停止条件
图15-13: I2C™重复启动条件
15.4.9 应答序列
15.5 I2C从模式操作
15.5.1 从模式地址
15.5.2 从接收
图15-14: I2C从模式,7位地址,接收(SEN = 0,AHEN = 0,DHEN = 0)
图15-15: I2C从模式,7位地址,接收(SEN = 1,AHEN = 0,DHEN = 0)
图15-16: I2C从模式,7位地址,接收(SEN = 0,AHEN = 1,DHEN = 1)
图15-17: I2C从模式,7位地址,接收(SEN = 1,AHEN = 1,DHEN = 1)
15.5.3 从发送
图15-18: I2C从模式,7位地址,发送(AHEN = 0)
图15-19: I2C从模式,7位地址,发送(AHEN = 1)
15.5.4 从模式10位地址接收
15.5.5 带地址或数据保持的10位寻址
图15-20: I2C从模式,10位地址,接收(SEN = 1,AHEN = 0,DHEN = 0)
图15-21: I2C从模式,10位地址,接收(SEN = 0,AHEN = 1,DHEN = 0)
图15-22: I2C从模式,10位地址,发送(SEN = 0,AHEN = 0,DHEN = 0)
15.5.6 时钟延长
15.5.7 时钟同步和CKP位
图15-23: 时钟同步时序
15.5.8 广播呼叫地址支持
图15-24: 从模式广播呼叫地址序列
15.5.9 SSPx掩码寄存器
15.6 I2C主模式
15.6.1 I2C主模式操作
15.6.2 时钟仲裁
图15-25: 带有时钟仲裁的波特率发生器时序
15.6.3 WCOL状态标志
15.6.4 I2C主模式启动条件时序
图15-26: 第一个启动位时序
15.6.5 I2C主模式重复启动条件时序
图15-27: 重复启动条件波形图
15.6.6 I2C主模式发送
图15-28: I2C主模式波形图(发送,7位或10位地址)
15.6.7 I2C主模式接收
图15-29: I2C™主模式波形图(接收,7位地址)
15.6.8 应答序列时序
15.6.9 停止条件时序
图15-30: 应答序列波形图
图15-31: 停止条件接收或发送模式
15.6.10 休眠模式下的操作
15.6.11 复位的影响
15.6.12 多主器件模式
15.6.13 多主器件通信、总线冲突和总线仲裁
图15-32: 发送和应答时的总线冲突时序
图15-33: 启动条件期间的总线冲突(仅用于SDAx)
图15-34: 启动条件期间的总线冲突(SCLx = 0)
图15-35: 启动条件期间由SDA仲裁引起的BRG复位
图15-36: 重复启动条件期间的总线冲突(情形1)
图15-37: 重复启动条件期间的总线冲突(情形2)
图15-38: 停止条件期间的总线冲突(情形1)
图15-39: 停止条件期间的总线冲突(情形2)
表15-3: 与I2C™操作相关的寄存器
15.7 波特率发生器
图15-40: 波特率发生器框图
表15-4: 使用BRG的MSSPx时钟速率
15.8 寄存器定义:MSSP控制
寄存器15-1: SSPxSTAT:SSPx状态寄存器
寄存器15-2: SSPxCON1:SSPx控制寄存器1
寄存器15-3: SSPxCON2:SSPx控制寄存器2
寄存器15-4: SSPxCON3:SSPx控制寄存器3
寄存器15-5: SSPxMSK:SSPx掩码寄存器
寄存器15-6: SSPxADD:MSSPx地址和波特率寄存器(I2C模式)
16.0 增强型通用同步/异步收发器 (EUSART)
图16-1: EUSART发送框图
图16-2: EUSART接收框图
16.1 EUSART异步模式
16.1.1 EUSART异步发送器
图16-3: 异步发送
图16-4: 异步发送(背对背)
表16-1: 与异步发送相关的寄存器
16.1.2 EUSART异步接收器
图16-5: 异步接收
表16-2: 与异步接收相关的寄存器
16.2 异步操作的时钟精确性
16.3 寄存器定义:EUSART控制
寄存器16-1: TXSTAx:发送状态和控制寄存器
寄存器16-2: RCSTAx:接收状态和控制寄存器
寄存器16-3: BAUDCONx:波特率控制寄存器
16.4 EUSART波特率发生器(BRG)
例16-1: 计算波特率误差
表16-3: 波特率公式
表16-4: 与波特率发生器相关的寄存器
表16-5: 异步模式下的波特率
16.4.1 自动波特率检测
表16-6: BRG计数器时钟速率
图16-6: 自动波特率校准
16.4.2 自动波特率溢出
16.4.3 接收到间隔字符时自动唤醒
图16-7: 正常操作时的自动唤醒位(WUE)时序
图16-8: 休眠时的自动唤醒位(WUE)时序
16.4.4 间隔字符序列
16.4.5 接收间隔字符
图16-9: 发送间隔字符序列
16.5 EUSART同步模式
16.5.1 同步主模式
图16-10: 同步发送
图16-11: 同步发送(由TXEN位控制)
表16-7: 与同步主发送相关的寄存器
图16-12: 同步接收(主模式,SREN)
表16-8: 与同步主接收相关的寄存器
16.5.2 同步从模式
表16-9: 与同步从发送相关的寄存器
表16-10: 与同步从接收相关的寄存器
17.0 模数转换器(ADC)模块
图17-1: ADC框图
17.1 ADC配置
17.1.1 端口配置
17.1.2 通道选择
17.1.3 ADC参考电压
17.1.4 选择和配置采集时间
17.1.5 转换时钟
17.1.6 中断
