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运放参数的详细解释和分析-合集(1-25).pdf

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运放参数的详细解释和分析-part1,输入偏置电流和输入失调电流
运放参数的详细解释和分析-part2,如何测量输入偏置电流Ib,失调电流Ios
运放参数的详细解释和分析-part3,输入失调电压Vos及温漂
运放参数的详细解释和分析-part4,运放噪声快速计算
运放参数的详细解释和分析-part5,电源抑制比DC-PSRR
运放参数的详细解释和分析-part6,电源抑制比AC-PSRR
运放参数的详细解释和分析-part7,共模抑制比CMRR
运放参数的详细解释和分析-part8,共模抑制比CMRR的影响
运算参数的详细解释和分析-part 9 放大电路直流误差
运算参数的详细解释和分析-part10 放大电路直流误差
运算参数的详细解释和分析-part11输入阻抗和输入电容
运算参数的详细解释和分析-part12 输入电容Cin的测量
运算参数的详细解释和分析-part13,轨至轨输入(rail to rail input)
运放参数的详细解释和分析-part14,轨至轨输入_TI的领先技术
运放参数的详细解释和分析-part15,开环增益Aol
运放参数的详细解释和分析-part16,增益带宽积(GBW)
运放参数的详细解释和分析-part17,从开环增益曲线谈到运放稳定性
运放参数的详细解释和分析-part18,压摆率(SR)
运放参数的详细解释和分析-part19,全功率带宽(FPBW)
运放参数的详细解释和分析-part20,建立时间(Settling Time)
运放参数的详细解释和分析-part21,总谐波失真(THD)
运放参数的详细解释和分析-part22, 轨至轨(rail to rail)输出
运放参数的详细解释和分析-part23, 输出短路电流
运放参数的详细解释和分析-part24, 输出阻抗Ro和Rout
运放参数的详细解释和分析-part25, 运放的热阻
deyisuppo rt .co m http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/amplifiers/f/52/t/18865.aspx 运放参数的详细解释和分析-part1,输入偏置电流和输入失调电 运放参数的详细解释和分析 ,输入偏置电流和输入失调电 流【流【TI FAE 分享】分享】 一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数,有些易于理解,我们常关注,有些 可能会被忽略了。在接下来的一些主题里,将对每一个参数进行详细的说明和分析。力求 在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。由于本人的水平有限,写的博文中难免有 些疏漏,希望大家批评指正。 第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .众说周知,理想 运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios . 我们可以用下图中的模型来说明它们的定义。 输入偏置电流Ib是由于运放两个输入极都有漏电流(我们暂且称之为漏电流)的存在。我们可以理解为,理想运放 的各个输入端都串联进了一个电流源,这两个电流源的电流值一般为不相同。也就是说,实际的运入,会有电流流 入或流出运放的输入端的(与理想运放的虚断不太一样)。那么输入偏置电流就定义这两个电流的平均值,这个很 好理解。