2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷).doc

发布时间：2023-11-14 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.10M 资料格式：doc 举报版权申诉

第1页 / 共3页

2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷).doc.pdf-第2页.jpg

第2页 / 共3页

2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷).doc.pdf-第3页.jpg

第3页 / 共3页

文本预览

2015 年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A 卷) 1. 列式计算面心立方晶胞的致密度（AtomicPackingFactor）。（本题 15 分） 2.如图 1 所示某晶胞示意图，请作图标出坐标为(1/4,1,1/2)的点。（本题 15 分）

3 计算每立方米 Cu 在 1000℃时的平衡空位数量。已知空位形成能为 0.9eV/atom；1000℃时铜的的原子量和密度分别为 63.5g/mol 和 8.4g/cm3；玻尔兹曼常数 K 为 8.62×10-5eV/K。(本题 15 分) 4. 已知 Cu 晶体的点阵常数 a=0.35nm，切变模量 G=4×104Mpa。有一位错，其位错线方向为 ,计算该位错的应变能。(本题 15 分) 5.为研究稳态条件下间隙原子在面心立方金属中的扩散情况，在厚 0.25mm 的金属薄膜的一个端面（面积 1000mm2）保持对应温度下的饱和间隙原子，另一端面为间隙原子为零。测得下列数据：计算在这两个温度下的扩散系数和间隙原子在面心立方金属中扩散的激活能。(本题 25 分) 6.试指出 Cu 晶体易滑移的晶面和晶向，并求出滑移面间距，滑移方向上的原子间距及点阵阻力。（已知 GCu=48.3GPa，v=0.3），点阵阻力计算公式为：

  NP 2 G 1   exp[  2 d   ]  1 b   （本题 20 分） 7.试证明在同样过冷度下均匀形核时，球形晶核较立方晶核更易形成。(本题 20 分) 8.如图 2 所示，已知 A、B、C 三组元固态完全不互溶，成分为 80％A、10％B、10％C 的 O 合金在冷却过程中将进行二元共晶反应和三元共晶反应，在二元共晶反应开始时，该合金液相成分(a 点)为 60％A、20％B、20％C，而三元共晶反应开始时的液相成分(E 点)为 50％A、 10％B、40％C。(本题 25 分) (a)试计算 A 初％、(A+B)%和(A+B+C)%的相对量。 (b)写出图中 I 和 P 合金的室温平衡组织。

分享到：

赞收藏

资料库

2015年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷).doc

相关推荐

考研

热门标签

最新资料