2014年湖北汽车工业学院电子技术基础考研真题A卷.doc

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2014 年湖北汽车工业学院电子技术基础考研真题 A 卷一、概念选择题（共 10 题，每题 1 分，共 10 分） 1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 D.前者反偏、后者正偏 2、某小信号源内阻很高，为能有效放大该信号，前置放大电路应该用____。 A.共射电路 B.共基电路 C.共漏极电路 D.施密特电路 3、线性运用下的运算放大器，通常工作在______状态。 A.开环 B.比较器 C.正反馈 D.深度负反馈 4、能稳定放大电路的输出电压和减小输入电阻的反馈类型是______。 A.电压串联负反馈 B.电流并联负反馈 C.电流串联正反馈 D.电压并联负反馈 5、CMOS 是由______管构成。 A.NMOS+PMOSB.PMOSC.JEFTD.NMOS 6、与函数式相等的表达式为_______。 A.A+B C.A+BCD.A+B+C 7、某二输入门，当一输入脚为“1”时可以进行反变量传输，为“0”时可以进行原变量传输，该逻辑门是_______。 A.异或门 B.与非门 C.同或门 D.或非门 8、时序逻辑电路的输出是与_______。 A.输入变量有关 B.时钟有关 C.存储状态有关 D.与前述三种都有关 9、将 1024 个“1”异或起来得到的结果是_______。 A.“1”B.“0”C.“100”D.“11000” 10、欲用容量为 256*8 的 RAM 扩展至 2048*16，需要_______同类芯片。 A.14 块 B.20 块 C.18 块 D.16 块二、概念填空题（共 7 题，每空 1 分，共 14 分） 1、对中频段信号，共发射极放大电路的输入电压和输出电压相位差为（）；共基极放大电路输入电压和输出电压相位差为（）；共集电极放大电路输入电压和输出电压相位差为（）。 2、放大器中用低通滤波器为了能滤除（）信号，用高通滤波器为了能通过（）信号，用带通滤波器为了能通过（）信号。 3、CMOS 门电路的静态功耗（），动态功耗随着工作频率的提高而（）。 4、为实现“线与”需用（）门，其输出需接（）。 5、挂在总线上的输出门应该采用（）门。 6、如果对键盘上 108 个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7、4K×8 的 RAM 共有（）根地址线和（）根数据线。三、简答题（共 2 题，每题 3 分，共 6 分） 1、简述负反馈放大电路改善放大器引起的信号失真的机理。

2、简述组合逻辑电路和时序逻辑电路的不同点。四、模拟部分计算题（共 4 题，共 47 分） 1、（本题 15 分）单级放大器如图所示，已知 Rc=RL=3K，Re=2K，Rb2=33K，信号源内阻 Rs=0.1K，管子β=80，rbb=200Ω,直流电压 Vbe=0.7V，试求：（1）电阻 Rb1 的数值，使集电极电流为 1mA；（4 分）（2）画出微变等效电路，计算电压增益 Av 和输入电阻 Ri；（6 分）（3）求低频端的截止频率 fL。（5 分） 2、（本题 12 分）电路如图所示。（1）二极管 D1 和 D2 在电路中起什么作用?（3 分）（2）为提高输入电阻和带负载能力，应引入何种反馈？如何接？（4 分）（3）引入反馈后，设 Rf=30K，试用深度负反馈方法，估算电压增益 Avf。（5 分） 3、（本题 12 分）数据放大器电路如下图所示。（1）运放 A1，A2 和 A3 分别构成何种电路形式，分别起什么作用？（6 分）（2）写出电压增益 Av 表达式，并分析 R1 的作用。（6 分） 4、（本题 8 分）正弦波振荡电路如图所示。（1）请标出图 A 振荡电路的同名端，使电路满足起振相位条件，并写出振荡频率表达式。（4 分）（2）图 B 电路能否满足振荡相位条件试判断之，若不能请改正之。写出振荡

频率表达式。（4 分）五、数字部分计算题（共 7 题，共 73 分） 1、试用卡诺图化简函数（4 分） 2、将函数转换成“或非-或非”表达式。（4 分） 3、（本题 12 分）试用 74HC138 译码器和“与非门”实现一位二进制全减器，（设 A、B、 Ci 分别是被减数、减数和低位来的借位；D 和 Co 分别是本位差及向高位的借位）。（1）试列出真值表；（5 分）（2）写出表达式；（4 分）（3）画出逻辑电路图。（3 分） 4、（本题 10 分）试用 8 选 1 数据选择器 74HC151 和附加门电路实现函数 Y（A,B,C,D）=Σm(1,5,6,7,9,11,12,13,14)。（1）写出实现表达式；（5 分）（2）画出电路。（5 分） 5、（本题 16 分）时序电路如下图所示（1）写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程；（6 分）（2）画出状态表和状态图。（10 分）

6、（本题 15 分）试用 D 触发器完成三位双向移位寄存器设计（设左移输入为 DL,右移输入为 DR，移位控制为 S），写出表达式，画出电路。 7、（本题 12 分）下图所示电路为由 CMOS 或非门构成的单稳态触发器。试回答下列问题：（1）画出加入正向触发脉冲 Vi 后 V01、V02 及 VR 的工作波形；（9 分）（2）写出输出脉宽的表达式。（3 分）

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