二级密勒补偿运算放大器
设计教程
udan
专用集成电路与系统国家重点实验室
RFIC
整理者 版本号
日期
说明
尹睿
1.0
2007.10.10
详细介绍二级运放原理和设计仿真,供新手
入门参考
版权所有,不得侵犯!传播与修改请保留版权信息。
目录
1 引言 ..................................................................................................................... 1
2 电路分析.............................................................................................................. 2
2.1 电路结构....................................................................................................... 2
2.2 电路描述....................................................................................................... 2
2.3 静态特性....................................................................................................... 3
2.4 频率特性....................................................................................................... 5
2.5 相位补偿....................................................................................................... 7
2.6 调零电阻....................................................................................................... 7
2.7 偏置电路..................................................................................................... 10
3 设计指标............................................................................................................ 13
3.1 共模输入范围.............................................................................................. 13
3.2 输出动态范围.............................................................................................. 13
3.3 单位增益带宽(GBW) .............................................................................. 14
3.4 输入失调电压.............................................................................................. 14
3.4.1 系统失调电压 .......................................................................................... 14
3.4.2 随机失调电压 .......................................................................................... 15
3.4.3 工艺失配参数 .......................................................................................... 16
3.5 静态功耗..................................................................................................... 16
3.6 共模抑制比(CMRR) ............................................................................... 16
3.6.1 定义 ........................................................................................................ 16
3.6.2 两级运放的 CMRR .................................................................................. 17
3.7 电源抑制比(PSRR) ................................................................................ 18
3.7.1 定义 ........................................................................................................ 18
3.7.2 两级运放的 PSRR................................................................................... 19
3.8 转换速率(Slew Rate) ............................................................................. 21
3.8.1 定义 ........................................................................................................ 21
3.8.2 两级放大器的 Slew Rate......................................................................... 22
3.8.3 单位增益带宽 GBW 和压摆率 SR............................................................ 23
3.9 噪声............................................................................................................ 24
3.9.1 低频噪声 ................................................................................................. 24
3.9.2 输入积分噪声 .......................................................................................... 25
4 电路设计............................................................................................................ 26
4.1 MOS 工作区域............................................................................................ 26
4.2 过驱动电压的影响....................................................................................... 27
4.3 约束分析..................................................................................................... 27
4.3.1 对称和失调.............................................................................................. 27
4.3.2 静态功耗 ................................................................................................. 27
4.3.3 面积 ........................................................................................................ 27
4.3.4 直流增益 ................................................................................................. 28
4.3.5 共模抑制比.............................................................................................. 28
4.3.6 电源抑制比.............................................................................................. 28
4.3.7 转换速率 ................................................................................................. 28
4.3.8 等效输入噪声 .......................................................................................... 28
4.4 相位补偿..................................................................................................... 29
4.5 计算参数..................................................................................................... 29
4.5.1 工作点分析.............................................................................................. 29
4.5.2 设计步骤 ................................................................................................. 30
