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密勒补偿二级运放实例.pdf

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电路结构图
参数表
SR
测试电路图
性能指标
mos尺寸表
HSPICE_PSRR
PSRR
二级密勒补偿运算放大器 设计教程 udan 专用集成电路与系统国家重点实验室 RFIC 整理者 版本号 日期 说明 尹睿 1.0 2007.10.10 详细介绍二级运放原理和设计仿真,供新手 入门参考 版权所有,不得侵犯!传播与修改请保留版权信息。
目录 1 引言 ..................................................................................................................... 1 2 电路分析.............................................................................................................. 2 2.1 电路结构....................................................................................................... 2 2.2 电路描述....................................................................................................... 2 2.3 静态特性....................................................................................................... 3 2.4 频率特性....................................................................................................... 5 2.5 相位补偿....................................................................................................... 7 2.6 调零电阻....................................................................................................... 7 2.7 偏置电路..................................................................................................... 10 3 设计指标............................................................................................................ 13 3.1 共模输入范围.............................................................................................. 13 3.2 输出动态范围.............................................................................................. 13 3.3 单位增益带宽(GBW) .............................................................................. 14 3.4 输入失调电压.............................................................................................. 14 3.4.1 系统失调电压 .......................................................................................... 14 3.4.2 随机失调电压 .......................................................................................... 15 3.4.3 工艺失配参数 .......................................................................................... 16 3.5 静态功耗..................................................................................................... 16 3.6 共模抑制比(CMRR) ............................................................................... 16 3.6.1 定义 ........................................................................................................ 16 3.6.2 两级运放的 CMRR .................................................................................. 17 3.7 电源抑制比(PSRR) ................................................................................ 18 3.7.1 定义 ........................................................................................................ 18 3.7.2 两级运放的 PSRR................................................................................... 19 3.8 转换速率(Slew Rate) ............................................................................. 21 3.8.1 定义 ........................................................................................................ 21 3.8.2 两级放大器的 Slew Rate......................................................................... 22 3.8.3 单位增益带宽 GBW 和压摆率 SR............................................................ 23 3.9 噪声............................................................................................................ 24 3.9.1 低频噪声 ................................................................................................. 24
3.9.2 输入积分噪声 .......................................................................................... 25 4 电路设计............................................................................................................ 26 4.1 MOS 工作区域............................................................................................ 26 4.2 过驱动电压的影响....................................................................................... 27 4.3 约束分析..................................................................................................... 27 4.3.1 对称和失调.............................................................................................. 27 4.3.2 静态功耗 ................................................................................................. 27 4.3.3 面积 ........................................................................................................ 27 4.3.4 直流增益 ................................................................................................. 28 4.3.5 共模抑制比.............................................................................................. 28 4.3.6 电源抑制比.............................................................................................. 28 4.3.7 转换速率 ................................................................................................. 28 4.3.8 等效输入噪声 .......................................................................................... 28 4.4 相位补偿..................................................................................................... 29 4.5 计算参数..................................................................................................... 29 4.5.1 工作点分析.............................................................................................. 29 4.5.2 设计步骤 ................................................................................................. 