2018年山东大学半导体物理考研真题.doc

发布时间：2022-09-16 发布人：admin 分类：说明书资料大小：0.03M 资料格式：doc 举报版权申诉

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2018 年山东大学半导体物理考研真题一、名词解释（每小题 3 分，共 27 分） 1.单电子近似 2.有效质量 3.等电子陷阱 4.费米能级 5.迁移率 6.晶格振动散射 7.非平衡载流子寿命 8.光生伏特效应

9.霍尔效应二、问答题（每题 5 分，共 45 分） 1.从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量如何变化?内层电子和外层电子谁的有效质量大?谁在外力作用下可以获得较大的加速度? 2.简述导体、半导体、绝缘体的能带特征。 3.简述引入空穴概念的意义。 4.简述本征半导体、简并半导体及非简并半导体的特点。 5.简述半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射。 6.简述电离杂质散射及其温度关系。 7.非平衡少子寿命标志着什么? 8.简述 Si 半导体材料是否适宜做光电子器件。

9.对于一 n 型半导体材料，在什么情况下会出现半导体材料内的电场与电流不在同一个方向? 三、计算题（共 78 分） 1.计算施主密度 Nd=1014cm-3 的锗材料中，室温下的电子和空穴密度。（本题 15 分） 2.一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度 NA=1×1015/cm-3，室温下测得其 Er 恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为 n0=5×1015/cm3.已知室温下硅的本征载流子密度 N1=1.5 ×1010/cm3，试求∶ （1）平衡少子密度是多少? （2）掺入材料中的施主杂质密度是多少? （3）电离杂质和中性杂质的密度各是多少? （本题 15 分） 3.试计算电阻率为 10 欧姆·厘米的 n 型硅样品在室温时的电子和空穴密度。（本题 15 分） 4.光照射光导电体时，如果单位体积、单位时间内产生 f 个电子空穴对，电子和空穴的寿命分别为时，试证明电导率增加部分为 .（本题 18 分） 5.对厚度为 0.08cm 的 n 型 GaAs，沿 X 方向通以 50mA 的电流，沿 Z 方向加以 0.5T 的

磁场，得到一-0.4mV 的霍尔电压，试求∶ （1）霍尔系数; （2）载流子浓度; （3）如材料电阻率为 1.5×10-3Ω.cm，求载流子的迁移率。（本题 15 分）

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