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硬件十万个为什么——DDR3的工作原理.pptx

发布时间：2022-05-29 发布人：admin 分类：说明书 资料大小：1.35M 资料格式：pptx 举报 版权申诉
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    硬件十万个为什么 —— DDR3的工作原理 杜盼 dzplay@qq.com
    目录  DDR的片内结构  DDR的读写流程  DDR的基础命令  DDR的读写时序与参数
    DDR的片内结构框图 上图是一片容量4Gb，数据位宽为8bit的DDR3 SDRAM的结 构图
    DDR的片内结构说明 1. 控制器单元：包括输入命令解析，模式配置&控制部分； 2. 行地址选通单元：行激活通过此处操作； 3. Bank控制逻辑：行/列地址解码用到bank选通 4. 列地址选择单元，读写操作同时在打开列地址的时候送到1； 5. 内部存储阵列，此处分8个bank，已4g8bit的颗粒为例；每个 bank分65536行，128列，每个cell存储8*bl的数据宽度； 6. 读写数据缓存及接口驱动；dq数据在此变换位宽后内外交互； 7. 锁存与控制逻辑：刷新与预充电用到该模块。
    目录  DDR的片内结构  DDR的读写流程  DDR的基础命令  DDR的读写时序与参数
    DDR的操作  启动：上电->解复位->初始化->ZQCL-> LEVELING- >IDLE(READY)  读：IDLE->行激活->读数据(1次或多次突发)->预充电- >IDLE  写：IDLE->行激活->写数据(1次或多次突发)->预充电- >IDLE  刷新：IDLE->REF->IDLE  自刷新的进入与退出：IDLE->SFR->IDLE  定期校正：IDLE->ZQCS->IDLE，一般外部温度或电压改变 时操作  动态更改配置：IDLE->MRS/MPR->IDLE
    DDR的读操作(内部流程图)
    DDR的读操作(步骤说明)  ddr发起一次读的过程包含一系列命令有： 1. 操作开始于Active命令——Active命令同时并发含带地址位，以选 择Bank和Row地址（BA0-BA2选择BANK、A0-A15选择 Row）。用于打开一个工作行。 2. 随后是一个Read命令——Read命令并发含带突发操作的起始 Column地址和bank号，打开对应gating的列； 3. 数据经过特定的延时（CL+AL，后面详细介绍）；将数据传出IO； 4. 完成数据传出后，需将当前cache的数据刷回存储整列并关闭当前 工作行（携带命令和BA信息）；【是否发布自动预充电命令（通过 A10）】
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