表17-1: ADC时钟周期(Tad)与器件工作频率关系表
17.1.7 结果格式
图17-2: 10位A/D转换结果格式
17.2 ADC工作原理
17.2.1 启动转换
图17-3: A/D转换Tad周期(ACQT<2:0> = 000,TACQ = 0)
图17-4: A/D转换Tad周期(ACQT<2:0> = 010,TACQ = 4 TAD)
17.2.2 转换完成
17.2.3 放电
17.2.4 终止转换
17.2.5 转换之间的延时
17.2.6 在功耗管理模式下的ADC操作
17.2.7 休眠期间的ADC操作
17.2.8 特殊事件触发器
17.2.9 外设模块禁止
17.2.10 A/D转换步骤
例17-1: A/D转换
17.3 寄存器定义:ADC控制
寄存器17-1: ADCON0:A/D控制寄存器0
寄存器17-2: ADCON1:A/D控制寄存器1
寄存器17-3: ADCON2:A/D控制寄存器2
寄存器17-4: ADRESH:ADC结果寄存器的高字节(ADRESH)ADFM = 0
寄存器17-5: ADRESL:ADC结果寄存器的低字节(ADRESL)ADFM = 0
寄存器17-6: ADRESH:ADC结果寄存器的高字节(ADRESH)ADFM = 1
寄存器17-7: ADRESL:ADC结果寄存器的低字节(ADRESL)ADFM = 1
17.4 A/D采集要求
公式17-1: 采集时间示例
图17-5: 模拟输入模型
图17-6: ADC传递函数
表17-2: 与A/D操作相关的寄存器
表17-3: 与ADC模块相关的配置寄存器
18.0 比较器模块
18.1 比较器概述
图18-1: 单比较器
图18-2: 比较器C1/C2的简化框图
18.2 比较器控制
18.2.1 比较器使能
18.2.2 比较器输入选择
18.2.3 比较器参考电压选择
18.2.4 比较器输出选择
18.2.5 比较器输出极性
表18-1: 比较器输出状态与输入条件
18.2.6 比较器速度选择
18.3 比较器响应时间
18.4 比较器中断操作
18.4.1 预设不匹配锁存器
图18-3: 比较器中断时序 (不带CMxCON0读取)
图18-4: 比较器中断时序 (带CMxCON0读取)
18.5 休眠期间的操作
18.6 复位的影响
18.7 模拟输入连接注意事项
图18-5: 模拟输入模型
18.8 其他比较器特性
18.8.1 比较器输出的同时读取
18.8.2 内部参考电压选择
18.8.3 比较器滞回电压
18.8.4 使比较器的输出与Timer1同步
18.9 寄存器定义:比较器控制
寄存器 18-1: CMxCON0:比较器x控制寄存器
寄存器18-2: CM2CON1:比较器1和2控制寄存器
表18-2: 与比较器模块相关的寄存器
19.0 充电时间测量单元(CTMU)
图19-1: CTMU框图
19.1 CTMU工作原理
19.1.1 工作原理
19.1.2 电流源
19.1.3 边沿选择和控制
19.1.4 边沿状态
19.1.5 中断
19.2 CTMU模块初始化
19.3 校准CTMU模块
19.3.1 电流源校准
图19-2: CTMU电流源校准电路
例19-1: CTMU校准设置程序
例19-2: 电流校准程序
19.3.2 电容校准
例19-3: 电容校准程序
19.4 使用CTMU测量电容
19.4.1 绝对电容测量
19.4.2 相对电荷测量
例19-4: 用于电容式触摸开关的程序
19.5 使用CTMU模块测量时间
图19-3: 时间测量的典型连接和内部配置
19.6 使用CTMU模块产生延时
图19-4: 产生脉冲延时的典型连接和内部配置
19.7 休眠/空闲模式期间的操作
19.7.1 休眠模式和深度休眠模式
19.7.2 空闲模式
19.8 CTMU外设模块禁止(PMD)
19.9 复位对CTMU的影响
19.10 寄存器
19.11 寄存器定义:CTMU控制
寄存器19-1: CTMUCONH:CTMU控制寄存器0
寄存器19-2: CTMUCONL:CTMU控制寄存器1
寄存器19-3: CTMUICON:CTMU电流控制寄存器
表19-1: 与CTMU模块相关的寄存器
20.0 SR锁存器
20.1 锁存器操作
20.2 锁存器输出
20.3 DIVSRCLK时钟产生
20.4 复位的影响
图20-1: DIVSRCLK框图
图20-2: SR锁存器简化框图
表20-1: DIVSRCLK频率表
20.5 寄存器定义:SR锁存器控制
寄存器20-1: SRCON0:SR锁存器控制寄存器0
寄存器20-2: SRCON1:SR锁存器控制寄存器1
表20-2: 与SR锁存器相关的寄存器
21.0 固定参考电压(FVR)
21.1 独立的增益放大器
21.2 FVR稳定周期
图21-1: 参考电压框图
21.3 寄存器定义:FVR控制
寄存器21-1: VREFCON0:固定参考电压控制寄存器
表21-1: 与固定参考电压相关的寄存器汇总
22.0 数模转换器(DAC)模块
22.1 输出电压选择
公式22-1: DAC输出电压
22.2 比例输出电压
22.3 低功耗电压状态
22.4 输出钳位至正电压源
22.5 输出钳位至负电压源
22.6 DAC参考电压输出
图22-1: 数模转换器框图
图22-2: 参考电压输出缓冲示例
22.7 休眠期间的操作
22.8 复位的影响
22.9 寄存器定义:DAC控制
寄存器22-1: VREFCON1:参考电压控制寄存器0
寄存器22-2: VREFCON2:参考电压控制寄存器1
表22-1: 与DAC模块相关的寄存器
