SM-G950N_Common(韩文)_decrypted(三星 S8（SM-G950N）).pdf-资料库

SM-G950N Common 모바일 디바이스 목차 1. 주의사항 2. 제품특징 및 사양 3. 제품기능 4. 기구 전개도 및 자재리스트 5. 회로물 자재리스트 6. Level 1 Repair 7. Level 2 Repair 8. Level 3 Repair 9. 참고자료 본 제품 및 서비스의 기능, 성능, 디자인, 가격, 구성요소 등 제품 및 서비스에 관한 사양 등은 현재 시점에서의 사양 등을 의미하는 것으로 어떠한 명시적 또는 묵시적 보증도 제공되지 않으며, 사전 고지 없이 변경될 수 있음을 알려 드립니다.

이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 사전 허가 없이 사용하거나 당사제품의 수리 목적 이외의 용도로 무단 사용시 법적 제재를 받을 수 있습니다. ⓒ 삼성전자주식회사 2017. 04. Rev 1.0

1. 주의 사항 1-1. 수리시 주의 사항 ● 휴대폰을 정밀 조정할 경우에는 Shield Box 내에서 하십시오. 휴대폰 특성은 주위 간섭(RF Noise)에 상당히 민감하므로 조정이나 테스트할 때 각별히 유의하십시오. ● 자석류나 자성을 지닌 도구를 사용하면 자성의 영향으로 부품의 성능이 마비될 수 있으므로 유의하십시오. ● 본 제품 기구물 분해시 드라이버를 잘못 사용하면 나사가 쉽게 마모될 수 있으므로 반드시 규격에 맞는 드라이버를 사용해 주십시오. ● 레벨을 측정할 때는 굵기가 굵은 연선을 사용하십시오. 굵은 연선은 저항성분이 적기 때문에 측정오차를 줄일 수 있습니다. ● Test Pack 을 꽂고 전원을 켠 상태에서 보드를 수리할 경우 쇼트로 인한 과전류, 부품열화 등 위험이 있으므로 Test Pack 과 Set 를 분리 후 수리하십시오. ● PCB 의 Land 는 작고 열에 약하므로 납땜 시 특히 주의하십시오. ● 충전기 수리 시 기구물을 분해한 후 PBA 와 Connector 로 전원을 ON/OFF 하면 위험하므로 반드시 AC 전원 플러그를 사용하며 전원을 ON/OFF 하십시오. 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다. 삼성전자주식회사

1. 주의 사항 1-2. ESD(Electrostatically Sensitive Devices) Precaution 몇 가지 반도체 장치는 정전기에 의해서 쉽게 손상될 수 있습니다. 이런 부품을 ESD(Electrostatically Sensitive Devices)라고 하며 이 ESD 에는 IC, BGA 칩 등이 있습니다. 아래의 주의 사항을 읽어 보십시오. 정전기에 의해 발생할 수 있는 ESD 의 손상을 막을 수 있습니다. ● 반도체나 반도체가 포함된 부품을 만지기 전에 몸에 남아 있을 수 있는 정전기를 없애야 합니다. 접지가 되어 있는 곳을 만지든지 정전기를 방지하는 제전 손목띠를 손목에 매는 방법이 있습니다. ● ESD 를 연결하거나 분리할 때 접지된 납땜 철을 이용하십시오. ● 정전기 차단 기능을 갖춘 납땜 제거기를 사용 하십시오. 그렇지 않으면 정전기 때문에 ESD 가 손상을 받을 수 있습니다. ● 교체할 ESD 를 제품에 설치할 때까지 포장을 풀지 마십시오. 대부분의 ESD 는 전도력이 있는 박스, 알류미늄 판 등으로 포장되어 있으므로 정전기를 막을 수 있습니다. ● ESD 가 제자리에 완전히 꽂히거나 회로판에 붙을때까지 ESD 와 설치될 부분 사이에 전기적인 접촉이 지속되어야 합니다. 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다. 삼성전자주식회사

2. 제품 특징 및 사양 2-1. CH 별 RF FRQ 할당표 1) LTE frequency Equa. FUL = FUL_low+0.1(NUL-NOffs-UL) FDL = FDL_low+0.1(NDL-NOffs-DL) 2) WCDMA frequency Equa. Tx = N*0.2 Rx = N*0.2 3) EGSM frequency Equa. Tx = 890+0.2*(N-1024) Rx = 935+0.2*(N-1024) 4) DCS frequency Equa. Tx = 1710.2+0.2*(N-512) Rx = 1805.2+0.2*(N-512) 5) PCS frequency Equa. Tx = 1850.2+0.2*(N-512) Rx = 1930.2+0.2*(N-512) Freq. Range 824 ~ 848.9 880 ~ 914.9 1710 ~ 1784.9 1920 ~ 1979.9 2500 ~ 2569.9 869 ~ 893.9 925 ~ 959.9 1805 ~ 1879.9 2110 ~ 2169.9 2620 ~ 2689.9 Freq. Range 1852.4 ~ 1907.6 1922.4 ~ 1977.6 826.4 ~ 846.6 1932.4 ~ 1987.6 2112.4 ~ 2167.6 871.4 ~ 891.6 Freq. Range 880.2~914.8 925.2~959.8 Freq. Range 1710.2~1784.8 1805.2~1879.8 Freq. Range 1850.2~1909.8 1930.2~1989.8 CH 범위 20400≤N≤20649 21450≤N≤21799 19200≤N≤19949 18000≤N≤18599 20750≤N≤21449 2400≤N≤2649 3450≤N≤3799 1200≤N≤1949 0≤N≤599 2750≤N≤3449 CH 범위 9262≤N≤9538 9612≤N≤9888 4132≤N≤4233 9662≤N≤9938 10562≤N≤10838 4357≤N≤4458 CH 범위 975≤N≤1023 CH 범위 512≤N≤885 CH 범위 512≤N≤810 삼성전자주식회사 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다.

