光电技术第一章参考答案
1 辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不
能出现光度量?
答:为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光
电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出
相应的计量参数和量纲。辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。根
本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐
射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理
(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计
算,称为光度参数。因为光度参数只适用于 0.38~0.78um 的可见光谱区域,是对
光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。而量子流是在整个
电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量。
光源在给定波长λ处,将λ~λ+dλ范围内发射的辐射通量 dΦe,除以该
波长λ的光子能量 hν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流
速率。
e 、 eM 、 e 、 eL 等辐射度量参数之间的关系式,说明它们与辐射源的关系。
2 试写出
答:辐(射)能 :以辐射形式发射、传播或接收的能量称为辐(射)能,用
eQ
符号 表示,其计量单位为焦耳(J)。
eQ
辐(射)通量 e :在单位时间内,以辐射形式发射、传播或接收的辐(射)能称
为辐(射)通量,以符号 e 表示,其计量单位是瓦(W),即
dQe
e =
。
dt
辐(射)出(射)度 :对面积为 A 的有限面光源,表面某点处的面元向半球
eM
面空间内发射的辐通量 d
e 与
为辐(射)出(射)度 eM 即 M
位是瓦每平方米[W/m2]。
,
e =
A
之
该面元面积 d 比,定义
d e 。其计量单
dA
辐(射)强度 :对点光源在给定方向的立体角元
e
d 内发射的辐射通量 ed ,
与该方向立体角元 d 之比,定义为点光源在该方向的辐(射)
d e ,辐射强度的计量单位是瓦特每球面
e =
强度 ,即e
度(W/sr)。
d
辐射亮度 :光源表面某一点处的面元在给定方向上的辐射强度,除以该面元
eL
在 垂 直 于 给 定 方 向 平 面 上 的 正 投 影 面 积 , 称 辐 射 亮 度 ,
eL
1
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eL =
dI e
cos
dA
=
d
2
e
d
dA
cos
,式中,θ为所给方向与面元法线间
的夹角。其计量单位是瓦特每球面度平方米[W/(sr. m2)]。
3 何谓余弦辐射体?余弦辐射体的主要特性有哪些?
答:一般辐射体的辐射强度与空间方向有关。但是有些辐射体的辐射强度在空
间方向上的分布满足
dI
e
dI
0e
cos
dS
是黑体温度 T 和波长λ的函数,这就是普朗克辐射定律;
式中 Ie0 是面元 沿其法线方向的辐射强度。符合上式规律的辐射体称为余弦辐
射体或朗伯体。 黑体为理想的余弦辐射体。它满足黑体辐射定律:
a.普朗克辐射定律 黑体表面向半球空间发射波长为λ的光谱,其辐射出射度
,eM
积分,得到其为σT4;
b.斯忒藩—玻尔兹曼定律 黑体的总辐射出射度为对
c.维恩位移定律 峰值光谱辐出度所对应的波长与绝对温度的乘积为常数。当温
度升高时,峰值光谱辐射出射度所对应的波长向短波长方向移动。
4 试举例说明辐射出射度 Me 与辐射照度 Ee 是两个意义不同的物理量。
答:略。
5.试说明 、 、 的意义及区别。
答: 为 人眼的明视觉最灵敏波长 λm 的光度参量对辐射度参量的转换常数,
称为正常人眼的明视觉最大光谱光视效能。其值为 683lm/W。
K 对于所谓辐射对人眼锥状细胞或柱状细胞的刺激程度,是从生理上评价所有
,eM
WK
mK
mK
K
的辐射参量
eX
,
与所有的光度参量
,vX
的关系。对于明视觉,刺激程度平衡条件
为
X
v
,
K m V
X
,
e
令 K
=
,vX
/
,eX
=
mK
×
V ,称为人眼的明视觉光
谱光视效能。(其中定义 V
=
,eL
