74系列双可重触发单稳态触发器TM74HC123.pdf-资料库

一、特性描述双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 74HC123为高速硅栅CMOS器件，是双可重触发单稳态触发器。稳态的脉冲宽度可以由三种方式控制。一是通过选择外部定时元件Cext和Rr的值来确定脉冲宽度；二是通过正触发输入端（Bn）或负触发输入端（ A n）的重复触发延长twp；三是通过清零端（ DR n）的清零使twp缩小。二、功能特点 1 CEXT 14 2 CEXT 6 1 REXT/CEXT 15 2 REXT/CEXT 7 S  采用CMOS工艺  双可重复触发单稳态触发器  由外部R、C元件确定单次脉冲时间  除reset输入外，其它输入为施密特输入  封装形式：SOP-16 三、逻辑框图 1 1A 9 2A 2 1B 10 2B 3 1RD 11 2RD 图1：逻辑图 Q Q T RD 1Q 13 2Q 5 1Q 4 2Q 12 ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 1 -

双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 四、管脚信息 1A 1B 1RD 1Q 2Q 2Cext 2Rext/Cext GND 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 VCC 1Rext/Cext 1Cext 1Q 2Q 2RD 2B 2A 7 4 H C 1 2 3 图2：TM74HC123管脚定义图五、管脚功能端口名称管脚 I/O 功能描述 1，9 2，10 3，11 4，12 5，13 6，14 7, 15 8 16 I I I O O -- -- -- -- 触发输入（负边沿触发）触发输入（正边沿触发）直接复位为低电平，正边沿动作输出（动作为低）输出（动作为高）外部电容连接外部阻容连接地（0V）正电源电压 DR 1 A ，2 A 1B，2B DR ,2 1 1 Q ,2 Q 1Q,2Q EXTC ,2 EXTR / EXTR GND 1 / EXTC EXTC ， EXTC 1 2 VCC . ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 2 -

双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 输入 An X H X L ↓ L nB X X L ↑ H H nQ L (1)L (1)L 输出 Qn H (1)H (1)H 六、真值表 DRn L X X H H ↑ 注： = 一个高电平脉冲输出 ↑= 低到高跳变 = 一个低电平脉冲输出 ↓= 高到低跳变 H = 高电压值 L = 低电压值 X = 不关心注意: 1.如果触发器在此状态之前被触发，则脉冲将继续。七、定时阻容 VCC Rext Cext 至 nCext (脚14或 8) 至 nRext/Cext (脚 15 或 7) 图3：定时元件连结 ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 3 -

双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 八、时序图 nB INPUT tw nA INPUT nQ OUTPUT trt tw tw tw tw 图4：用重复触发脉冲控制输出脉冲； DRn 为高 nB INPUT nRD INPUT nQ OUTPUT tw tw 图5: 用复位输入 DR 控制输出脉冲； An 为低 tw 九、上电考虑 Cx Rx VCC nCext A B 123 RESET Q Q VCC 图6：上电脉冲屏蔽电路当单稳态触发器上电时可能会产生一个输出脉冲，脉冲宽度取决于Rx和Cx的大小，此脉冲可由图 6 所示电路屏蔽。 ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 4 -

十、掉电考虑双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 Cx Dx Rx VCC nRext/Cext 图7：掉电保护电路由于供电式单稳态触发器能量储存在电容上，所以大电容（Cx）可能会造成当系统包含的设备突然断电或VCC迅速降到0时，可能致使单稳态触发器损坏；为避免这种情况，可以通过输入保护二极管对电容放电，最好使用能抗大电流浪涌的锗或肖特基型二极管。连接如图7所示电路。 ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 5 -

十一、电气特性双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 在干燥季节或者干燥使用环境内，容易产生大量静电，静电放电可能会损坏集成电路，天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，如果不正当的操作和焊接，可能会造成 ESD 损坏或者性能下降，芯片无法正常工作。绝对最大额定值范围（Ta = 25℃）（1）（2）参数逻辑电源电压 VDD VI1 逻辑输入电压 PD 功率损耗 Topr Tstg ESD 工作温度范围储存温度范围人体模式（HBM）机器模式（MM）范围 -0.5～7.0 -0.5 —VDD + 0.5 <400 -40～+85 -55～+150 3000 300 单位 V V mW ℃ ℃ V V （1）以上表中这些等级，芯片在长时间使用条件下，可能造成器件永久性伤害，可降低器件的可靠性。天微电子不建议在其它任何条件下，芯片超过这些极限参数工作。（2）所有电压值均相对于网络地测试。推荐工作条件范围（在-40℃~+85℃下）除非另有说明参数测试条件直流参数规格表：VDD=5.0V VDD VIH VIL TA TJ 逻辑电源电压高电平输入电压低电平输入电压工作温度范围工作结温范围 -- VDD=5.0V VDD=5.0V -- -- TM74HC123 最小值典型值最大值 2.0 2.0 -- -40 -40 5.0 -- -- -- -- 6.0 -- 2.0 +85 +125 单位 V V V ℃ ℃ （在 VDD=3.5V~5.5V 和-40℃~+85℃下，典型值 VDD=5V 和 TA=+25℃）除非另有说明单位温度 74HC +25 参数符号测试条件 Vcc (V) 波形/ 注释 PLHt PLHt t PHL PLHt 最小典型 83 30 24 83 30 24 66 24 19 66 24 19 最大 255 51 43 255 51 43 215 43 37 215 43 37 DRn , An ,nB 至 Qn 传输延时 DRn 至 nQ , An ,nB DRn 至 nQ 传输延时(复位) DRn 至 Qn 传输延时（复位） -40 至 +85 最小最大 320 64 54 -40 至 +125 最小最大 385 77 65 320 64 54 270 54 46 270 54 46 385 77 65 325 65 55 325 65 55 ns ns ns ns 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 =0pF =5K EXTC EXTR Ω =5K =0pF =0pF EXTC EXTR Ω EXTC EXTR Ω EXTC =0pF EXTR =5K Ω =5K ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 6 -

图.4 图.4 图.5 =5K =0pF EXTC EXTR Ω 图 4 和图 5 EXTC =0pF EXTR Ω 图 4 和图 5 EXTC =0pF EXTR Ω =5K =5K 输出脉冲宽度， nQ=高， Qn =低 An ，nB 重复触发时间 75 -- -- ns 5.0 110 -- -- ns 5.0 外部定时电阻 10 2 1000 1000 -- -- 外部定时电容不限图 4 和图 5 --- 2.0 5.0 5.0 --- K Ω PF ns 95 19 16 75 15 13 110 22 19 双可重触发单稳态触发器（带清零） TM74HC123 19 7 6 8 3 2 17 6 5 14 5 4 450 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 2.0 4.5 6.0 5.0 150 30 26 150 30 26 150 30 26 -- 125 25 21 125 25 21 125 25 21 -- us ns ns ns 100 20 17 100 20 17 100 20 17 t THL/t TLH 输出跳变时间触发脉冲宽度， An =低触发脉冲宽度， nB=高复位脉冲宽度， DRn =低输出脉冲宽度， nQ=高， Qn =低 Wt Wt Wt Wt Wt rtt EXTR EXTC ©Titan Micro Electronics V 1.0 www.titanmec.com - 7 -

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