目录 
 
1  石英晶振的特性及模型 
2  振荡器原理 
3 
4 
Pierce振荡器 
Pierce振荡器设计 
4.1  反馈电阻RF 
4.2  负载电容CL 
4.3  振荡器的增益裕量 
4.4  驱动级别DL外部电阻RExt计算 
4.4.1 
4.4.2 
4.4.3 
驱动级别DL计算 
另一个驱动级别测量方法 
外部电阻RExt计算 
4.5  启动时间 
4.6  晶振的牵引度(Pullability) 
5  挑选晶振及外部器件的简易指南 
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1  石英晶振的特性及模型 
石英晶体是一种可将电能和机械能相互转化的压电器件,能量转变发生在共振频率点上。它可
用如下模型表示: 
图1  石英晶体模型 
C0:等效电路中与串联臂并接的电容(译注:也叫并电容,静电电容,其值一般仅与晶振的尺寸
有关)。 
Lm:(动态等效电感)代表晶振机械振动的惯性。  
Cm:(动态等效电容)代表晶振的弹性。  
Rm:(动态等效电阻)代表电路的损耗。  
晶振的阻抗可表示为以下方程(假设Rm可以忽略不计): 
图2  石英晶振的频域电抗特性 
 
 
 
其中Fs的是当电抗Z=0时的串联谐频率(译注:它是Lm、Cm和Rm支路的谐振频率),其表达式如
下: 
Fa是当电抗Z趋于无穷大时的并联谐振频率(译注:它是整个等效电路的谐振频率),使用等式
(1),其表达式如下: 
 
 
在Fs到Fa的区域即通常所谓的:“并联谐振区”(图2中的阴影部分),在这一区域晶振工作在并
联谐振状态(译注:该区域就是晶振的正常工作区域,Fa-Fs就是晶振的带宽。带宽越窄,晶振
品质因素越高,振荡频率越稳定)。在此区域晶振呈电感特性,从而带来了相当于180  °的相移。
其频率FP(或者叫FL:负载频率)表达式如下: 
 
从表达式(4),我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率,这就是为什么晶振制造
商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值,可以使晶
振晶体振荡时达到其标称频率。 
下表给出了一个例子来说明如何调整外部参数来达到晶振电路的8MHz标称频率: 
表1  等效电路参数实例 
等效元件 
Rm 
Lm 
Cm 
C0 
数值 
8Ω 
14.7mH 
0.027pF 
5.57pF 
使用表达式(2)、(3)和(4),我们可以计算出该晶振的Fs、Fa 及FP: 
Fs = 7988768Hz,Fa = 8008102Hz 
如果该晶振的CL为10pF,则其振荡频率为:FP = 7995695Hz。 
要使其达到准确的标称振荡频率8MHz,CL应该为4.02pF。 
2  振荡器原理 
振荡器由一个放大器和反馈网络组成,反馈网络起到频率选择的作用。图3通过一个框图来说明
振荡器的基本原理。 
图3  振荡器的基本原理 
 
其中:  
●  A(f)是放大器部分,给这个闭环系统提供能量以保持其振荡。 
●  B(f)是反馈通道,它决定了振荡器的频率。 
 
为了起振,Barkhausen条件必须得到满足。即闭环增益应大于1,并且总相移为360°。 
 
 
 
为了让振荡器工作,要保证|A(f)|.|B(f)|  >>  1。这意味着开环增益应远大于1,到达稳定振荡所需
的时间取决于这个开环增益。然而,仅满足以上条件是不够解释为什么晶体振荡器可以开始振
荡。为了起振,还需要向其提供启动所需的电能。一般来说,上电的能量瞬变以及噪声可以提
供所需的能量。应当注意到,这个启动能量应该足够多,从而能够保证通过触发使振荡器在所
需的频率工作。 
实际上,在这种条件下的放大器是非常不稳定的,任何干扰进入这种正反馈闭环系统都会使其
不稳定并引发振荡启动。干扰可能源于上电,器件禁用/使能的操作以及晶振热噪声等...。同时
必须注意到,只有在晶振工作频率范围内的噪声才能被放大,这部分相对于噪声的全部能量来
说只是一小部分,这也就是为什么晶体振荡器需要相当长的时间才能启动的原因。  
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Pierce振荡器 
皮尔斯振荡器有低功耗、低成本及良好的稳定性等特点,因此常见于通常的应用中。 
图4  皮尔斯振荡器电路 
Inv:内部反向器,作用等同于放大器。 
Q:石英或陶瓷晶振。 
RF:  内部反馈电阻(译注:它的存在使反相器工作在线性区,  从而使其获得增益,作用等同于放
大器)。 
RExt:外部限流电阻。 
CL1和CL2:两个外部负载电容。 
Cs:由于PCB布线及连接等寄生效应引起的等效杂散电容(OSC_IN和OSC_OUT管脚上)。 
 