23.0 高/低压检测(HLVD)
23.1 寄存器定义: HLVD控制
寄存器23-1: HLVDCON:高/低压检测控制寄存器
23.2 工作原理
图23-1: HLVD模块框图(带外部输入)
23.3 HLVD设置
23.4 电流消耗
23.5 HLVD启动时间
图23-2: 低压检测工作原理(VDIRMAG = 0)
图23-3: 高压检测工作原理(VDIRMAG = 1)
23.6 应用
图23-4: 典型低压检测应用
23.7 休眠期间的操作
23.8 复位的影响
表23-1: 与高/低压检测模块相关的寄存器
24.0 CPU的特殊功能
24.1 配置位
表24-1: 配置位和器件ID
24.2 寄存器定义:配置字
寄存器24-1: CONFIG1H:配置寄存器1的高字节
寄存器24-2: CONFIG2L:配置寄存器2的低字节
寄存器24-3: CONFIG2H:配置寄存器2的高字节
寄存器24-4: CONFIG3H:配置寄存器3的高字节
寄存器24-5: CONFIG4L:配置寄存器4的低字节
寄存器24-6: CONFIG5L:配置寄存器5的低字节
寄存器24-7: CONFIG5H:配置寄存器5的高字节
寄存器24-8: CONFIG6L:配置寄存器6的低字节
寄存器24-9: CONFIG6H:配置寄存器6的高字节
寄存器24-10: CONFIG7L:配置寄存器7的低字节
寄存器24-11: CONFIG7H:配置寄存器7的高字节
寄存器24-12: DEVID1:器件ID寄存器1
寄存器24-13: DEVID2:器件ID寄存器2
表24-2: PIC18(L)F2X/4XK22系列的器件ID表
24.3 看门狗定时器(WDT)
图24-1: WDT框图
24.3.1 控制寄存器
24.4 寄存器定义:WDT控制
寄存器24-14: WDTCON:看门狗定时器控制寄存器
表24-3: 与看门狗定时器相关的寄存器
表24-4: 与看门狗定时器相关的配置寄存器
24.5 程序校验和代码保护
图24-2: PIC18(L)F2X/4XK22的受代码保护的程序存储器
表24-5: 与代码保护相关的配置寄存器
24.5.1 程序存储器代码保护
图24-3: 不允许表写(WRTn)
图24-4: 不允许外部存储块的表读(EBTRn)
图24-5: 允许外部存储块的表读(EBTRn)
24.5.2 数据EEPROM代码保护
24.5.3 配置寄存器保护
24.6 ID存储单元
24.7 在线串行编程
24.8 在线调试器
表24-6: 调试器资源
24.9 单电源ICSP编程
25.0 指令集汇总
25.1 标准指令集
表25-1: 操作码字段说明
图25-1: 指令的通用格式
表25-2: PIC18(L)F2X/4XK22指令集
25.1.1 标准指令集
25.2 扩展指令集
25.2.1 扩展指令的语法
表25-3: PIC18指令集的扩展
25.2.2 扩展指令集
25.2.3 立即数变址寻址模式中针对字节和针对位的指令
25.2.4 使能扩展指令集时的注意事项
25.2.5 使用Microchip MPLAB. IDE工具的主意事项
26.0 开发支持
26.1 MPLAB集成开发环境软件
26.2 适用于各种器件系列的MPLAB C 编译器
26.3 适用于各种器件系列的HI-TECH C 编译器
26.4 MPASM汇编器
26.5 MPLINK目标链接器/ MPLIB目标库管理器
26.6 适用于各种器件系列的MPLAB汇编器、链接器和库管理器
26.7 MPLAB SIM软件模拟器
26.8 MPLAB REAL ICE在线仿真器系统
26.9 MPLAB ICD 3在线调试器系统
26.10 PICkit 3在线调试器/编程器及 PICkit 3 Debug Express
26.11 PICkit 2开发编程器/调试器及 PICkit 2 Debug Express
26.12 MPLAB PM3器件编程器
26.13 演示/开发板、评估工具包及入门工具包
27.0 电气特性
绝对最大值(†)
图27-1: PIC18LF2X/4XK22系列电压-频率关系图(工业级温度)
图27-2: PIC18LF2X/4XK22系列电压-频率关系图(扩展级温度)
图27-3: PIC18F2X/4XK22 系列电压-频率关系图(工业级温度)
图27-4: PIC18F2X/4XK22 系列电压-频率关系图(扩展级温度)
27.1 直流特性:供电电压,PIC18(L)F2X/4XK22
27.2 直流特性:掉电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.3 直流特性: RC运行供电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.4 直流特性: RC空闲供电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.5 直流特性: 主运行供电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.6 直流特性: 主空闲供电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.7 直流特性: 辅助振荡器供电电流,PIC18(L)F2X/4XK22
27.8 直流特性: 输入/输出特性,PIC18(L)F2X/4XK22
27.9 存储器编程要求
27.10 模拟特性
表27-1: 比较器规范