输入失调电流呢,就定义为两个电流的差。 说完定义,下面我们要深究一下这个电流的来源。那我 们就要看一下运入的输入级了,运放的输入级一般采用差分输入(电压反馈运放)。采用的管子,要么是三级管 bipolar,要么是场效应管FET。如下图所示,对于bipolar,要使其工作在线性区,就要给基极提供偏置电压,或者 说要有比较大的基极电流,也就是常说的,三极管是电流控制器件。那么其偏置 电流就来源于输入级的三极管的 基极电流,由于工艺上很难做到两个管子的完全匹配,所以这两个管子Q1和Q2的基极电流总是有这么点差别,也 就是输入的失调电流。Bipolar输入的运放这两个值还是很可观的,也就是说是比较大的,进行电路设计时,不得 不考虑的。而对于FET输入的运放,由于其是电压控制电流器件,可以说它的栅极电流是很小很小的,一般会在f A 级,但不幸的是,它的每个输入引脚都有一对ESD保护二极管。这两个二极管都是有漏电流的,这个漏电流一般会 比FET的栅极电流大的多,这也成为了FET输入运放的偏置电流的来源。当然,这两对ESD保护二极管也不可能完 全一致,因此也就有了不同的漏电流,漏电流之差也就构成了输入失调电流的主要成份。
下面列表中上表是bipolar的LM741的输入偏置电流和输入失调电流,这个电流流到外面电阻,即使是K欧级的,也 会产生几十uV的失调电压,再经放大,很容易就会使输出的电压误差到mV级。下表则是CMOSFET的OPA369的 输入偏置电流和输入失调电流,这两个值要小的多了,比较好的COMS运放输入偏置电流和输入失调电流的典型值 可以做到小于1pA的目标。 这里还要强调的是,ESD的反向漏电流是与其反相电压有关的。因此当Vin=(Vcc-Vss)/2 时,加在两个ESD 保护二极管的电压相当,他们的反向电流可以认为是近似相等的,此时理想情况是无电流流入或流出的,实际情况 是电流达到最小值。因此这时有最小的偏置电流,当运放输入端电压Vin不等于(Vcc-Vss)/2,势必造成一个二极管 的反向电压高,另一个低,此时两个二极管的反向漏电流就不等了,这个差电流就会构成了输入偏置电流的主要成 份。这个现场称为领节效应。因此要使FET输入偏置电流最小,就要把共模电压设置在(Vcc-Vss)/2处。 上 面分析了定义和来源。下面就要说说这两个参数对电路的影响了,输入偏置电流会流过外面的电阻网络,从而转化 成运放的失调电压,再经运放话后就到了运入的输出端,造成了运放的输入误差。这也就说明了,在反向放大电路 中,为什么要在运放的同相输入端连一个电阻再接地的原因。并且这个电阻要等于反向输入端的电阻和反馈电阻并 联后的值。这就是为了使两个输入端偏置电流流过电阻时,形成的电压值相等,从而使它们引入的失调电压为0。 这样说,太抽象了,还是看下面一组图容易理解一些。
再有一点,对于微小电流检测的电路,一般为跨阻放大电路,如光电二极管的探测电路,一般有用光信号都比较微 弱转化的光电源信号更微弱,常常为nA级甚于pA级。这个电路的本意是想让光电流向反馈电阻流动从而在放大电 路输出端产生出电压。如果选用的运放的输入偏置电流过大,刚这个微弱的光电流会有一部分流入到运放的输入 端,而达不到预设的I/V线性转化。 还需要注意的一点时,许多运放的输入失调电流会随着温度的变化而变 化,如下图所示OPAl350的输入失调电流会在高于25度时快速的升高。在100度时的输入偏置电流是25度时的几百 倍。如果设计的系统是在很宽的温度范围内工作,这一因素不得不考虑。 以上啰啰嗦嗦的讲了运放的输入偏置电流和失调电流,希望对大家有用。下一节中将详细剖析其它参数。 You have posted to a f orum that requires a moderator to approve posts bef ore they are publicly available.
