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HFSS FULL BOOK v10 中文翻译版 568 页(原 801 页)
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Q: 完整版有什么优势? A:完整版会不断更新,修正,并加上心得注解.无水印.阅读更方便.
Q: 本书结构? A: 前 200 页为使用介绍.接下来为实例(天线,器件,EMC,SI 等).最后 100 页为基础综述
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第十一章 相关知识补充
二 边界与激励
第一节 边界和激励重要性
一、为何边界和激励很重要?
对于大多数的实际问题而言,为了求解麦克斯韦方程需要严格的矩阵方法,例如 Ansoft HFSS 使用
的有限元素法(FEM)。
Ansoft HFSS 是用微分形式的麦克斯韦方程来求解波方程的。
为了使这些微分表达式有效,前提是假设场矢量为:
单一值
有界限
连续分布(沿着它们导数方向)
而对于沿介质边界或者源端的前提假设则为:
场矢量不连续
场矢量导数没有意义
边界条件是通过不连续边界来决定了场行为性质的。
二、为什么我们关心它?
因为它们迫使场沿着边界条件的定义来分布。
作为一个用户,可能会问:
关于场,边界条件做了一个怎样的假设?
这些假设能够近似的被用于仿真的结构吗?
在模型范围方面,为了把实际世界中的无限空间减少为有限的体积,Ansoft HFSS 自动在几何模型
的周围表面应用边界——外部边界(Outer boundary),该默认边界为理想 E 边界(Perfect E)。
在模型复杂性方面,为了减少模型的复杂性,可以通过应用边界条件进行改善:
求解时间
电脑资源配置
如果不能理解边界条件,那么可能导致仿真结果和实际结果的不一致。
三、Ansoft HFSS 边界条件的共同点
激励方面:
波端口(外部)
集总端口(内部)
表面近似方面:
理想E或者理想H表面(Perfect E or Perfect H Surface)
有限导体表面(Finite Conductivity Surface)
阻抗表面(Impedance Surface)
对称表面(Symmetry Surface)
辐射表面(Radiation Surface)
材料属性方面:
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第十一章 相关知识补充
两种电介质之间的边界
一个导体的有限导电性
第二节、表面近似
Ansoft HFSS 对于表面的近似处理有以下几种方式:
一) 理想 E(Perfect E)
理想 E 表面是迫使电场垂直于表面的近似方式,如右图。
外部表面(Outer Surface)和理想导体材料属性( PEC)都被默
认处理为该表面。
理想 E 表面通过消除导体损耗来减小模型复杂性。
二) 理想 H(Perfect H)
理想 H 表面是迫使磁场相切于表面的近似方式,如右图。
三) 有限导体(Finite Conductivity)
有限导体表面是有损电导体。它迫使电场在表面相切于
(SZ n H
tan
)
,它的表面阻抗( SZ )等
。有限导体表面通过消除导体厚度来减小模型复杂性。
于(1
) /j
四) 阻抗表面(Impedance Surface)
阻抗表面代表表面有一个已知阻抗。它迫使电场在表面相切于
(SZ n H
tan
)
,它的表面阻抗
(
SZ )等于 s
R
jX (欧姆/平方,Ohms/Square)。阻抗表面分为:分层阻抗(Layered Impedance),
s
在多薄层结构中模型模拟为阻抗表面;集总 RLC(Lumped RLC),定义为 R、L、C 并联的表面,
如下图。
五) 对称平面(Symmetry Planes)
对称平面允许你只对结构的一部分进行建模。对称平面分为理想 E 或者理想 H 对称平面。此时
表面必须暴露于外表面(outer surface),而且必须在一个平坦表面内定义。但是必须注意:几何对称不
等于电性对称。对称平面通过消除部分求解体积来减小模型复杂性。下图是完整模型和对称面模型的示
意图。
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第十一章 相关知识补充
六) 辐射表面(Radiation Surface)
辐射表面允许波辐射到无限远的空间中。且在辐射表面,边界会吸收波。辐射表面可以指定在
任意表面上。辐射表面仿真精度依赖于:边界和辐射物体之间的距离,即辐射边界应该置于距离辐射体
至少 1/4 波长的地方。如果你仿真一个没有辐射的结构体,边界可以置于少于 1/4 波长的地方(假设的
有效性需要依据你的工程经验来判断);入射角,即辐射边界将会反射大量的能量,这依赖于入射角。最
佳性能是在垂直入射下得到,故应该避免入射角度大于 30 度。此外,辐射边界必须保留和入射波有关的
凸面(convex)。
七) 理想匹配层(PML)
理想匹配层允许波辐射到无限远的空间。但是这不是一个边界条件。PML 假设的材料会完全吸