2. 제품 특징 및 사양 2-2. GSM / WCDMA / LTE General Specification Freq. Band[MHz] Uplink/Downlink ARFCN range Tx/Rx spacing Mod. Bit rate/ Bit Period GPRS Time Slot Period/Frame Period Modulation GPRS GSM 900 880.2~914.8 925.2~959.8 0~124 & 975~1023 45 MHz 270.833 Kbps 3.692 us 576.9 us 4.615 ms 0.3 GMSK DCS1800 1710.2~1784.8 1805.2~1879.8 512~885 95 MHz 270.833 Kbps 3.692 us 576.9 us 4.615 ms 0.3 GMSK PCS1900 1850.2~1909.8 1930.2~1989.8 512~810 80 MHz 270.833 Kbps 3.692 us 576.9 us 4.615 ms 0.3 GMSK MS Power GPRS 33 dBm~5 dBm 30 dBm~0 dBm 30 dBm~0 dBm Power Level GPRS 5 pcl~19 pcl 0 pcl~15 pcl 0 pcl~15 pcl Sensitivity TDMA Mux Cell Radius -102 dBm -102 dBm -102 dBm 8 3 Km 8 2 Km 8 2 Km 삼성전자주식회사 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다.

2. 제품 특징 및 사양 Freq. Band[MHz] Uplink/Downlink ARFCN range Tx/Rx spacing Mod. Bit rate/ Bit Period WCDMA BAND1 1922.4~1977.6 2112.4~2167.6 9612~9888 10562~10838 190MHz WCDMA BAND2 1852.4~1907.6 1932.4~1987.6 9262~9538 9662~9938 80MHz WCDMA BAND5 826.4~846.6 871.4~891.6 4132~4233 4357~4458 45MHz 3.84 Mcps/s 3.84 Mcps/s 3.84 Mcps/s Time Slot Period/Frame Period 10ms Modulation MS Power Power Level Sensitivity TDMA Mux Cell Radius UL : HQPSK DL : QPSK Max:24.8dBm (+0.8~-3)dBm Min:<-50dBm Class3 10ms UL : HQPSK DL : QPSK Max:22.5dBm (+1~-3)dBm Min:<-50dBm Class3 10ms UL : HQPSK DL : QPSK Max:23.0dBm (+1~-3)dBm Min:<-50dBm Class3 -106.7dBm -104.7dBm -104.7dBm - - - - - - 삼성전자주식회사 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다.

2. 제품 특징 및 사양 Freq. Band[MHz] Uplink/Downlink ARFCN range LTE BAND1 1920~1979.9 2110~2169.9 18000~18599 0~599 LTE BAND3 1710 ~ 1784.9, 1805 ~ 1879.9 19200 ~ 19949 1200~1949 LTE BAND5 824~848.9 869~893.9 20400~20649 2400~2649 LTE BAND7 2500~2569.9 2620~2689.9 20750~21449 2750~3449 LTE BAND8 880~914.9 925~959.9 21450~21799 3450~3799 Tx/Rx spacing 190 MHz 95 MHz 45 MHz 120 MHz 45 MHz Mod. Bit rate/ Bit Period 9Mbps/s 9Mbps/s 9Mbps/s 9Mbps/s 9Mbps/s (at 10MHz BW) (at 10MHz BW) (at 10MHz BW) (at 10MHz BW) (at 10MHz BW) Time Slot Period/Frame Period Modulation 10ms 10ms 10ms 10ms 10ms UL : QPSK 16QAM 64QAM DL : QPSK 16QAM 64QAM 256QAM UL : QPSK 16QAM 64QAM DL : QPSK 16QAM 64QAM 256QAM UL : QPSK 16QAM 64QAM DL : QPSK 16QAM 64QAM 256QAM UL : QPSK 16QAM 64QAM DL : QPSK 16QAM 64QAM 256QAM UL : QPSK 16QAM 64QAM DL : QPSK 16QAM 64QAM 256QAM MS Power QPSK(derviation) Max:24.7dBm (+0.8/-3.0dBm) Min:-49dBm Max:24.7dBm (+0.8/-3.0dBm) Min:-49dBm Max:24.7dBm (+0.8/-3.0dBm) Min:-49dBm Max:24.7dBm (+0.8/-3.0dBm) Min:-49dBm Max:24.7dBm (+0.8/-3.0dBm) Min:-49dBm Power Level Class3 Class3 Class3 Class3 Class3 Sensitivity -94.3dBm -94.3dBm -94.3dBm -94.3dBm -94.3dBm TDMA Mux Cell Radius - - - - - - 삼성전자주식회사 이 문서는 삼성전자의 기술 자산으로, 허가 받은 사람만 사용할 수 있습니다.

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