表27-2: 数模转换器(DAC)规范
表27-3: 固定参考电压(FVR)规范
表27-4: 充电时间测量单元(CTMU)规范
图27-5: 高/低压检测特性
表27-5: 高/低压检测特性
27.11 交流(时序)特性
27.11.1 时序参数符号体系
27.11.2 时序条件
表27-6: 温度和电压规范——交流
图27-6: 器件时序规范的负载条件
27.11.3 时序图和规范
图27-7: 外部时钟时序(除PLL外的所有模式)
表27-7: 外部时钟时序要求
表27-8: PLL时钟时序规范(Vdd = 1.8V至5.5V)
表27-9: 交流特性:内部振荡器精度( PIC18(L)F46K22)
图27-8: CLKOUT和I/O时序
表27-10: CLKOUT和I/O时序要求
图27-9: 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器和上电延时定时器时序
图27-10: 欠压复位时序
表27-11: 复位、看门狗定时器、振荡器起振定时器、上电延时定时器和欠压复位要求
图27-11: Timer0和Timer1外部时钟时序
表27-12: Timer0和Timer1/3/5外部时钟要求
图27-12: 捕捉/比较/PWM时序(所有CCP模块)
表27-13: 捕捉/比较/PWM要求(所有CCP模块)
图27-13: SPI主模式时序示例(CKE = 0)
表27-14: SPI模式要求示例(主模式,CKE = 0或1)
图27-14: SPI主模式时序示例(CKE = 1)
图27-15: SPI从模式时序示例(CKE = 0)
表27-15: SPI模式要求示例(从模式时序,CKE = 0或1)
图27-16: SPI从模式时序示例(CKE = 1)
图27-17: I2C™总线启动位/停止位时序
表27-16: I2C™总线启动位/停止位要求(从模式)
图27-18: I2C™总线数据时序
表27-17: I2C™总线数据要求(从模式)
图27-19: 主SSP I2C™总线启动位/停止位时序波形
表27-18: 主SSP I2C™总线启动位/停止位要求
图27-20: 主SSP I2C™总线数据时序
表27-19: 主SSP I2C™总线数据要求
图27-21: EUSART同步发送(主/从)时序
表27-20: EUSART同步发送要求
图27-22: EUSART同步接收(主/从)时序
表27-21: EUSART同步接收要求
表27-22: A/D转换器特性: PIC18(L)F2X/4XK22
图27-23: A/D转换时序
表27-23: A/D转换要求(PIC18(L)F2X/4XK22)
28.0 直流和交流特性图表
29.0 封装信息
29.1 封装标识信息
29.2 封装详细信息
附录A: 版本历史
版本A(2010年2月)
版本B(2010年4月)
版本C(2010年7月)
版本D(2010年11月)
版本E(2012年1月)
版本F(2012年5月)
附录B: 器件差异
表B-1: 器件差异
索引
Microchip网站
变更通知客户服务
客户支持
读者反馈表
产品标识体系
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PIC18(L)F2X/4XK22 数据手册 采用 XLP 技术的 28/40/44 引脚低功耗、 高性能单片机  2011-2013 Microchip Technology Inc. DS41412F_CN
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点: • Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标。 • Microchip 确信:在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。 • 目前,仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知,所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的 操作规范来使用 Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。 • • Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作。 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是 “ 牢不可破 ” 的。 代码保护功能处于持续发展中。 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视 为违反了 《数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act)》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下,能访问您的 软件或其他受版权保护的成果,您有权依据该法案提起诉讼,从而制止这种行为。 提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含 的英文部分,因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用 情况的有用信息。Microchip Technology Inc. 