2007年天津工业大学半导体物理考研真题.doc

发布时间：2022-09-21 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.08M 资料格式：doc 举报版权申诉

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2007 年天津工业大学半导体物理考研真题一、选择填空（每题 3 分，共 30 分） 1. 电子在晶体中的共有化运动指的是___ A. 电子在晶体中各处出现的几率相同 B. 电子在晶体元胞中各点出现的几率相同 C. 电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各元胞对应点有相同位相 2.本征半导体是指___的半导体。 A.不含杂质与缺陷 B.费米能级位于禁带中线 C.电阻率很高 D.电子浓度与空穴浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方 3.硅中掺金的工艺主要用于制造__器件。 A.高可靠性 B.高反压 C.高速开关 D.大功率 4.若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定__ A.不含施主杂质 B.不含受主杂质

C.不含任何杂质 D. 处于绝对零度 5.重空穴指的是_ A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋一轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 7.若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是__。 A．金属. B.本征半导体 C.掺杂半导体 D。高纯化合物半导体 A. 渡越时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散系数 9.硅的导带极小值位于___。 A. k 空间的<100> 方向布里渊区中心到边界的 0.85 倍处

B. k 空间的<11> 方向布里渊区中心到边界的 0.85 倍处 C. k 空间的<100> 方向布里渊区边界点 D. k 空间的<111> 方向布里渊区边界点 10.光电池是利用___原理制成的。 A.激子吸收 B.光生伏特效应 C.光辐射 D.光电导效应二. 简答题（每题 8 分，共 40 分） 1. 何谓迁移率，影响迁移率的主要因素是什么? 2.写出一维情况下，非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程，并解释各项的物理意义。 3.何谓欧姆接触? 金属与半导体形成欧姆接触的方法有哪些? 4.比较同质结与异质结的性能。 5.画出 PN 结在正向、反向偏压作用下的能带图，并以此解释 PN 结的单向导电性。三.计算题（共 50 分） 1．实验测得硅的晶格常数为 0.543nm，计算 Si 的原子体密度（单位体积内的原子个数）。（5 分）

四. 证明题（每题 15 分，共 30 分）  1．对于某 n 型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即。 2.写出并证明非平衡载流子的衰减规律，说明式中各项的物理意义。

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