收碰撞上它们的电磁场,且这些材料是各向异性的。PML 的类型有:自由空间终端或者反射自由终端。
PML 仅仅能够被置于平坦表面。在模型复杂性方面,它们不会受到辐射边界距离或者入射角问题的影响,
但是应该被置于至少距离强辐射体 1/10 波长的地方。
八) 无限地平面(Infinite Ground Planes)
仿真无限地平面造成的影响。在后处理中,仅仅影响近场或者远场辐射的计算。无限地平面的类型
有:理想 E,有限导体,或合阻抗表面。
以下边界的参数可以使用包含频率(Freq)的表达式来赋值:有限导体边界,阻抗边界,集总 RLC
边界,层阻抗边界。而支持的频率扫描类型有:单点频率,离散频率扫描和插值频率扫描。
第三节、激励
端口是边界条件的唯一类型,它允许能量流进或者流出一个结构体,而且是定义在二维(2D)平坦
表面上。任何端口解算器都是在假定的一个半无限长的波导上计算自然的场模式,且该波导与端口表面
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第十一章 相关知识补充
有相同截面和材料属性的。此外,端口解算器还将 2D 场模式作为全三维(3D)问题的边界条件。
一、激励类型
一)波端口(Wave Ports)——外部
波端口推荐只应用于暴露在背景中的表面。它支持多模(例如耦合线)和端口平移(deembedding)
方式,还计算频率依赖于特性阻抗( 0Z )的且在每个频率点都完全匹配的通用 S 参数。
二)集总端口(Lumped Port)——内部
集 总 端 口 建 议 只 应 用 于 几 何 模 型 内 部 的 表 面 。 它 只 支 持 单 模 ( TEM ) 且 没 有 端 口 平 移
(deembedding)。它使用用户定义的常数特征阻抗 0Z 进行归一化。
二、波动方程
波导中行波的场模式可以通过求解Maxwell方程获得。下面这个由2D解算器求解的方程,是直接由
Maxwell方程推出的。
1
r
E x y
( ,
)
r
2
0
E x y
( ,
) 0
其中:
E x y
( ,
)
是谐振电场的矢量表达式;
0
是自由空间的波数;
r 是复数相对导磁率;
r 是复数相对介电常数。
E x y
求解这个方程后,2D解算器得到一个矢量解 ( ,
)
形式的激励场模式。这些矢量解与 和 无关,
z
t
只要在矢量解后面乘上
ze ,它们就变成了行波。
另外,
我们需注意计算出的激励场模式只能在单一频
率上有效。对于每一个感兴趣的频率,计算出的激励场模式会不一样。
三、模式、反射和传播
在单一模式的信号激励下,三维场的解算结果中仍然可能包含由于高频结构不连续引起的高次模反
射。如果这些高次模反射回激励源端口,或者传输到另一个端口,那么和这些高次模相关的 S 参数就必
须被计算入内。如果高次模在传播到任何其它端口前,因损耗或者它是非传播模式而造成衰减,那么我
们就可以不考虑这些高次模的 S 参数。
四、波端口要求一定长度的同质交截部分
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第十一章 相关知识补充
Ansoft HFSS 假定你所定义的每个端口都与一个半无限长波导相连,这个半无限波导具有与波端口
相同的交截部分,如下图所示。
五、波端口边界条件
波端口的边界条件可以设置为以下几种:
一)理想 E 或者有限导体边界
Ansoft HFSS 默认所有外边界都是理想 E 边界。波端口是在一个波导中定义的。对于闭合传输线(同
轴或者波导)很方便的设置为波端口。对于非平衡或者非闭合传输线(微带,CPW,Slotline,等等)
则很具挑战性。
二) 对称或者阻抗边界
在端口边缘设置(Recognized)。
三) 辐射边界
默认接口是理想E边界。
六、集总端口边界条件
集总端口的边界条件可以设置为以下几种:
一)理想 E 或者有限导体
在任何与导体或者另外一个端口交截的端口
边缘设定,如右图所示。
二) 理想H
在其他所有残余的端口边缘设定,如右图所
示。
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七、激励校准
为了保证结果的一致性,端口必须进行校正。校准时需考虑以下问题:场的方向性、极性和电压的
计算。校准时有以下相关事项:
一)求解类型: 驱动模式
驱动模式是用波导模式的输入和反射功率来表示的。对于含有几个准TEM(quasi-TEM)模式的问
题而言(耦合传输线或者多耦合传输线),该定义不是令人满意的。驱动模式是求解器最常用的求解类型。
该求解类型的校准方式有:积分线校准和端口间的相位校准。电压模式积分路径有:Zpi(用功率和电流
计算特性阻抗),Zpv(用功率和电压计算特性阻抗),Zvi(用电压和电流计算特性阻抗)。
二)求解类型: 驱动终端
驱动终端求解类型反映的是波端口节点电压和电流的线性叠加,是从模式解(Modal Solution)中
完成等效转换。该求解类型的校准:终端线,极化,和节点电压积分路径。
八、解算类型实例
下图是解算类型的分解图示。
九、边界条件的应用
情况 1:
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