及其分公司和相 关公司、各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的 任何差错不承担任何责任。建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档。 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便 利,它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任。Microchip 对这些信息不作任何明示或 暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保,包括但不 限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用 性的声明或担保。 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而 引起的后果不承担任何责任。如果将 Microchip 器件用于生命 维持和 / 或生命安全应用,一切风险由买方自负。买方同意在 由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时,会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任,并加以赔偿。在 Microchip 知识 产权保护下,不得暗中或以其他方式转让任何许可证。 QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFIED BY DNV == ISO/TS 16949 == 商标 Microchip 的名称和徽标组合、 Microchip 徽标、 dsPIC、 FlashFlex、 KEELOQ、 KEELOQ 徽标、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、 PICSTART、 PIC32 徽标、 rfPIC、 SST、 SST 徽 标、 SuperFlash 和 UNI/O 均为 Microchip Technology Inc. 在 美国和其他国家或地区的注册商标。 FilterLab、 Hampshire、 HI-TECH C、 Linear Active Thermistor、 MTP、 SEEVAL 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的 注册商标。 Silicon Storage Technology 为 Microchip Technology Inc. 在 除美国外的国家或地区的注册商标。 Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 BodyCom、 chipKIT、 chipKIT 徽标、 CodeGuard、 dsPICDEM、 dsPICDEM.net、 dsPICworks、 dsSPEAK、 ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 HI-TIDE、 In-Circuit Serial Programming、 ICSP、 Mindi、 MiWi、 MPASM、MPF、MPLAB Certified 徽标、MPLIB、MPLINK、 mTouch、 Omniscient Code Generation、 PICC、 PICC-18、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICkit、 PICtail、 REAL ICE、 rfLAB、 Select Mode、 SQI、 Serial Quad I/O、 Total Endurance、 TSHARC、 UniWinDriver、 WiperLock、 ZENA 和 Z-Scale 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国 家或地区的商标。 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记。 GestIC 和 ULPP 为 Microchip Technology Inc. 的子公司 Microchip Technology Germany II GmbH & Co. & KG 在除美 国外的国家或地区的注册商标。 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。 © 2011-2013, Microchip Technology Inc. 版权所有。 ISBN:978-1-62077-086-3 Microchip 位于美国亚利桑那州Chandler 和Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和 印度的设计中心均通过了ISO/TS-16949:2009 认证。Microchip 的 PIC® MCU 与dsPIC® DSC、KEELOQ® 跳码器件、串行EEPROM、单片 机外设、非易失性存储器和模拟产品严格遵守公司的质量体系流程。 此外,Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证。 DS41412F_CN 第 2 页  2011-2013 Microchip Technology Inc.
