1999年陕西西安电子科技大学晶体管原理考研真题.doc

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1999 年陕西西安电子科技大学晶体管原理考研真题一、概念解释（每题 3 分） 1.pn 结接触电势差 2.发射区重掺杂效应 3.基区扩展效应 4.最高振荡频率 5.存贮时间 6.JFET 的截止频率 7.MOSFET 的阈值电压 8.场效应管的漏源击穿电压二、简述题（每题 7 分） 1.试简述晶体管具有放大能力的结构和偏置条件。

2.试画出 pn 结零偏、正偏和反偏的能带结构图. 3.晶体管在交流小信号状态下，电流放大系数随工作频率升高而下降，试分析其原因。 4 梳状晶体管考虑发射结电流集边效应和发射结条状引线电阻影响，其发射结何处电流密度最大?为什么? 5.为什么晶体管能起开关作用?晶体管开关与理想电开关有什么不同? 6.试分析结型场效应管和 MOS 场效应管在结构和性能上的异同点。 7.画出 JFET 的输出电流-电压特性曲线，并结合 JFET 的工作原理给予解释。

8.限制 MOSFET 截止频率的主要有那些因素?如何提高 MOSFET 的截止频率? 三、证明题（每题 10 分） 1.NPN 均匀基区晶体管，基区掺杂浓度为 Np，基区宽度为 Wh，（Wb<

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