2000年陕西西安电子科技大学晶体管原理考研真题.doc

发布时间：2022-09-21 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.11M 资料格式：doc 举报版权申诉

第1页 / 共3页

第2页 / 共3页

第3页 / 共3页

2000 年陕西西安电子科技大学晶体管原理考研真题一、概念解释（每题 3 分） 1.PN 结空间电荷区 2.方块电阻 3.晶体管最高振荡频率 4.晶体管最大耗散功率

5.开启时间 6.JFET 的本征夹断电压 7.增强型与耗尽型 MOSFET 8.MOSFET 的跨导截止频率

二、简述题（每题 7 分） 1.试画出正偏 PN 结载流子浓度分布示意图，并标出其边界载流子浓

分享到：

赞收藏

资料库