PIC18(L)F2X/4XK22 采用 XLP 技术的 28/40/44 引脚 低功耗、高性能单片机 高性能 RISC CPU: • 针对 C 编译器优化的架构: - 为优化可重入代码而设计的可选扩展指令集 • 最大 1024 字节的数据 EEPROM • 可寻址最大 64 KB 的线性程序存储空间 • 可寻址最大 3896 字节的线性数据存储空间 • 最高 16 MIPS 的工作速度 • 16 位宽指令, 8 位宽数据总线 • 中断优先级 • 31 级深、软件可访问的硬件堆栈 • 8 x 8 单周期硬件乘法器 灵活的振荡器结构: • 高精度 16 MHz 内部振荡器模块: - 出厂时精度已校准到 ±1% - 频率可选择范围从 31 kHz 至 16 MHz - 使用PLL时可达64 MHz性能——无需外部元件 • 4 种晶振模式,频率最高为 64 MHz • 两种外部时钟模式,频率最高为 64 MHz • 4 倍频锁相环 (Phase Lock Loop, PLL) • 辅助振荡器使用 Timer1 (工作频率为 32 kHz) • 故障保护时钟监视器: - 当外设时钟停止时可使器件安全关闭 - 双速振荡器启动 模拟特性: • 模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC) 模块: - 10 位分辨率,最多 30 路外部通道 - 自动采集功能 - 可在休眠模式下进行转换 - 固定参考电压(Fixed Voltage Reference,FVR) 通道 - 独立的输入多路选择 • 模拟比较器模块: - 两个轨到轨模拟比较器 - 独立的输入多路选择 • 数模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC) 模块: - 具有 1.024V、2.048V 和 4.096V 输出电压的固 定参考电压 (FVR) - 带有正负参考电压选择的5位轨到轨电阻式DAC • 充电时间测量单元(Charge Time Measurement Unit, CTMU)模块: - 支持触摸屏和电容式开关的电容触摸传感 采用 XLP 的超低功耗管理 PIC18(L)F2X/4XK22: • 休眠模式:20 nA,典型值 • 看门狗定时器:300 nA,典型值 • Timer1 振荡器:800 nA (32 kHz 时) • 外设模块禁止 单片机特性: • 2.3V 至 5.5V 工作电压 ——PIC18FXXK22 器件 • 1.8V 至 3.6V 工作电压 ——PIC18LFXXK22 器件 • 可在软件控制下自编程 • 高 / 低压检测(High/Low-Voltage Detection,HLVD) 模块: - 可编程 16 级 - 高 / 低压检测中断 • 可编程欠压复位 (Brown-out Reset, BOR): - 带软件使能选项 - 在休眠模式下可配置关闭 • 扩展型看门狗定时器(Watchdog Timer,WDT): - 可编程周期从 4 ms 至 131s • 在线串行编程 (In-Circuit Serial Programming™, ICSP™): - 单电源 3V • 在线调试 (In-Circuit Debug, ICD) 外设特点: • 最多 35 个 I/O 引脚和 1 个仅用作输入的引脚: - 高灌 / 拉电流:25 mA/25 mA - 3 个可编程外部中断 - 4 个可编程电平变化中断 - 9 个可编程弱上拉 - 可编程压摆率 • SR 锁存器: - 多个置 1/ 复位输入选项 • 两个捕捉 / 比较 /PWM (Capture/Compare/PWM, CCP)模块 • 3 个增强型 CCP (ECCP)模块: - 1、 2 或 4 路 PWM 输出 - 可选择的极性 - 可编程的死区 - 自动关闭和自动重启 - PWM 转向 • 两个主同步串行口 (Master Synchronous Serial Port, MSSP)模块: - 3 线 SPI (支持所有 4 种模式) I2C™ 主 / 从模式 (带地址掩码) -  2011-2013 Microchip Technology Inc. DS41412F_CN 第 3 页
PIC18(L)F2X/4XK22 • 两个增强型通用同步/异步收发器(Enhanced Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter, EUSART)模块: - 支持 RS-485、 RS-232 和 LIN - 使用内部振荡器的 RS-232 工作 - 接收到间隔字符时自动唤醒 - 自动波特率检测 程序存储器 数据存储器 ) 2 ( 存 闪 器件 字 单 数 令 指 M A R S ) 节 字 ( PIC18(L)F23K22 8K PIC18(L)F24K22 16K PIC18(L)F25K22 32K 64k PIC18(L)F26K22 PIC18(L)F43K22 8K PIC18(L)F44K22 16K PIC18(L)F45K22 32K PIC18(L)F46K22 64k 25 25 25 25 36 36 36 36 注 1: 其中的一个引脚是仅用作输入的引脚。 ) 节 字 ( 256 256 256 1024 256 256 256 1024 ) 节 字 ( 512 768 1536 3896 512 768 1536 3896 4096 8192 16384 32768 4096 8192 16384 32768 M O R P E E ) 1 ( O / I 位 0 1 道 通 D A / P C C P C C E ) 桥 全 ( P C C E ) 桥 半 ( MSSP I P S ™ C 2 I T R A S U E 器 较 比 U M T C / D V L R O B 器 存 锁 R S 器 时 定 位 8 器 时 定 位 6 1 19 19 19 19 30 30 30 30 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 2 有 有 有 3 4 4 4 4 4 4 4 4 2: 通道数包括内部 FVR 和 DAC 通道。 DS41412F_CN 第 4 页  2011-2013 Microchip Technology Inc.
PIC18(L)F2X/4XK22 引脚图 (28 引脚) 28 引脚 PDIP、SOIC 和 SSOP MCLR/VPP/RE3 RA0 RA1 RA2 RA3 RA4 RA5 VSS RA7 RA6 RC0 RC1 RC2 RC3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 2 2 K X 2 F ) L ( 8 1 C P I 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 RB7/PGD RB6/PGC RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 VDD VSS RC7 RC6 RC5 RC4 28 引脚 QFN 和 UQFN(1) 1 A R 0 A R 3 E R / P P V R L C M / D G P / 7 B R C G P / 6 B R 5 B R 4 B R RA2 RA3 RA4 RA5/ VSS RA7 RA6 1 2 3 4 5 6 7 28 27 26 25 24 23 22 PIC18(L)F2XK22 8 9 10 11 12 13 14 21 20 19 18 17 16 15 RB3 RB2 RB1 RB0 VDD VSS RC7 0 C R 1 C R 2 C R 3 C R 4 C R 5 C R 6 C R 注 1: 28 引脚 UQFN 封装仅适用于 PIC18(L)F23K22 和 PIC18(L)F24K22。  2011-2013 Microchip Technology Inc. DS41412F_CN 第 5 页
PIC18(L)F2X/4XK22 引脚图 (40 引脚) 40 引脚 PDIP MCLR/VPP/RE3 RA0 RA1 RA2 RA3 RA4 RA5 RE0 RE1 RE2 VDD VSS RA7 RA6 RC0 RC1 RC2 RC3 RD0 RD1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 2 2 K X 4 F ) L ( 8 1 C P I 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 RB7/PGD RB6/PGC RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 VDD VSS RD7 RD6 RD5 RD4 RC7 RC6 RC5 RC4 RD3 RD2 40 引脚 UQFN 6 C R 5 C R 4 C R 3 D R 2 D R 1 D R 0 D R 3 C R 2 C R 1 C R 0 4 9 3 8 3 7 3 6 3 5 3 4 3 3 3 2 3 1 3 RC7 RD4 RD5 RD6 RD7 VSS VDD RB0 RB1 RB2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 PIC18(L)F4XK22 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 1 0 2 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 RC0 RA6 RA7 VSS VDD RE2 RE1 RE0 RA5 RA4 3 B R 4 B R 5 B R 0 A R 1 A R 2 A R 3 A R / 6 B R C G P 7 B R D G P / 3 E R / P P V R L C M / DS41412F_CN 第 6 页  2011-2013 Microchip Technology Inc.
