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TFT技术发展简述.pptx

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TFT技术发展简述 制作:刘宏益
主 目 录 CONTENTS 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
第一部分
CRT:阴极射线显像管: 发展历程:1897年德国布劳恩发明 CRT显示器,应用于示波器,在20世 纪中后期,占了绝对统治地位,20世 纪末期随着LCD的上位,逐渐退出显示 舞台。 优点:响应速度快,色彩还原度高; 缺点:体积、重量大,功耗值高 显示编年史 TN-LCD:扭曲向列液晶显示器; 发展历程:世界上第一台液晶显示设备出现在20世 纪70年代初,被称之为TN-LCD(扭曲向列)液晶 显示器。20世纪90年代,TN-LCD显示器广泛应用 于电子游戏机,计算器,等便携显示器领域, 优点:轻薄、省电 缺点:色彩单一 TFT-OLED:有机发光显示器; 发展历程:1987年,美籍华裔教授邓青云先 生首先发现OLED,并且获得了“OLED之父” 的美名。2010年开始,oled与三星旗舰手机 一起低调发展,2017年,oled呈现井喷式的 发展。韩国乃至大陆部分LCD产线纷纷改造 成oled产线 优点:色彩艳丽、对比度高、轻薄、超低功 耗 缺点:残像、材料寿命短 CRT PDP TN-LCD TFT-LCD TFT-OLED PDP:等离子显示板: 发展历程:几乎与液晶显示发展与同时代,由于日系企业过于 保守,该技术仅限于松下等厂家手中,加速了离子显示技术的 寿终正寝,2013年11月,被称为“等离子之父” 的松下放弃等 离子业务。 优点:亮度高、色彩还原性好、可视角度广 缺点:功耗高、价格贵 TFT-LCD:薄膜晶体管液晶显示器; 发展历程:在1984年,欧美提出TFT-LCD技术, 90年代初期,日本掌握TFT技。90年代末,3代 线在日本大规模投产, 2010年夏普10代线实现 量产;2019年,预计大陆4条10.5代线投入量产, 未来很长一段时间内将占据显示行业龙头。 优点:低功耗、轻薄、高分辨率、价格低 缺点:可视角度小、对比度低
第二部分
一个底栅TFT器件示意图如下。当Gate给高 电压时(典型值15V),在a-Si下表面积累负 电荷,形成导电沟道,source极与drain极导 通。当Gate给低电压时(典型值-7V),导 电沟道消失,TFT器件处于关断状态。 什么 是TFT 薄膜晶体管(英 语:Thin-Film Transistor)是场 效应晶体管的种 类之一,大略的 制作方式是在基 板上沉积各种不 同的薄膜,如半 导体主动层、介 电质和金属电极 层。
一个实际的TFT器件I-V曲线如下图所示 栅级电压选 择的实践依 据
TFT矩阵的 工作原理是 什么
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