30 5 HSPICE 仿真..................................................................................................... 32 5.1 电路网表..................................................................................................... 32 5.2 仿真网表..................................................................................................... 35 5.3 静态功耗和直流工作点 ............................................................................... 36 5.4 直流增益、带宽和相位裕度 ........................................................................ 36 5.5 共模抑制比 ................................................................................................. 38 5.6 电源抑制比 ................................................................................................. 39 5.7 噪声............................................................................................................ 40 5.8 压摆率 ........................................................................................................ 41 5.9 输出动态范围.............................................................................................. 42 6 Cadence 仿真.................................................................................................... 44 6.1 运行软件..................................................................................................... 44 6.2 原理图绘制方法 .......................................................................................... 47 6.3 单管的匹配 ................................................................................................. 58 6.4 电路符号绘制方法....................................................................................... 62 6.5 基本指标仿真.............................................................................................. 64 ii
6.6 其它指标仿真.............................................................................................. 68 6.7 仿真结果..................................................................................................... 71 参考文献 ................................................................................................................... 73 附录 A 传递函数与零极点分析.................................................................................. 74 A.1 第二级传递函数 .......................................................................................... 74 A.2 第一级传递函数 .......................................................................................... 78 A.3 零极点讨论 ................................................................................................. 79 附录 B Cadence 常用快捷...................................................................................... 81 iii
1 引言 相对与数字集成电路的规律性和离散性,计算机辅助设计方法学在给定所需功能行 为描述的数字系统设计自动化方面已经非常成功。但这并不适用于模拟电路设计。一般 来说,模拟电路设计仍然需要手工进行。因此,仔细研究模拟电路的设计过程,熟悉那 些提高设计效率、增加设计成功机会的原则是非常必要的[1]。 为此,本手册以应用最为广泛的 CMOS 两级密勒补偿运算跨导放大器为例,详细 介绍设计电路的详细流程。 运算放大器(简称运放)是许多模拟系统和混合信号系统中的一个完整部分。各种 不同复杂程度的运放被用来实现各种功能:从直流偏置的产生到高速放大或滤波。伴随 者每一代 CMOS 工艺,由于电源电压和晶体管沟道长度的减小,为运放的设计不断提 出复杂的课题[2]。 运算放大器的设计可以分为两个较为独立的两个步骤。第一步是选择或搭建运放的 基本结构,绘出电路结构草图。一般来说,决定好了电路结构以后,便不会更改了,除 非有些性能要求必须通过改变电路结构来实现。 一旦结构确定,接着就要选择直流电流,手工设计管子尺寸,以及设计补偿电路等 等,这个步骤包含了电路设计的绝大部分工作。为了满足运放的交流和直流要求,所有 管子都应被设计出合适的尺寸。然后在手工计算的基础上,运用计算机模拟电路可以极 大的方便对电路进行调试和修改。但要记住,手算是绝对必需的!通过手算,可以深入 的理解电路,对于设计多边形法则也可以更好进行权衡和把握。 本手册从分析电路的原理开始(第二章),接着介绍对运放的各个指标做介绍和分 析(第三章),然后以具体的指标要求为例,分析约束条件,进行手算(第四章)。之后, 将会分别介绍采用 HSPICE(第五章)和 Spectre(第六章)对电路进行仿真和调试。 至于版图设计和后仿,将会在以后的版本中逐步添加完善。 1
2 电路分析 2.1 电路结构 最基本的 COMS 二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如图 2.1 所示。主要包括四 部分:第一级输入级放大电路、第二级放大电路、偏置电路和相位补偿电路。 图 2.1 两级运放电路图 2.2 电路描述 输入级放大电路由 M1~M5 组成。M1 和 M2 组成 PMOS 差分输入对,差分输入与 单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰;M3、M4 电流镜为有源负载;M5 为第一级 提供恒定偏置电流。 输出级放大电路由 M6、M7 组成。M6 为共源放大器,M7 为其提供恒定偏置电流 同时作为第二级输出负载。相位补偿电路由 M14 和 Cc 构成。M14 工作在线性区,可等 效为一个电阻,与电容 Cc 一起跨接在第二级输入输出之间,构成 RC 密勒补偿。 此外从电流与电压转换角度对电路进行分析也许更便于理解,此时可以将绘出运放 的层次结构如图 2.2 所示。M1 和 M2 为第一级差分输入跨导级,将差分输入电压转换 为差分电流。M3 和 M4 为第一级负载,将差模电流恢复为差模电压。M6 为第二级跨导 级,将差分电压信号转换为电流,而 M7 再将此电流信号转换为电压输出。 2
跨导级 负载级 跨导级 负载级 M5 M1 M2 VDD Vbias vin GND M7 vout M6 M3 M4 V I I V V I I V 图 2.1 二级运放层次结构示意图 偏置电路由 M8~M13 和 RB 组成,这是一个共源共栅 Widlar 电流源。M8 和 M9 宽长比相同。M12 与 M13 相比,源极加入了电阻 RB,组成微电流源,产生电流 IB。对 称的 M11 和 M12 构成共源共栅结构,减小沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供 偏置电流的同时,还为 M14 栅极提供偏置电压。 2.3 静态特性 暂时不考虑调电阻 M14,绘出电路的等效模型,如图 2.3 所示。 CC Vid Gm1Vid R1 C1 Vi2 Gm2Vi2 R2 C2 Vo 图中每一级都是互导放大器,由于第一级差分输入对管 M1 与 M2 相同,有 图 2.2 等效电路模型 G m 1 = g m 1 = g m 2 R1 表示第一级输出电阻,其值为 则第一级的电压增益 R r = o 1 2 r o 4 m ( r o 2 m 2 r o 4 ) A G R g 1 1 1 = = 3 (2.1) (2.2) (2.3)
对第二级,有 第二级的电压增益 A 2 故总的直流开环电压增益为 G m 2 = g m 6 = 2 DS I V GST 6 6 R 2 = r o 6 r o 7 = − G R 2 m 2 = − g ( r o 6 m 6 r o 7 ) A A A = 0 1 2 = − g g 2 m m 6 ( r o 2 r o 4 )( r o 6 r o 7 ) 将 VGS-VT 简写作 VGST,有 而电阻 ro 由下式决定 g m C μ= OX W L ( V GS − V T ) = 2 D I V GST r o = 1 I λ DS = V L E I DS (2.4) (2.5) (2.6) (2.7) (2.8) (2.9) 其中 λ 是沟道长度调制系数,VE 为厄利电压,L 为管子的有效沟道长度。它们之间有如 下关系 EV L = 1 λ (2.10) 在 LevelOne 模型给出的参数中,λn=0.03 V-1,λp=0.06 V-1。而在 Spectre 仿真中则 考虑沟道长度的影响,只给出了厄利电压值。采用 SMIC 0.18μm 工艺,在 1.8V 电压下, 厄利电压分别为 VEn=55 V/μm,VEp=47 V/μm。 于是,针对于 SPICE LevelOne 模型仿真,式(2.7)可以重新表示为 A 0 = − DS 2 I V GST 2 2 ⎛ ⎜ ⎜ ⎝ DS 2 I V GST 6 6 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⎛ ⎜ ⎜ ⎝ 1 I λ n DS 6 4 || 1 I λ p DS 7 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (2.11) 2 || 1 I λ n DS 1 I λ p DS 4 ( λ λ n 2 ) + = − V GST V 2 GST 6 p 上式中仅包含工艺参数 λ 和设计参数 VGST,由于 λ 是工艺给定,所以电路的直流增益仅 取决于过驱动电压。 若是采用 Spectre 仿真,则直流增益可以用厄利电压来表示,此时式(2.7)可以写成 4
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