引脚图 (44 引脚) 44 引脚 TQFP 44 引脚 QFN RC7 RD4 RD5 RD6 RD7 VSS VDD RB0 RB1 RB2 RB3 RC7 RD4 RD5 RD6 RD7 VSS VDD VDD RB0 RB1 RB2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 NC RC0 RA6 RA7 VSS VDD RE2 RE1 RE0 RA5 RA4 RA6 RA7 VSS VSS VDD VDD RE2 RE1 RE0 RA5 RA4 PIC18(L)F2X/4XK22 6 C R 5 C R 4 C R 3 D R 2 D R 1 D R 0 D R 3 C R 2 C R 1 C R C N 4 4 3 4 2 4 1 4 0 4 9 3 8 3 7 3 6 3 5 3 4 3 PIC18(L)F4XK22 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 C N C N 4 B R 5 B R 0 A R 1 A R 2 A R 3 A R / 6 B R C G P 7 B R D G P / 3 E R / P P V R L C M / 6 C R 5 C R 4 C R 3 D R 2 D R 1 D R 0 D R 3 C R 2 C R 1 C R 0 C R 4 4 3 4 2 4 1 4 0 4 9 3 8 3 7 3 6 3 5 3 4 3 PIC18(L)F4XK22 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 3 B R C N 4 B R 5 B R 0 A R 1 A R 2 A R 3 A R / 6 B R C G P 7 B R D G P / 3 E R / P P V R L C M /  2011-2013 Microchip Technology Inc. DS41412F_CN 第 7 页
PIC18(L)F2X/4XK22 表 1: PIC18(L)F2XK22 引脚汇总 器 较 比 U M T C 器 存 锁 R S 压 电 考 参 P C C E ) ( T R A S U E P S S M 器 时 定 断 中 拉 上 能 功 本 基 INT0 INT1 INT2 IOC IOC IOC IOC Y Y Y Y Y Y Y Y T0CKI T5G T1G T3CKI(2) SOSCO T1CKI T3CKI(2) T3G SOSCI T5CKI SS1 SS2 SCK2 SCL2 SDI2 SDA2 SDO2 SCK1 SCL1 SDI1 SDA1 SDO1 OSC2 CLKO OSC1 CLKI PGC PGD MCLR VPP VSS VSS VDD N F Q U , N F Q - 8 2 27 28 1 2 3 4 7 6 18 19 20 21 22 23 24 25 8 9 10 11 12 13 14 15 26 I C O S , P O S S - 8 2 I P D P S - 8 2 2 3 4 5 6 7 10 9 21 22 23 24 25 26 27 28 11 12 13 14 15 16 17 18 1 8 19 20 注 拟 模 AN0 AN1 AN2 AN3 AN4 O / I RA0 RA1 RA2 RA3 RA4 RA5 RA6 RA7 C12IN0- C12IN1- C2IN+ C1IN+ C1OUT C2OUT VREF- DACOUT VREF+ SRQ SRNQ HLVDIN CCP5 RB0 AN12 SRI RB1 AN10 C12IN3- AN8 CTED1 AN9 C12IN2- CTED2 AN11 AN13 RB2 RB3 RB4 RB5 RB6 RB7 RC0 RC1 RC2 AN14 CTPLS RC3 AN15 RC4 AN16 AN17 AN18 AN19 RC5 RC6 RC7 RE3 CCP4 FLT0 P1C P1B CCP2 P2A(1) P1D CCP3 P3A(4) P2B(3) P2B(3) CCP2 P2A(1) CCP1 P1A TX2/CK2 RX2/DT2 CCP3 P3A(4) P3B TX1/CK1 RX1/DT1 5 16 17 1: CCP2/P2A 通过配置控制熔丝位进行复用。 2: T3CKI 通过配置控制熔丝位进行复用。 3: P2B 通过配置控制熔丝位进行复用。 4: CCP3/P3A 通过配置控制熔丝位进行复用。 DS41412F_CN 第 8 页  2011-2013 Microchip Technology Inc.
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