T8 日光灯驱动方案
市电输入 HV9910B 低成本 T8 日光灯方案
HV9910B 是一款高效率 LED 驱动控制芯
片。其输入电压范围为 8VDC 到 450VDC。
HV9910B 以 一 定 的 开 关 频 率 控 制 外 置
MOSFET,开关频率最高可达 300KHz,此开关
频率可通过调节单个的下拉电阻实现,同时
HV9910B 的输出驱动电流最大可超过 1A。
HV9910B 由于极其简单的电路而被广泛
应用于路灯, 射灯,筒灯,草地灯等多种
场合,其外置 MOSFET 的优势可适应从 1W 至
50W 的多种灯具和恒流模组。
在此介绍的是基于 HV9910B 的 20W 的日
光 灯 管 方 案 , 适 用 于 T8 管 , 该 灯 管 由
288pcs 20mA 的白色 LED 组成,按 24 串 12
并联接而成,每串电流为 20mA ,总电流为
240mA.适用于 190~264VAC 的输入电压范围。
下面着重介绍驱动方案部分。
图原理
PCB
器件
参 数
慢断保险丝:250V/0.5A
压敏电阻:7D471
共模电感:16*9*6,10mH
安规X2电容:0.1uf
桥堆:DF04S
功率电阻:8.2Ω/1W
电解电容:1UF/50V
金属薄膜电容:4.7UF/400V
瓷片电容:100PF
F0
VDR
T_CM
CX2
D_B
RNTC
C0 C1 电解电容:22UF/250V φ10*20 ,105℃
C6
C2
C5
D0 D1 D2 IN4007/ES1J
D3
R1
R2
R0
R11
L0
MURS160T3
220KΩ 1/4W 0805
2.2KΩ 1/4W 0805
1Ω 1/4W 0805
7.5Ω 1/4W 0805
4.7mH/360mA +4.7mH/360mA串联使用
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T8 日光灯驱动方案
1. 连接图
测试前,请依电源板上的AC1,AC2 ,
LED- 和LED+ 的标示符号连接,AC1和AC2
为连接到市电的零线和火线的连接端子,
LED- 和LED+ 为连接到负载LED灯串的连接
端口, LED+连接到LED串正端,LED-连接到
2. 应用指导
LED 串
输入电压范围:交流 90V-265V(典型值
220V)
LED 单支路串联数量:24 串
LED 单支路并联数量:12 并
LED 串的电压范围:70-90V
LED 电流:240mA
整流桥和热敏电阻的选择
二极管桥的电压额定值取决于输
入电压的最大值,
V −
IN MAX
=
265
V,考
•
•
=
=
虑 50%的裕量,乘以系数 1.5 则:
V
bridgeV
1.5 ( 0.5 265) 562
选取 DF04S,1000V,1A 的方桥足以
满足要求.
取 最 大 输 出 电 压
V −
IN MAX
值的大小反比于浪涌电流,选取 50Ω的
热敏电阻可抵抗 7.5A 的浪涌电流冲击.
V, 25℃下热敏电阻阻
265
=
开关频率和 OSC 端 R1 的选择
开关频率的大小决定于电阻 R1 的
大 小 , 一 般 选 取 工 作 频 率 范 围 从
20KHz-150KHz,太大的工作频率会影
响到电源效率.太小的工作频率会使电
感 L0 的体积很大.折中选取 F =
osc
100KHZ,
T (us) =
osc
根
据
1R (k ) + 22
Ω
25
公
式
可计算出 R1
=228K Ω , 根 据 实 际 情 况 选 取 R1 =
LED串负端; 测试时,先接好LED 灯串, 并
确认LED极性连接正确和所有端口连接牢固
后再接市电,切忌空载上电!非隔离电路,
测试时须注意安全!
220KΩ
电感 L0 的选择
一般来说,电感的取值大小主要决
定 于 负 载 的 纹 波 电 流 , 常 用 公 式
E L
=
di
dt
.考虑在 MOS 管关断期间,
电 感 为 LED 提 供 能 量 , 则
E V
=
LED
=
V
O MAX
−
=
L
di
dt
, 即
L V
=
O MAX
−
dt
di
, 就 是 关 断 时 间
dt
dt
t= ,di 就是纹波电流,一般取纹
off
波电流为负载电流 OI 的 30%则电感 L0
的 大 小 可 计 算 为 :
V
O M
−
AX
(1
• −
L =
0
0.3
•
I
O
V
O MAX
−
V
2
•
F
osc
•
AC
)
, 其 中
ACV
为交流输入电压.由公式可看出,
电感值的大小与频率,纹波电流的关
系.同时电感值的大小还和占空比 D 有
关,可将上述公式稍加变换得到,占空
比小时,需要更大的电感.
在 这 里 我 们 取 OI = 240mA,
=81.6V,
V −
O MAX
100KHZ,则可计算出电感 L0 的值为
=265VAC,
ACV
Fosc
=
2
T8 日光灯驱动方案
8.8mH,可使用两个标准值 4.7 mH 的电
感串联.为了使电感在最大电流下不会
饱和,一般取电感额定电流为负载最大
电流的 1.5 倍,即:IL=360mA.
MOSFET 和二极管 D3 的选择
MOSFET 的峰值电压依赖于最大
输入电压.采用 50%的裕量
•
•
=
=
V
1.5 ( 2 265) 562
FETV
MOSFET 的电流最大有效值取决
于最大占空比,考虑一定裕量取 D=50%,
则 MOSFET 额 定 电 流
I
FET
I=
O
•
0.5
=
0.17
Α , 通 常
MOSFET 的额定电流选取为上述电流
的 3 倍,4N60,600V 4A 足以满足要求.
二 极 管 的 额 定 峰 值 电 压 与
MOSFET 的相同也为 562V.
二 极 管 的 平 均 电 流
I
DIODE
I=
O
•
0.5 0.12
=
Α
, 选 取
600V,1A 的 MUR160,恢复时间是 35nS,
足以满足要求.
检测电阻 R0 的选择
电流采样电阻 R0 的大小与该支路
的峰值电流 有关,其计算公式为:
I pk
R =
0
V
TH
I
pk
=
0.25
I
pk
,其中 为该支路的峰值
I pk
电
I
pk
=
流
OI
1.15
=
,
Α V
.
TH =
0.276
在
0.25
此
V 是因
为采芯片内部采用了 0.25V 的阈值电压,则
可计算出 R0=0.9Ω,可选择用 1Ω和 7.5Ω两
只电阻并联实现.
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