deyisuppo rt .co m http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/amplifiers/f/52/t/18960.aspx 运放参数的详细解释和分析-part2,如何测量输入偏置电流 运放参数的详细解释和分析 失调电流Ios(建议置顶) 失调电流 (建议置顶) ,如何测量输入偏置电流Ib,, 上一节讲了运放输入偏置电流和输入失调电流。这一节给出输入偏置电流测量方式。 总体来说主要有两种测试方法, 一种是让输入偏置电流流入一个大的电阻,从而形成一个 失调电压,然后放大失调电压并进行测量,这样就可以反算出输入偏置;另一种方法是让 输入偏置电流流入一个电容,用电容对这个电流进行积分,这样只要测和电容上的电压变化速率,就可以计算出运 放的偏置电流。 先介绍第一种方法,具体电路如下图所示,C1是超前补偿电容以防止电路的振荡,根据实际电路 选择。OP2是测试辅助运放,需选低偏置电压和低偏置电流的运放。测试步骤和原理下面一步一步进行推算。 (1)首先测试运放的失调电压。关闭S1和S2,测试出OP2运放的输出电压记下Vout 。则输入失调电压为: (2)打开S2,待测运放的Ib+流入R2,会形成一个附加的失调电压Vos1, 测试出OP2运放的输出电压记下Vout1。则运放同向输入失调电压为: (2)关闭S2,打开S1,待测运放的Ib-流入R1,会形成一个附加的失调电压 Vos2,测试出OP2运放的输出电压记下Vout2。则运放反向输入失调电压 为: (4)运放输入偏置电流为 Ib=[(Ib+)+(Ib-)]/2 运放输入失调电流为 Ios=(Ib+)-(Ib-) 这种测试方法有几个缺点,一个是使用了很大的电阻 R1和R2,一般会是M欧级,这两个电阻引入了很大的 电压噪声。受到电阻R1和R2的阻值的限制,难以测得 FET输入运放的偏置电流。 第二种方法测试方法,是 让运放的输入偏置电流流入电容,具体测试如下图。从图中的公式很容易理解测试的原理,这个测试的关键,是选
让运放的输入偏置电流流入电容,具体测试如下图。从图中的公式很容易理解测试的原理,这个测试的关键,是选 取漏电流极小的电容。 (1)打开S1,IB+流入电容C,用示波器观察Vo的变化,结果如下图,按上图的方法就可以计算出IB+。 ΔV /mV Δt /s C /nF Ib /nA No.1 IB+ 166 6.68 9.54 0.237072 (2)关闭S1打开S2,IB-流入电容C,用示波器观察Vo的 变化,结果如下图,可以计算出IB-。 (3)再根据定义就可以计算出运放的输入偏置电流和失 调电流。 ΔV /mV Δt /s C /nF Ib /nA No.1 IB- 44 3.22 9.54 0.13036 这种测试方法可以测得f A级的失调电流。测试时需要选 用低漏电流的电容,推荐使用极低漏电流的特氟龙电 容,聚丙烯(PP)电容或聚苯乙烯电容。 再分享一个经 验,就是贴片电容在焊接过程中,由于引脚可能残留 焊锡膏等杂质,会使FET运放的漏电流大大的增加。 曾经测试一个偏置电流为小于10pA级的运放,由于没 有对引脚 进行清洗,结果测得结果出现了很大的误 差,或者叫差错,达了nA的水平了。 You have posted to a f orum that requires a moderator to approve posts bef ore they are publicly available.
deyisuppo rt .co m http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/amplifiers/f/52/t/19088.aspx 运放参数的详细解释和分析-part3,输入失调电压 运放参数的详细解释和分析 (建议置顶) (建议置顶) ,输入失调电压Vos及温漂及温漂 在运放的应用中,不可避免的会碰到运放的输入失调电压Vos问题,尤其对直流信号进 行放大时,由于输入失调电压Vos的存在,放大电路的输出端总会叠加我们不期望的误差。 举个简单,老套,而经典的例子,由于输入失调电压的存在,会让我们的电子秤在没经调 校时,还没放东西,就会有重量显示。我们总不希望,买到的重量与实际重有差异吧,买苹果差点还没什么,要是 买白金戒指时,差一克可是不少的money哦。下面介绍一下运放的失调电压,以及它的计算。最后再介绍一些TI的 低输入失调电压运放。不足之处,多多拍砖。 理想情况下,当运放两个输入端的输入电压相同时,运放的输 出电压应为0V,但实际情况确是,即使两输入端的电压相同,放大电路也会有一个小的电压输出。如下图,这就 是由运放的输入失调电压引起的。 当然严格的定义应为,为了使运放的输出电压等于0,必需在运放两个输入端加一个小的电压。这个需要加的 小电压即为输入失调电压Vos。注意,是为了使出电压为0,而加的输入电压,而不是输入相同时,输出失调电压 除以增益(微小区别)。 运放的输入失调电压来源于运放差分输入级两个管子的不匹配。如下图。受工艺水平的限制,这个不匹配是 不可避免的。差分输入级的不匹配是个坏孩子,它还会引起很多其他的问题,以后介绍。 曾经请教过资深的运放设计工程师,据他讲,两个管子的匹配度在一定范围内是与管子的面积的平方根成正
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