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集成运放参数测试仪.doc

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一、集成运放参数测试仪性能指标
二、设计思路:
三、系统结构图
四、方案比较与选择:
五、测量原理
2.1 失调电压Vios
2.2 失调电流Iio
2.3 共模抑制比K C M R
2.4 开环放大倍数的测量
六、电路设计
3.2 失调电流IIO测量电路
3.3 共模抑制比KCMR 测量电路
KCMR = Avd/Avc
S1、S2闭合,S3、S4接地时,测量失调电压;
S1、S2闭合,S3接信号源,S4接地时,测量共模抑制比;
六、软件仿真
七.元件清单
八.系统硬件设计
九.系统的软件设计
RS=0;
RW=0;
E=0;
E=1;
RS=1;
RW=0;
E=0;
E=1;
RS=0;
RW=0;
E=0;
E=1;
SD0=1;
SD1=1;
SD2=1;
SD3=1;
SD4=0;
SD0=1;
SD1=1;
SD2=0;
SD3=0;
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SD0=1;
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SD4=1;
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SD2=1;
SD3=1;
SD4=0;
SD0=1;
SD1=0;
SD2=1;
SD3=1;
SD4=0;
十.系统调试
[1]赵文博,刘文涛.单片机语言C51程序设计
[2]樊昌信,曹丽娜.通信原理第六版
[3]波形发生器ICL8038 DATASHEET
[4]串行12位AD ADS1110 DATASHEET
[5]超精密集成运放OP177 DATASHEET
[6]集成运放LM741 DATASHEET
集成运放参数测试仪 一、集成运放参数测试仪性能指标 工作电压:±15V VIO:测量范围:0~40mV(<小于 3%读数±1 个字); IIO:测量范围:0~4μA(<3%读数±1 个字); AVD:测量范围:60dB~120dB±3dB; KCMR:测量范围: 60dB~120dB±3dB; 输出频率:5Hz 输出电压有效值:4 V 频率与电压值误差绝对值均小于 1%; 二、设计思路: 本设计以单片机STC89C52为控制核心,利用数模转换器ADS1110 以及继电器,为切换开关, 对被测量信号进行采样,通过单片机处 理完成对运算放大器LM741的UIO,IIO,AVC,KCMR等参数的测量。 并 通过系统显示接口,利用液晶显示装置将测试的结果进行显示,同时 本系统还能通过键盘进行人机交流,实现按下一个按键就可以对该运 放的某个参数进行测试。 三、系统结构图
四、方案比较与选择: 主控芯片部分 方案一:采用STC89C52单片机。优点是芯片结构简单,使用相 对容易;缺点是不带AD转换电路,需要外接AD转换芯片,测量精度 相对较低。 方案二:采用凌阳SPCE061A单片机。优点是自带AD转换模块, 测量精度相对较高,能进行音频处理等多种智能化功能;缺点是结构 复杂,使用起来相对繁琐。 由于此方案的核心内容在测试电路部分,主控芯片的选择对结果 的影响相对较小,综合以上芯片的性能以及自身的情况,选择使用相 对简单的STC89C52单片机。 信号发生器的选择
方案一:利用传统的模拟分立元件或单片压控函数发生器 MAX038,可产生三角波、方波、正弦波,通过调整外围元件可以改 变输出频率、幅度,但采用模拟器件由于元件分散性太大,即使用单 片函数发生器,参数也与外部元件有关,外接电阻电容对参数影响很 大,因而产生的频率稳定度较差、精度低、抗干扰能力差、成本也较 高。 方案二:采用ICL8038芯片产生信号。优点是电路简单,波形好, 控制方便,缺点是频率有限。 由于需要的频率不宽,综合以上考虑,选择电路简单,波形好, 控制方便,精度和抗干扰能力更强的ICL8038作为信号发生器。 显示模块的选择 方案一:采用液晶显示模块SVM12864(LCD)。占用I/O口多, 控制复杂,但可以显示汉字和简单图形等,功能强大 方案二:采用液晶显示模块1602。占用I/O口少,控制简单,每 行可显示16个字符。 虽然SVM12864功能相对强大,但是采用1602更为合理。因为需 要显示的参数不多,且都是英文字母和数字,因此选择控制简单的 1602液晶显示模块。 五、测量原理 2.1 失调电压Vios 理想运放当输入电压为零时,其输出电压也为零,但实际运放电路当
输入电压为零时,其输出端仍有一个偏离零点的直流电压Vios。这是 由于运放电路参数不对称所引起的(在室温25度 和标准电源电压下) 为了使这一输出直流电压Vios 为零,必须先在输入端加一个直流电 压作为补偿电压! 以抵消偏离零点的输出电压。这个加在输入端的电 压即为输入失调电压Vios(显然Vios越小,说明运算放大器参数的对 称性越) 2.2 失调电流Iio 运放的输入偏置电流是指运放输入级差分对管的基极电流IB1,IB2, 其中IB1指同相输入端基极电流,IB2指反相输入端基极电流运放的输 入失调电流是指当运放输出电压为零时,两个输入端静态电流的差 值,即Iio=IB1- IB2"(显然:Iio的存在将使输出端零点偏移! 信号 源阻抗越高,失调电流的影响越严重) 2.3 共模抑制比K C M R 表征运放对共模信号抑制能力的参数叫共模抑制比! 用KCMR表示。 KCMR定义为差模电压增益Avd 和共模电压增益Avc 之比,即KCMR = Avd/Avc。运放对共模信号有很强的抑制能力。 2.4 开环放大倍数的测量 即输出电压与输入电压的比值。 六、电路设计 3.1 失调电压VIO测量电路 输入失调电压的测量原理如图1所示:图中直流电路通过RI和RF接成
闭合环路, 通常RI的取值不超过100欧 测量电路: 测量方法: 根据输入失调电压的定义得: 3.2 失调电流IIO测量电路 测量电路: 和上面一样,
则: 3.3 共模抑制比KCMR 测量电路 测试原理如图所示,由于RF>>RI,电路对差模信号的增益很大,该闭 环电路对差模信号的增益AvD= RF/RI。共模信号的增益AvC= (VO/VS)。因此,只要从电路上测出VO 和VS,即可求出共模抑制比 KCMR = Avd/Avc 3.4 开环放大倍数的测量 测量电路如图。
实际的测量电路:
由于考虑到输出处会有自激震荡产生,因此在OP177的输出口和正向 输入端加上一个电容,用以消除自激震荡的影响。 实现各个测量电路的转换,我使用继电器、通过单片机对引脚的 置位来改变开关的通断以及接通的相应电路。 S1、S2闭合,S3、S4接地时,测量失调电压; S1、S2断开,S3、S4接地时,测量失调电流; S1、S2闭合,S3接信号源,S4接地时,测量共模抑制比; S1、S2闭合,S3接地,S4接信号源时,测量开环放大倍数。 以下为其他模块的电路: 1.整流转换电路:
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