欣世纪电子-AVR 单片机熔丝位设置
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AVR单片机熔丝位设置
本说明以AVR单片机中ATmega16的熔丝位为例,说明熔丝位如何正
确设置。
1.编程与状态说明
(1)在AVR的器件手册中,使用已编程(Programmed)和未编程
(Unprogrammed)定义熔丝位的状态。未编程表示熔丝位状态为“1”(禁
止);已编程表示熔丝位状态为“0”(允许)。
(2)AVR的熔丝位可以多次编程,不是一次性的OPT熔丝。
(3)熔丝位的配置可以通过并行方式、ISP串行方式和JTAG串行方
式实现。
(4)AVR芯片加密锁定后(LB2/LB1=1/0,0/0)不能通过任何方式读
取芯片内部的FLASH和EEPROM数据,但是熔丝位的状态仍然可以读取,
只是不能修改配置。
(5)芯片擦除命令是将FLASH和EEPROM中的数据清除,并同时将两
位锁定位状态配置成无锁定的状态(LB2/LB1=1/1),但芯片擦除命令
不改变其熔丝位的配置。
(6)下载编程的正确操作程序是:对芯片无锁定状态下,下载运行
代码和数据,配置相关的熔丝位,最后配置芯片的加密锁定位。
(7)如果芯片被加密锁定后,发现熔丝位配置不对,则必须使用擦
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除命令,清楚芯片的数据,解除加密锁定,然后重新下载运行代码和
数据,修改配置相关的熔丝位,最后再次配置芯片的加密锁定位。
2.芯片加密锁定熔丝位
加密锁定位
加密锁定方式
1(出厂设置)
2
3
LB2
LB1
1
1
0
1
0
0
保护类型(用于芯片加密)
无任何编程加密锁定保护
禁止串/并行方式的再编程
禁止串/并行方式的再编程和校验
3.功能熔丝位
熔丝位名称
说明
出厂设置
WDTON
SPIEN
JTAGEN
EESAVE
看门狗有软件控制
看门狗始终工作,软件只能调
节溢出时间
禁止ISP串行编程
允许ISP串行编程
禁止JTAG口
允许JTAG口
芯片擦除时同时擦除
芯片擦除时不擦除EEPROM数
EEPROM数据
据
BODEN
禁止低电压检测功能
允许低电压检测功能
BODLEVEL
OCDEN
低电压检测门限电平为
2.7V
禁止JTAG口的在线调试功
能
低电压检测门限电平为4.0V
允许JTAG口的在线调试功能
1
0
0
1
1
1
1
4.Bootloader的熔丝位
(1)上电启动地址选择
熔丝位名称
BOOTRST
芯片上电后从地址
0X0000开始执行
(2)Bootloader区大小设置
说明
出厂设置
上电后从BOOT区开始执行
1
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BOOTSZ1
BOOTSZ0
BOOT区大小/字
起始地址
出厂设置
0
0
1
1
0
1
0
1
1024
512
256
128
0X1C00
0X1E00
0X1F00
0X1F80
00
5.有关系统时钟源的选择熔丝位
(1)系统时钟选择
系统时钟源
外接石英/陶瓷晶体
外接低频晶体(32.768khz)
外接RC振荡器
CKSEL[3:0]
1111~1010
1001
1000~0101
使用可校准的内部RC振荡器
0100~0001(出厂设置0001,1MHZ)
外部时钟
0
(2)使用外部晶体时的工作模式配置
熔丝位
CKOPT
CKSEL[3:0]
工作频率范围/MHZ
C1、C2容量/pF
1
1
1
0
101
110
111
101~111
0.4~0.9
0.9~3.0
3.0~8.0
>=1.0
注释(1)
12~22
12~22
12~22
适用晶体
陶瓷晶体
石英晶体
注释(1):对陶瓷晶体振荡所配的电容,请按照厂家说明使用;
注释(2):当CKOPT=0时,振荡器的输出振幅较大,适用于干扰大
的场合;反之,振荡器的输出振幅较小,可以降低功耗,对外电磁辐
射也较小;
注释(3):CKOPT默认状态为“1”。