m
,eL
为正常人眼的明视觉光谱光视效率。 m 等
VmK
于 0.555um)
定义一个热辐射体发射的总光通量 v 与总辐射通量 e 之比,为该辐射体的光视
效能 K,K=
,其中 V 为辐射体的光视效率。在光电信息变换技术领域常
用色温为 2856K 的标准钨丝灯作为光源,测量硅、锗等光电器件光的电流灵敏
度等特性参数。定义标准钨丝灯的光视效能为 , =17.1 (lm/W)。
6.(平面发散角为 1mrad)解:(1)氦氖激光器输出的光为光谱辐射,则辐射通
量为 ,e
=3mW 根据式(1-56)可计算出它发出的光通量为 ,v
,e
mVK
mK
mK
=
又 =683lm/W,V0.6328=0.235,带入数据计算得
mK
,v 为 0.4815 lm。发光强度 = ,vI
,v ,立体角为 Ω=2π(1-(1-r2)1/2),
将光束平面发散角转换 α= 1×10-3×180 /(π)=0.057 度
则 r = sin(α/2)=5×10-4 带入公式得 Ω= 8.17×10-7sr
2
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所以发光强度 = ,vI
,v
= 0.4815/(8.17×10-7)=5.89×105cd
光出射度 M =,v
= 0.4815/(π×(0.001/2)2)=6.13×105lx
v
,
d
2
2
(2)激光投射到 10m 远处屏幕上,可得接受面半径 r=10×
=5.5×10-3m, 面积 A=
2r
=7.85×10-5m2
tan a +0.0005
2
v ,
屏幕的光照度为 =vE
6.(平面发散角为 0.02mrad)解:(1)氦氖激光器输出的光为光谱辐射,则辐射
,e
通量为 ,e
=3mW 根据式(1-56)可计算出它发出的光通量为 ,v
=6.13×103 lx
mVK
=
A
又 =683lm/W,V0.6328=0.235,带入数据计算得
mK
,v 为 0.4815 lm。
,v ,由空间立体角的定义,
发光强度 = ,vI
将光束平面发散角转换 α= 0.02×10-3
由于这个角度很小,可以把其所对应的球面度近似的看作锥面圆的面积,且半径
为
Rr
sin
R
2
2
2
r
,则 Ω= 2
R
所以发光强度 = ,vI
,v
=
4815
.0
00000103
.0
67.4
510
cd
光出射度 M =,v
= 0.4815/(π×(0.001/2)2)=6.13×105lx
v
,
d
2
2
( 2 ) 激 光 投 射 到 10m 远 处 屏 幕 上 , 可 得 接 受 面 半 径
r
10
tan
2
1
3
10
2
10
2
1
3
10
2
.0
003366
m
面积 A=
2r
=3.56
510
屏幕的光照度为 =vE
v ,
=
A
.0
56.3
4815
510
1.35
410
lx
7.解:由题意有 ,e
=3mW,又查表得 V(0.5145um)=0.6082
光通量 ,v
=
mVK
,e
=683×0.6082×3=1.246×103 lm,
3
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屏幕上的光照度 =vE
v ,
A
=1.246×103/(0.2×10-4)=6.23×107 lx
若屏幕的反射系数是 0.8,则光出射度为
,vM
=0.8×6.23×107=4.984×107 lx
Nhc
设屏幕每分钟接收的光子数目为 N,则
所以 N=60×0.2×3×0.5145×10-6/ (3×108×6.63×10-34)=9.31×1019 个/分钟
8.解:依题意,设光子流速率为 N 个/秒,则
又 ,e =30mW,λ=0.6328um
= ,e ×60(1-0.8)
Nhc = ,e
所以 N=
e ,
hc
= 9.54×1016 个/秒
9.解:依题意, m = 0.465um,由维恩位移定律, m =2898/T,
则太阳表面的温度 T=
2898
m
=6232.25K,又
计算得其峰值光谱辐射出射度
mseM ,
,
=1.23×104
,
mseM ,
cmW
.
um
2.
1
=1.309T5×10-15
10.解:人体在正常体温时 T=36.5+273=309.5K
由维恩位移定律,
2898
m
T
=9.36um
当发烧到 38.5 时,T=38.5+273=311.5K,此时
2898
m
T
=9.303um
峰值光谱辐射出射度
M mse
,
,
.1
T
309
5
10
15
=3.84
mW
cm
.
um
2.
