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2013年云南昆明理工大学数字电路考研真题A卷.doc

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2013 年云南昆明理工大学数字电路考研真题 A 卷 一、填空题(30 分,每小题 2 分)(在答题纸上写出题号和填空结果) 1、数码转换 (13.125)10=( (743.985)10= ( )16=( )8=( )2 )8421-BCD 2、(-55)10=( 3、写出下面逻辑图表示的逻辑函数: )2 原码=( )2 补码。 F1= F2= 4、写出下面 TTL 门电路的输出状态(高电平、低电平、高阻态): Y1= Y2= BA  6、根据反演律写出逻辑函数 5、逻辑函数 F   Y ,演算中用到的基本定律是:   CBA 的反函数 DC    、 。 AB Y 。 7、4 线-2 线编码器的真值表如图 1-1 所示,写出 Y1= ;Y0= 。 8、74LS138 是 9、写出 JK 触发器的特性方程 10、对图 1-2 所示触发器电路。当 T=0 时, 电路。 。 1nQ ;当 T=1 时, 1nQ 。 图 1-1 图 1-2 11、时序电路由两个 D 触发器构成,激励方程为 1 路的状态方程为: 1 ; nQ 1 nQ 2  nQXD  1 2 。 , D 2  nXQ 1 。则该时序电 12、用 555 电路构成 13、数字系统由 14、ADC 称为 15、一个 RAM 存储器有 16 条数据线和 8 条地址线,该 RAM 存储器的存储单元数为 可以将正弦波转变成矩形波。 两部分构成。 ,DAC 称为 和 。 。 二、逻辑门电路(16 分) 1、图 2-1 为 TTL 非门电路,当输入 A 电压为 3V 时,(1)B、C、D、E 各点电压是多少?(2) 输出 F 是高电平还是低电平? 2、图 2-2 为 CMOS 门电路。(1)写出逻辑表达式;(2)画出逻辑符号电路图。
图 2-2 图 2-1 三、逻辑代数(20 分) 用卡诺图法将下列函数化简为最简与或表达式。 )15,14,13,12,10,9,6,5,4(  12,11,6,1 1、 2、 , , , , d  , , (1 ) DCBAF (2 ) DCBAF    四、组合电路(16 分) 1、分析如图 4-1 所示逻辑电路:(1) 写出电路的代数表达式;(2) 填写电路的真值表(图  14,10,9,8,4,3,2,0    4-2);(3)简述电路的逻辑功能。 图 4-1 图 4-2 2、已知组合电路的逻辑表达式如下所示,(1)填写该逻辑表达式的真值表(图 4-3);(2)该 电路是什么组合电路? 五、触发器(9 分) 图 4-3 图 5-1 所示的触发器电路,初始状态 Q1=Q2=0。在图 5-2 中对应 CLK 画出 Q1、Q2 的波形。 图 5-1 图 5-2 六、时序逻辑电路(20分) 对如图 6-1 所示时序电路:(1)写出激励函数;(2)写出输出函数;(3)写出状态方程; (4)填写图 6-2 状态表(见本页尾);(5) 画出状态图。
图 6-1 七、脉冲电路(11 分) 图 7-1 对于图 7-1 所示由 555 定时器构成的电路,L 是扬声器。(1) 555 定时器构成了哪一种 脉冲电路?(2) 其中 K 闭合与断开对电路产生怎样的影响?(3)简单说明该电路的用途。 八、数字系统设计基础(12 分) 图 8-1 为某数字系统的 ASM 图,用每态一 D 触发器的方法写出激励函数和输出函数。 图 8-1 九、数模和模数转换电路(8 分) 图 9-1 一个三位数的数模转换电路,转换关系由图 9-1 表示,(1)LSB=? (2)FSR=? (3)写出输 出与输入关系的表达式。 十、存储器(8 分) 一个 RAM 电路如图 10-1 所示。(1) 该 RAM 有多大的存储容量?(2)当 A9=1 时,写出存 储器单元所对应的地址范围;(3)该存储器用了两片 2104bit 电路,其中用了一种什么译码 器来进行地址的扩展?
图 10-1 图 6-2
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