实验一 氧化工艺模拟 实验目的： 1、熟悉 Silvaco 软件的使用 2、了解不容掺杂浓度对氧化速率的影响 实验步骤： 1、 启动 Silvaco 软件 2、 在主菜 EXAMPLE /Athena example 下找到氧化工艺模拟的例 程 3(anoxex03.in)，运行. 3、 参考例程 3 进行如下工艺模拟 条件： 111 面，N 型材料，掺杂浓度 10 16 。 淀积氮化硅 刻蚀掉部分氮化硅 

进行磷例子注入，剂量为 3*10 15 cm 3 ，注入能量为 30kEV 湿氧条件下氧化，温度 1100 摄氏度，时间 4 分钟 4、 抽取不同掺杂浓度区域的氧化层厚度 用 Tonyplot 绘出结构图 go athena #TITLE: Doping Dependent Oxidation Example # # Create the initial mesh line x loc=-0.30 spac=0.03 line x loc=0.30 spac=0.03 # line y loc=0.00 spac=0.02 line y loc=0.50 spac=0.1 # init orientation=111 c.phosphor=1e16 # # Mask part of the surface with nitride deposit nitride th=.3 div=4 # etch right nitride p1.x=0.0 

# # Implant with very high dose to dope part of the silicon implant phosphor dose=3e15 energy=30 # etch nitride all # # Oxidize and observe thicker oxidation on doped material # Specify grid.ox to enhance the mesh in the growing oxide method fermi compress grid.ox=0.03 diff time=4 temp=1100 weto2 extract name="toxlow" thickness material="SiO~2" mat.occno=1 x.val=-0.25 extract name="toxhigh" thickness material="SiO~2" mat.occno=1 x.val=0.25 # save it and plot it structure outfile=anoxex03.str tonyplot anoxex03.str 

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