2013 年云南昆明理工大学数字电路考研真题 A 卷
一、填空题(30 分,每小题 2 分)(在答题纸上写出题号和填空结果)
1、数码转换
(13.125)10=(
(743.985)10= (
)16=(
)8=(
)2
)8421-BCD
2、(-55)10=(
3、写出下面逻辑图表示的逻辑函数:
)2 原码=(
)2 补码。
F1=
F2=
4、写出下面 TTL 门电路的输出状态(高电平、低电平、高阻态):
Y1=
Y2=
BA
6、根据反演律写出逻辑函数
5、逻辑函数
F
Y
,演算中用到的基本定律是:
CBA
的反函数
DC
、
。
AB
Y
。
7、4 线-2 线编码器的真值表如图 1-1 所示,写出
Y1=
;Y0=
。
8、74LS138 是
9、写出 JK 触发器的特性方程
10、对图 1-2 所示触发器电路。当 T=0 时,
电路。
。
1nQ
;当 T=1 时,
1nQ
。
图 1-1
图 1-2
11、时序电路由两个 D 触发器构成,激励方程为
1
路的状态方程为:
1
;
nQ
1
nQ
2
nQXD
1
2
。
,
D
2
nXQ
1
。则该时序电
12、用 555 电路构成
13、数字系统由
14、ADC 称为
15、一个 RAM 存储器有 16 条数据线和 8 条地址线,该 RAM 存储器的存储单元数为
可以将正弦波转变成矩形波。
两部分构成。
,DAC 称为
和
。
。
二、逻辑门电路(16 分)
1、图 2-1 为 TTL 非门电路,当输入 A 电压为 3V 时,(1)B、C、D、E 各点电压是多少?(2)
输出 F 是高电平还是低电平?
2、图 2-2 为 CMOS 门电路。(1)写出逻辑表达式;(2)画出逻辑符号电路图。
图 2-2
图 2-1
三、逻辑代数(20 分)
用卡诺图法将下列函数化简为最简与或表达式。
)15,14,13,12,10,9,6,5,4(
12,11,6,1
1、
2、
,
,
,
,
d
,
,
(1
)
DCBAF
(2
)
DCBAF
四、组合电路(16 分)
1、分析如图 4-1 所示逻辑电路:(1) 写出电路的代数表达式;(2) 填写电路的真值表(图
14,10,9,8,4,3,2,0
4-2);(3)简述电路的逻辑功能。
图 4-1
图 4-2
2、已知组合电路的逻辑表达式如下所示,(1)填写该逻辑表达式的真值表(图 4-3);(2)该
电路是什么组合电路?
五、触发器(9 分)
图 4-3
图 5-1 所示的触发器电路,初始状态 Q1=Q2=0。在图 5-2 中对应 CLK 画出 Q1、Q2 的波形。
图 5-1
图 5-2
六、时序逻辑电路(20分)
对如图 6-1 所示时序电路:(1)写出激励函数;(2)写出输出函数;(3)写出状态方程;
(4)填写图 6-2 状态表(见本页尾);(5) 画出状态图。
图 6-1
七、脉冲电路(11 分)
图 7-1
对于图 7-1 所示由 555 定时器构成的电路,L 是扬声器。(1) 555 定时器构成了哪一种
脉冲电路?(2) 其中 K 闭合与断开对电路产生怎样的影响?(3)简单说明该电路的用途。
八、数字系统设计基础(12 分)
图 8-1 为某数字系统的 ASM 图,用每态一 D 触发器的方法写出激励函数和输出函数。
图 8-1
九、数模和模数转换电路(8 分)
图 9-1
一个三位数的数模转换电路,转换关系由图 9-1 表示,(1)LSB=? (2)FSR=? (3)写出输
出与输入关系的表达式。
十、存储器(8 分)
一个 RAM 电路如图 10-1 所示。(1) 该 RAM 有多大的存储容量?(2)当 A9=1 时,写出存
储器单元所对应的地址范围;(3)该存储器用了两片 2104bit 电路,其中用了一种什么译码
器来进行地址的扩展?
图 10-1
图 6-2