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硬件十万个为什么——DDR3的工作原理.pptx

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硬件十万个为什么 —— DDR3的工作原理 杜盼 dzplay@qq.com
目录  DDR的片内结构  DDR的读写流程  DDR的基础命令  DDR的读写时序与参数
DDR的片内结构框图 上图是一片容量4Gb,数据位宽为8bit的DDR3 SDRAM的结 构图
DDR的片内结构说明 1. 控制器单元:包括输入命令解析,模式配置&控制部分; 2. 行地址选通单元:行激活通过此处操作; 3. Bank控制逻辑:行/列地址解码用到bank选通 4. 列地址选择单元,读写操作同时在打开列地址的时候送到1; 5. 内部存储阵列,此处分8个bank,已4g8bit的颗粒为例;每个 bank分65536行,128列,每个cell存储8*bl的数据宽度; 6. 读写数据缓存及接口驱动;dq数据在此变换位宽后内外交互; 7. 锁存与控制逻辑:刷新与预充电用到该模块。
目录  DDR的片内结构  DDR的读写流程  DDR的基础命令  DDR的读写时序与参数
DDR的操作  启动:上电->解复位->初始化->ZQCL-> LEVELING- >IDLE(READY)  读:IDLE->行激活->读数据(1次或多次突发)->预充电- >IDLE  写:IDLE->行激活->写数据(1次或多次突发)->预充电- >IDLE  刷新:IDLE->REF->IDLE  自刷新的进入与退出:IDLE->SFR->IDLE  定期校正:IDLE->ZQCS->IDLE,一般外部温度或电压改变 时操作  动态更改配置:IDLE->MRS/MPR->IDLE
DDR的读操作(内部流程图)
DDR的读操作(步骤说明)  ddr发起一次读的过程包含一系列命令有: 1. 操作开始于Active命令——Active命令同时并发含带地址位,以选 择Bank和Row地址(BA0-BA2选择BANK、A0-A15选择 Row)。用于打开一个工作行。 2. 随后是一个Read命令——Read命令并发含带突发操作的起始 Column地址和bank号,打开对应gating的列; 3. 数据经过特定的延时(CL+AL,后面详细介绍);将数据传出IO; 4. 完成数据传出后,需将当前cache的数据刷回存储整列并关闭当前 工作行(携带命令和BA信息);【是否发布自动预充电命令(通过 A10)】
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