2018年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题A卷.doc

发布时间：2022-09-15 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.02M 资料格式：doc 举报版权申诉

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2018 年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题 A 卷请注意：答案必须写在答题册上（写在试题上无效）。答题纸请注明页码与总页数。一、解释什么是扩散运动。（10 分）二、解释什么是 PN 结内建电场？（10 分）

三、解释受主杂质的电离过程（10 分）四、解释 N 型半导体的简并化条件（10 分）五、解释基区宽度调变效应（10 分）

六、作出正向偏压下 PN 结能带图，并简要说明形成过程（15 分）七、作出半导体、导体、金属的能带图并解释（15 分）八、（20 分）已知突变结两边的杂质浓度为 NA=1E16cm-3，ND=1E20cm-3，1）求势垒高度和势垒宽度；2）画出电场 E(x)，V(x)图。

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