5 HSPICE 仿真..................................................................................................... 32
5.1 电路网表..................................................................................................... 32
5.2 仿真网表..................................................................................................... 35
5.3 静态功耗和直流工作点 ............................................................................... 36
5.4 直流增益、带宽和相位裕度 ........................................................................ 36
5.5 共模抑制比 ................................................................................................. 38
5.6 电源抑制比 ................................................................................................. 39
5.7 噪声............................................................................................................ 40
5.8 压摆率 ........................................................................................................ 41
5.9 输出动态范围.............................................................................................. 42
6 Cadence 仿真.................................................................................................... 44
6.1 运行软件..................................................................................................... 44
6.2 原理图绘制方法 .......................................................................................... 47
6.3 单管的匹配 ................................................................................................. 58
6.4 电路符号绘制方法....................................................................................... 62
6.5 基本指标仿真.............................................................................................. 64
ii
6.6 其它指标仿真.............................................................................................. 68
6.7 仿真结果..................................................................................................... 71
参考文献 ................................................................................................................... 73
附录 A 传递函数与零极点分析.................................................................................. 74
A.1 第二级传递函数 .......................................................................................... 74
A.2 第一级传递函数 .......................................................................................... 78
A.3 零极点讨论 ................................................................................................. 79
附录 B Cadence 常用快捷...................................................................................... 81
iii
1 引言
相对与数字集成电路的规律性和离散性,计算机辅助设计方法学在给定所需功能行
为描述的数字系统设计自动化方面已经非常成功。但这并不适用于模拟电路设计。一般
来说,模拟电路设计仍然需要手工进行。因此,仔细研究模拟电路的设计过程,熟悉那
些提高设计效率、增加设计成功机会的原则是非常必要的[1]。
为此,本手册以应用最为广泛的 CMOS 两级密勒补偿运算跨导放大器为例,详细
介绍设计电路的详细流程。
运算放大器(简称运放)是许多模拟系统和混合信号系统中的一个完整部分。各种
不同复杂程度的运放被用来实现各种功能:从直流偏置的产生到高速放大或滤波。伴随
者每一代 CMOS 工艺,由于电源电压和晶体管沟道长度的减小,为运放的设计不断提
出复杂的课题[2]。
运算放大器的设计可以分为两个较为独立的两个步骤。第一步是选择或搭建运放的
基本结构,绘出电路结构草图。一般来说,决定好了电路结构以后,便不会更改了,除
非有些性能要求必须通过改变电路结构来实现。
一旦结构确定,接着就要选择直流电流,手工设计管子尺寸,以及设计补偿电路等
等,这个步骤包含了电路设计的绝大部分工作。为了满足运放的交流和直流要求,所有
管子都应被设计出合适的尺寸。然后在手工计算的基础上,运用计算机模拟电路可以极
大的方便对电路进行调试和修改。但要记住,手算是绝对必需的!通过手算,可以深入
的理解电路,对于设计多边形法则也可以更好进行权衡和把握。
本手册从分析电路的原理开始(第二章),接着介绍对运放的各个指标做介绍和分
析(第三章),然后以具体的指标要求为例,分析约束条件,进行手算(第四章)。之后,
将会分别介绍采用 HSPICE(第五章)和 Spectre(第六章)对电路进行仿真和调试。
至于版图设计和后仿,将会在以后的版本中逐步添加完善。
1
2 电路分析
2.1 电路结构
最基本的 COMS 二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如图 2.1 所示。主要包括四
部分:第一级输入级放大电路、第二级放大电路、偏置电路和相位补偿电路。
图 2.1 两级运放电路图
2.2 电路描述
输入级放大电路由 M1~M5 组成。M1 和 M2 组成 PMOS 差分输入对,差分输入与
单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰;M3、M4 电流镜为有源负载;M5 为第一级
提供恒定偏置电流。
输出级放大电路由 M6、M7 组成。M6 为共源放大器,M7 为其提供恒定偏置电流
同时作为第二级输出负载。相位补偿电路由 M14 和 Cc 构成。M14 工作在线性区,可等
效为一个电阻,与电容 Cc 一起跨接在第二级输入输出之间,构成 RC 密勒补偿。
此外从电流与电压转换角度对电路进行分析也许更便于理解,此时可以将绘出运放
的层次结构如图 2.2 所示。M1 和 M2 为第一级差分输入跨导级,将差分输入电压转换
为差分电流。M3 和 M4 为第一级负载,将差模电流恢复为差模电压。M6 为第二级跨导
级,将差分电压信号转换为电流,而 M7 再将此电流信号转换为电压输出。
2
跨导级
负载级
跨导级 负载级
M5
M1
M2
VDD
Vbias
vin
GND
M7
vout
M6
M3
M4
V
I
I
V
V
I
I
V
图 2.1 二级运放层次结构示意图
偏置电路由 M8~M13 和 RB 组成,这是一个共源共栅 Widlar 电流源。M8 和 M9
宽长比相同。M12 与 M13 相比,源极加入了电阻 RB,组成微电流源,产生电流 IB。对
称的 M11 和 M12 构成共源共栅结构,减小沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供
偏置电流的同时,还为 M14 栅极提供偏置电压。
2.3 静态特性
暂时不考虑调电阻 M14,绘出电路的等效模型,如图 2.3 所示。
CC
Vid
Gm1Vid
R1
C1
Vi2
Gm2Vi2
R2
C2
Vo
图中每一级都是互导放大器,由于第一级差分输入对管 M1 与 M2 相同,有
图 2.2 等效电路模型
G
m
1
=
g
m
1
=
g
m
2
R1 表示第一级输出电阻,其值为
则第一级的电压增益
R r
=
o
1
2
r
o
4
m
(
r
o
2
m
2
r
o
4
)
A G R g
1
1 1
=
=
3
(2.1)
(2.2)
(2.3)
对第二级,有
第二级的电压增益
A
2
故总的直流开环电压增益为
G
m
2
=
g
m
6
=
2 DS
I
V
GST
6
6
R
2
=
r
o
6
r
o
7
= −
G R
2
m
2
= −
g
(
r
o
6
m
6
r
o
7
)
A A A
=
0
1 2
= −
g g
2
m
m
6
(
r
o
2
r
o
4
)(
r
o
6
r
o
7
)
将 VGS-VT 简写作 VGST,有
而电阻 ro 由下式决定
g
m
C
μ=
OX
W
L
(
V
GS
−
V
T
)
=
2 D
I
V
GST
r
o
=
1
I
λ
DS
=
V L
E
I
DS
(2.4)
(2.5)
(2.6)
(2.7)
(2.8)
(2.9)
其中 λ 是沟道长度调制系数,VE 为厄利电压,L 为管子的有效沟道长度。它们之间有如
下关系
EV L
=
1
λ
(2.10)
在 LevelOne 模型给出的参数中,λn=0.03 V-1,λp=0.06 V-1。而在 Spectre 仿真中则
考虑沟道长度的影响,只给出了厄利电压值。采用 SMIC 0.18μm 工艺,在 1.8V 电压下,
厄利电压分别为 VEn=55 V/μm,VEp=47 V/μm。
于是,针对于 SPICE LevelOne 模型仿真,式(2.7)可以重新表示为
A
0
= −
DS
2
I
V
GST
2
2
⎛
⎜
⎜
⎝
DS
2
I
V
GST
6
6
⎞
⎟
⎟
⎠
⎛
⎜
⎜
⎝
1
I
λ
n DS
6
4
||
1
I
λ
p DS
7
⎞
⎟
⎟
⎠
(2.11)
2
||
1
I
λ
n DS
1
I
λ
p DS
4
(
λ λ
n
2
)
+
= −
V
GST
V
2
GST
6
p
上式中仅包含工艺参数 λ 和设计参数 VGST,由于 λ 是工艺给定,所以电路的直流增益仅
取决于过驱动电压。
若是采用 Spectre 仿真,则直流增益可以用厄利电压来表示,此时式(2.7)可以写成
4