1
11.解:依题意,由杂质吸收条件,则杂质吸收的长波限
24.1
L
E
i
所以杂质电离能
i
=1.24/13=0.095ev
24.1
L
I
12.解:光照灵敏度
S
V
,而辐射灵敏度
S
e
I
,
e
V
又标准钨丝灯的辐射量与光度量的转化关系为 =17.1(lm/W),
wK
v
K
e
w
所以
KS
v
w
S
e
,又 =200uA/lm
vS
则其辐射灵敏度 =200×17.1=3.42mA/lm。
eS
13.解:依题意,辐射通量为 100W,则它的辐射强度为
100
eI
=7.96cd
4
对应于 0.2sr 范围的辐射通量为
e
I e
2.0
96.7
.12.0
592
W
4
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由
wK
v
e
则对应的光通量
v
1
K
e
w
.11.17
592
.27
223
lm
所以 100W 的标准钨丝灯在 0.2sr 范围内所发出的光通量为 27.223lm。
,
14.解:设甲厂生产的光电器件的光照灵敏度为 ,则有
S
KS
v
1
W
1vS
e
S
e
S 1
v
K
=5/17.1= 0.29
A ,
lm
而乙厂光电器件的光照灵敏度是 = 0.4
w
vS
A
lm
显然
S 1
v
S
v
,所以乙厂光电器件灵敏度高。
15.解:依题意,
1I
=50uA, =300uA, =1uA
2I
DI
而 PN 结两端的开路电压为
U
oc
kT
q
ln(
I
I
D
)1
由于 T 不是定值,故只有当 T=273K 条件下才有:
273
38.1
U oc
1
KT
q
In
50
1
1
6.1
10
23
10
19
In
51
.0
V
093
U oc
2
KT
q
In
300
1
1
16.解:由
L
hc
E
g
24.1
E
g
38.1
6.1
10
23
10
273
19
In
301
.0
134
V
gE
又 =1.2 ,则
24.1
2.1
17.答:在微弱辐射作用下,半导体的光电导为
e
,
g
eV
L
q
hvl
2
um
03.1
可见此时半导体材料的光电导与入射辐射通量 ,e 成线性关系。半导体材料在弱
辐射作用下的光电灵敏度为
S
g
dg
d
e
,
q
hcl
2
可见, 为与材料性质有关的常数,与光电导材料两电极间长度l 的平方成反比。
gS
为了提高光电导器件的光电灵敏度 ,一般就将光敏电阻的形状制造成蛇形。
还有就是增大了受光面积,也提高了光电灵敏度。
gS
5
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18.答:光生伏特效应是基于半导体 PN 结 基础上的一种将光能转换为电能的效
应。当入射辐射作用在半导体 PN 结上产生本征吸收时,价带中的光生空穴与导
带中的光生电子在 PN 结内建电场的作用下分开,N 区的空穴向 P 区运动,P 区
的电子向 N 区运动,结果 P 区带正电,N 区带负电,形成光生伏特电压或光生
2CO
电流。 激光器输出光的波长(10.6um)远远超过激光器锗窗材料的本征吸收
长波限,不可能产生光电子发射。
19.解:由
L
hc
E
th
1239
E
th
nm
1239
L
1239
680
ev
82.1
则
E
th
伏特。
,即该光电发射材料的光电发射域值为 1.82 电子
20.解:由
L
24.1
E
g
gE
24.1
L
又
L
4.1
um
所以
E
g
24.1
L
24.1
4.1
.0
ev
886
6
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光电技术第二章参考答案
2.1 解:在微弱信号的辐射下, 将式(1-80)
n
, (1
N
e
t
e
/
)
代入(1-83),并对其
求导即可得半导体材料在弱辐射下的光电导灵敏度为
S
g
dg
e
d
,
q
hcl
(1
2
t
e
/
)
,由此可知时间 t 响应越长,灵敏度越高。
2.2 解:同一型号的光敏电阻,在不同光照度下和不同的环境温度下,其光电导灵敏度和时
间常数不相同。在照度相同而温度不同时,其光电导灵敏度不相同和时间常数也不相同。
其材料性质已经一样,只是决定了的值一定,光照度和环境温度不同,则产生的光生电子
浓度和热生电子浓度各异,决定了值不同,照度相同决定光生电子浓度相同,温度不同决
定热生电子浓度不同,同样也决定了值不同。由(1-85)和(1-88)推出光电灵敏度不相
同,由(2-5)和(2-11)推出其时间常数不相同。
2.3 解:由式(2-1)
I
p
US E
g
r
得
最大照度
E
(
I
P
US
g
2
)
(
P
U S
2
g
)
2 =22500 lx
最小照度
E
I
P
US
g
P
U S
2
g
=150 lx
2.4 解:在照明控制电路中,入射辐射很强 r=0.5,光敏电阻分压
CU
=220-0.002*(1+5)
*1000=208 V
由
I
p
US E
g
r
得,
E
(
2
I
US
)P
g
369.8 lx
在光照度在 3lx 时,入射辐射很弱,r=1,由
U
I
P
S E
g
=220—0.002*(5+R)*1000,推出
R=820 ,故应将 R 值调到 820 。
2.5 解:由
r
lg
lg
R
1
E
2
lg
lg
R
2
E
1
得
R
1 10r
(lg
E
2
lg
E
1
) lg
R
2
=1835.6
2.6 解:由
r
lg
lg
R
1
E
2
lg
lg
R
2
E
1
得
r
lg550 lg 450
lg 700 lg500
=0.596
当光照为 550lx 时,
当光照为 600lx 时,
R
1 10 R r l E
( g
lg
2
2
R
1 10 R r l E
( g
lg
2
2
lg
E
1
)
= 519.53
lg
E
1
)
=493.3
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2.7 解:根据图示为恒流偏置电路,流过稳压管的电流
I
w
U
bb
U
w
R
b
8
820
8.9
mA
满足稳压管的工作条件
(1) 当 wU
4V 时,
I
e
U
w
U
be
R
e
7.04
10*3.3
3
mA
1
由
R
p
U
bb
U
0
I
e
得输出电压为 6 伏时电阻 1R
6K ,
输出电压为 9 伏时电阻
2R
3K ,故
r
lg
lg
R
1
E
2
lg
lg
R
2
E
1
=1;
输出电压为 8V 时,光敏电阻的阻值为
R
p
U
bb
U
0
I
e
=4K ,代入
r
lg
lg
R
1
E
2
lg
lg
R
2
E
1
解得 E=60lx
(2) 与(1)类似,得到 E=34lx
(3) 当
Re
3.3
K
时,
I e
1mA
,
r=1,
RP
K
6
解得
R p
4.3
K
U
0
U
bb
RI
e
p
=8.6V
当
Re
K
6
时,
I e
55.0 mA
,
r=1,
RP
K
6
解得
R p
4.3
K
U
0
U
bb
RI
e
p
=10V
(4) 电路的电压灵敏度
Sv
U
E
68
40
60
/(1.0
lxv
)
2.8 解:选用光敏电阻 MG45-7,其值为 0.6,设计的电路图如教材 P41 图 2-14 所示,选
择 2CW12 型稳压二极管,其稳定电压值为 6V,
bR
1
查表得当光照为 100lx 时,亮电阻为 100
,由
R
lg
1
E
lg
2
lg
lg
2
R
E
1
得
6.0
lg
100
lg
150
10*
lg
3
100
lg
R
,R=75
,
U
0
U
CC
RI
CC
,输出电压的变化
UU
CC
即
(
6
10*75
3
1
RI
C
C
6
10*
100
U
(
RI
C
C
2
)
(
I
C
2
I
)
R
C
C
1
,2
CC
)
cR
3
,2
得
cR
100
2.9 ① × ②√ ③× ④√ ⑤×
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