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Pierce振荡器设计 
在这一节中,将介绍Pierce振荡器各种参数的含义及如何确定这些参数的值,从而使用户熟悉
Pierce振荡器的设计。  
4.1  反馈电阻RF  
在大多数情况下,反馈电阻RF是内嵌在振荡器电路内的(至少在ST的MCU中是如此)。它的作用
是通过引入反馈使反向器的功能等同于放大器。Vin和Vout之间增加的反馈电阻使放大器在Vout 
=  Vin时产生偏置,迫使反向器工作在线性区域(图5中阴影区)。该放大器放大了晶振的正常工
作区域内的在并联谐振区内的噪声(例如晶振的热噪声)(译注:工作在线性区的反向器等同于一
个反向放大器),从而引发晶振起振。在某些情况下,如果在起振后去掉反馈电阻RF,振荡器仍
可以继续正常运转。 
图5  反向器工作示意图 
RF的典型值于下表中给出。 
表2  频率及对应的反馈电阻参考值 
频率 
32.768kHz 
1MHz 
10MHz 
20MHz 
反馈电阻范围 
10 至 25MΩ 
5 至 10MΩ 
1 至 5MΩ 
470kΩ 至 5MΩ 
 
4.2  负载电容CL 
负载电容CL是指连接到晶振上的终端电容。CL值取决于外部电容器CL1和CL2,刷电路板上的杂
散电容(Cs)。CL值由由晶振制造商给出。保证振荡频率精度,主要取决于振荡电路的负载电容与
给定的电容值相同,保证振荡频率稳定度主要取决于负载电容保持不变。外部电容器CL1和CL2
可用来调整CL,使之达到晶振制造商的标定值。 
CL的表达式如下: 
CL1和CL2计算实例: 
例如,如果CL =15pF,并假定Cs = 5pF,则有: 
 
 
即:CL1 = CL2 = 20pF 
4.3  振荡器的增益裕量 
增益裕量是最重要的参数,它决定振荡器是否能够正常起振,其表达式如下: 
 
其中: 
●  gm是反向器的跨导,其单位是mA/V(对于高频的情况)或者是µA/V(对于低频的情况,例如 
32kHz)。 
●  gmcrit (gm critical)的值 取决于晶振本身的参数。 
假定CL1 = CL2 ,并假定晶振的CL将与制造商给定的值相同,则gmcrit表达式如下: 
其中ESR是指晶振的等效串联电阻。 
 
根据Eric Vittoz的理论(译注:具体可参考Eric A. Vittoz et al., "High-Performance Crystal 
Oscillator Circuits: Theory and Application", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 23, No. 3, 
pp. 774-782, Jun. 1988),放大器和两个外部电容的阻抗对晶振的RLC动态等效电路的电抗有补
偿作用。 
基于这一理论,反向器跨导(gm)必须满足:gm > gmcrit 。在这种情况下才满足起振的振荡条
件。为保证可靠的起振,增益裕量的最小值一般设为5。 
例如,如果设计一个微控制器的振荡器部分,其gm等于25mA/V。如果所选择的石英晶振(来自
FOX公司)的参数如下:  
 
那么该晶体能否与微控制器配合可靠起振? 
让我们来计算gmcrit: 
频率 = 8MHz,C0 = 7pF,CL = 10pF,ESR = 80 Ω 
如果据此来计算增益裕量,可得: 
 
 
此增益裕量远大于起振条件即Gainmargin>5,晶振将正常起振。 
如果不能满足增益裕量起振条件(即增益裕量Gainmargin小于5,晶振无法正常起振),应尝试选择
一种ESR较低或/和CL较低的晶振。 
4.4  驱动级别DL外部电阻RExt计算 
这两个参数是相互联系的,这也就是为什么在同一节中描述此二者的原因。 
4.4.1  驱动级别DL计算 
驱动级别描述了晶振的功耗。晶振的功耗必须限制在某一范围内,否则石英晶体可能会由于过
度的机械振动而导致不能正常工作。通常由晶振制造商给出驱动级别的最大值,单位是毫瓦。
超过这个值时,晶振就会受到损害。  
驱动级别由下述表达式给出: 
其中: